【導讀】GaN晶體管越來越多地用于各個領域：汽車領域中的電源供應以及電流的轉換和使用。這些基于GaN的組件將很快取代之前的產品。讓我們看一下如何更好地管理包括臨界條件在內的不同工作條件，以優(yōu)化電路性能并獲得出色的散熱效果。
GaN晶體管是當今存在的“最冷”組件之一。它的低結電阻即使在高溫和極端條件下也可實現低溫和低能量損耗。這是該材料廣泛用于許多關鍵領域的主要原因之一，在這些關鍵領域中，這些領域往往都需要大電流。為了進行有效的熱管理，當然在設計和結構層面上都需要使用適當的技術。
這些參數取決于溫度
在功率GaN晶體管中，元件的兩個參數在溫度上起著重要作用：RDS(on) 具有相關的工作損耗，跨導具有相關的開關損耗。
維持低溫的原因很多：
在最惡劣的工作條件下防止熱失控
減少能量損失
提高系統性能和效率
增加電路的可靠性
良好的散熱設計也會對功率密度的變化產生積極影響。選擇良好的基板肯定會通過減少散熱器表面（特別是在功率應用中）減少散熱面，從而有助于更好地散熱。
切換方式
不同開關方法的實施不可避免地意味著設計上的差異，尤其是最終性能上的差異。主要的是“ ZVS軟切換模式”和“硬切換模式”。傳熱以三種不同方式發(fā)生：
直接接觸
借助空氣或水等流體
通過輻射，電磁波
圖1 清楚地總結了傳熱過程。系統的各個組件的行為就像電阻一樣，通過電流遇到障礙的不是電流，而是熱量。從結到散熱器，熱量通過傳導發(fā)生，而從散熱器到周圍環(huán)境，則通過對流發(fā)生。
圖1：熱量通過各種方式從結點傳遞到周圍環(huán)境。
安裝技巧
GaN在PCB上的物理安裝位置，電氣和戰(zhàn)略層面的散熱程度具有決定性的影響。在相同的工作條件下，組件和散熱器的不同位置決定了整個系統的熱性能差異。要使用兩個GaN晶體管，建議使用帶有M3型螺孔中心孔的小型散熱器。這樣，兩個組件上的壓力達到平衡（圖2a）。但是，我們絕不能增大GaN上散熱器的擠壓，因為這會導致機械應力的危險增加。如果必須使用更大的散熱器，則必須鉆兩個或多個孔，以最大程度地減少安裝支架的彎曲或扭曲（圖2b））。SMD組件是最容易彎曲的組件。應在開關組件附近開孔，以增加對較冷表面的附著力。
圖2：GaN散熱器的使用
盡管電源電路的設計是成熟的技術，但應始終牢記法規(guī)。使用散熱器時，必須滿足有關散熱的標準以及電路上組件和走線的最小距離所規(guī)定的要求。在距離必須符合法規(guī)標準的區(qū)域，必須使用熱界面材料（TIM）覆蓋散熱器的邊緣。這是為了改善兩個部分之間的熱耦合。還要避免在GaN器件附近放置通孔組件（THC）。為了優(yōu)化空間，可以使用基座來抬起散熱器，以允許將表面安裝（SMT）組件放置在散熱器本身的正下方（請參見圖3）。
圖3：升高散熱器可優(yōu)化空間。
GaN的并聯
為了顯著提高電路的功率，可以并聯連接多個GaN晶體管，如圖4所示。負載可能非常大，并且開關電流會大大增加。使用這些方法，即使冷卻系統也必須非常有效。不同的實驗可能有不同的散熱系統，其中包括以下測試：
自然對流，無散熱器
帶獨立散熱器的強制冷空氣
與普通散熱器并聯的強制冷空氣
通過將設備的最佳特性與最佳散熱解決方案相結合，可以增加系統可以達到的最大功率。實際上，通過減小GaN晶體管之間的并聯連接的熱阻，可以實現該結果。
圖4：并聯連接GaN晶體管會增加功率并降低電阻。
SPICE模型
GaN Systems提供兩種不同的SPICE模型，即L1和L3模型（見圖5）。為了在熱實現下運行，必須使用第二個模型。然而，在這種情況下，寄生電感將更高。讓我們詳細了解兩種類型的模型之間的區(qū)別：
L1模型具有四個端子（G，D，S，SS）。它用于一般開關仿真，其中仿真器的處理速度是最重要的。
L3模型具有六個端子（G，D，S，SS，Tc，Tj）。加上了熱模型和寄生電感模型。
該模型基于組件的物理特征和設備的結構。根據模擬的目的，引腳Tj可用作輸入或輸出。通過這種方式，可以執(zhí)行兩種不同類型的研究：
用作輸入時，可以將引腳Tj設置為恒定值，以檢查特定Tj值下的E（開）/ E（關）比。
用作輸出時，可以在靜態(tài)和瞬態(tài)模式下驗證引腳Tj。
圖5：GaN晶體管的SPICE模型
結論
GaN晶體管可提供出色的結果以及出色的散熱性能。為了獲得最大的功率性能，甚至以千瓦為單位，必須最大化項目的電氣和熱量。如果對系統進行了適當的分析和實施，它實際上可以在相對較低的溫度下處理非常高的功率。要使用的技術涉及各種參數，例如散熱器的位置，形狀和高度，焊縫的形狀和尺寸，GaN器件的平行度以及開關頻率。GaN晶體管的使用案例在市場上越來越多，其特點是支持更高的電壓和電流以及更低的結電阻，以滿足高功率領域公司的所有要求和需求。
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