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大功率UPS無(wú)變壓器設(shè)計(jì)技術(shù)
采用無(wú)變壓器設(shè)計(jì)的UPS,雖然增加了逆變器的中線橋臂以及電池充放電轉(zhuǎn)換器,但與減少的磁性元件相比,總體來(lái)說(shuō)成本降低了,并且減少了UPS的體積和重量,其重量是傳統(tǒng)UPS的50%或更低,占地面積為原來(lái)的60%,不需要后面和側(cè)面接線維修。
2009-07-10
無(wú)變壓器 UPS大功率UPS IGBT ABM技術(shù)
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冗余式UPS技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
UPS自20世紀(jì)60年代問世以來(lái)，在全世界范圍內(nèi)得到了廣泛地推廣和應(yīng)用。由于傳統(tǒng)單機(jī)UPS存在諸多弊端，冗余式UPS逐漸得到了發(fā)展，其技術(shù)革新一直倍受關(guān)注。本文針對(duì)冗余式UPS發(fā)展的必然性，介紹冗余式UPS技術(shù)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2009-07-10
ups 冗余式UPS 高頻鏈技 總線互聯(lián)
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低溫共燒陶瓷技術(shù)（LTCC）新進(jìn)展
在本次創(chuàng)新大獎(jiǎng)評(píng)選中，本土元器件和材料的創(chuàng)新項(xiàng)目表現(xiàn)搶眼，共有7個(gè)項(xiàng)目獲獎(jiǎng)，令人振奮！這些項(xiàng)目對(duì)加快產(chǎn)業(yè)調(diào)整振興規(guī)劃的中國(guó)電子元器件產(chǎn)品升級(jí)目標(biāo)將起到重要推動(dòng)作用。而清華大學(xué)完成的“高性能低溫共燒陶瓷（LTCC）材料”是唯一一項(xiàng)獲得一等獎(jiǎng)項(xiàng)目。新型陶瓷與精細(xì)工藝國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室是我國(guó)新...
2009-07-10
低溫共燒陶瓷技術(shù) LTCC CEF
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風(fēng)華高科再現(xiàn)風(fēng)華
廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司的“賤金屬Ni內(nèi)電極高壓片式多層陶瓷電容器及抗還原陶瓷材料的開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目榮獲2008年度中國(guó)電子學(xué)會(huì)電子信息科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)?！吨袊?guó)電子商情》記者采訪了廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司冠華分公司副總唐浩，以下為采訪紀(jì)要。
2009-07-09
風(fēng)華高科 多層陶瓷電容器 抗還原陶瓷材料
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通過(guò)功率MOSFET的頂面溫度估算結(jié)點(diǎn)溫度
通常，MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中提供的結(jié)點(diǎn)溫度數(shù)據(jù)只限于結(jié)到引腳和結(jié)到環(huán)境之間的熱阻。雖然可根據(jù)定制條件使用一些工具來(lái)實(shí)現(xiàn)更精確的熱仿真，但有時(shí)只需要時(shí)間來(lái)運(yùn)行仿真就可以了。
2009-07-09
功率MOSFET MOSFET 結(jié)點(diǎn)溫度
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未來(lái)電源發(fā)展的架構(gòu)
近年電子及數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展及分布式供電系統(tǒng)的推廣，DC-DC轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用越來(lái)越廣，新的微處理器、記憶體、DSP及ASIC都趨向要求低電壓、大電流供電。面對(duì)新世代的電子器件和負(fù)載，電源業(yè)要面對(duì)重大的挑戰(zhàn)，產(chǎn)品除了能在低電壓輸出大電流外，還要做到體積小、重量輕、動(dòng)態(tài)反應(yīng)快，噪聲小和價(jià)錢相宜。這...
2009-07-09
CPA DPA
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開關(guān)變壓器第六講 導(dǎo)磁率的測(cè)量計(jì)算
在測(cè)試變壓器鐵芯導(dǎo)磁率的時(shí)候，一般都是通過(guò)測(cè)試變壓器線圈電感量的方法來(lái)測(cè)試變壓器鐵芯的導(dǎo)磁率；這種測(cè)試方法實(shí)際上就是測(cè)試電感線圈的交流阻抗;然而用來(lái)代表介質(zhì)屬性的導(dǎo)磁率并不是一個(gè)常數(shù)，而是一個(gè)非線性函數(shù)，它不但與介質(zhì)以及磁場(chǎng)強(qiáng)度有關(guān)，而且與溫度還有關(guān)。導(dǎo)磁率所定義的并不是一個(gè)簡(jiǎn)...
2009-07-08
開關(guān)變壓器 導(dǎo)磁率
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首爾半導(dǎo)體和臺(tái)灣廣鎵合資建新公司
廣鎵將投資200萬(wàn)美元與韓國(guó)首爾半導(dǎo)體及子公司Seoul Optodevice（SOC）合資成立新公司。新公司定位為銷售公司，主要負(fù)責(zé)海外接單為主，廣鎵占新公司49％股權(quán)，預(yù)計(jì)下半年成立。
2009-07-08
LED封裝 SOC LED芯片 SSC
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Vishay推出1280G、1285G系列AccutrimTM微調(diào)電位器
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩款Bulk Metal?箔超高精度AccutrimTM微調(diào)電位器 --- 1280G和1285G。
2009-07-08
1280G 1285G TCR 微調(diào)電位器
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