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STY112N65M5：ST太陽能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET
意法半導(dǎo)體（ST）開發(fā)出了用于配備太陽能電池功率調(diào)節(jié)器的MOSFET。耐壓650V，有最大導(dǎo)通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）的“STY112N65M5”和最大導(dǎo)通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）的“STW77N65M5”。 此前，太陽能電池功率調(diào)節(jié)器一直使用IGBT，但由于MOSFET的導(dǎo)通電阻不斷降低，因此MOSFET正逐漸取代IG...
2009-02-25
MOSFET 太陽能電池 功率調(diào)節(jié)器 IGBT ST STY112N65M5 STW77N65M5
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08年光伏設(shè)備銷售額超44億美元
市場調(diào)研機構(gòu)VLSI Research日前發(fā)布報告，2008年光伏電池和組件制造設(shè)備市場（包括薄膜電池設(shè)備）銷售額達到了44億美元，太陽能產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展并不斷增加新的產(chǎn)能。由于各種薄膜技術(shù)的興起并在2008年第一次進入規(guī)模量產(chǎn)，設(shè)備市場獲得了迅速成長，促使設(shè)備供應(yīng)商也創(chuàng)造了新的收入記錄。
2009-02-25
光伏電池 太陽能 薄膜電池
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希臘通過歐洲最優(yōu)惠的太陽能補助案
希臘于2009年1月15日通過歐洲最優(yōu)惠的太陽能補助案。提案中預(yù)計將有3GW的龐大裝置量，此補助案一經(jīng)公布，將使希臘在未來三至四年間，成為歐洲最具潛力的太陽能市場之一。
2009-02-24
希臘 太陽能
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東芝展出近紫外LED 外部量子效率高達36%
面向新一代照明用LED，東芝展出了正在開發(fā)的近紫外LED。其外部量子效率較高，達到了36%。發(fā)光波長為380nm。為了提高發(fā)光效率，抑制了GaN結(jié)晶的缺陷，提高了平坦性。
2009-02-23
近紫外LED 量子效率 GaN結(jié)晶
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陶顯芳老師談電磁干擾與電磁兼容(五)
本文闡述了電磁干擾和電磁兼容的定義、傳導(dǎo)干擾的定義以及回路電流產(chǎn)生傳導(dǎo)干擾的機理和抑制方法。
2009-02-23
電磁兼容 電磁干擾 傳導(dǎo)干擾 輻射干擾 回路電流
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STx42N65M5：ST最新MDmesh V功率MOSFET
意法半導(dǎo)體近日宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh V技術(shù)達到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻
2009-02-23
ST MOSFET RDS(ON) 節(jié)能 導(dǎo)通電阻
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聚焦電源模塊
這次半月談聚焦電源模塊，網(wǎng)友積極幫了很多忙。有網(wǎng)友自己的體會、有難得的行業(yè)節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)、有電源模塊選擇方式也有電源模塊市場分析。通過我們的認(rèn)真整理和添加，這些電源模塊好文章又來社區(qū)中間。
2009-02-20
電源模塊 開關(guān)電源 節(jié)能 共建共享
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陶顯芳老師談電磁干擾與電磁兼容(四）
本文介紹了電磁感應(yīng)和干擾的發(fā)生機理以及磁通量和電磁干擾強度的計算方法。
2009-02-20
電磁兼容 電磁干擾 磁通量 磁感應(yīng)系數(shù)
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IPC與JEDEC幫助產(chǎn)業(yè)向無鉛化過渡
滿足RoHS(在電氣與電子設(shè)備中限制使用某些有害物質(zhì))指令要求,成功實施電子無鉛化組裝工藝對于電子連接器產(chǎn)業(yè)是一個持續(xù)的挑戰(zhàn)。為了幫助企業(yè)實現(xiàn)符合指令要求的目標(biāo)，IPC與JEDEC兩家協(xié)會將于2009年3月3-5日在美國加州圣塔克拉拉聯(lián)合舉辦為時三天的會議：向無鉛化過渡——實施戰(zhàn)略。
2009-02-20
無鉛化 IPC JEDEC 電子連接器 連接器
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