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ST創(chuàng)新開關(guān)產(chǎn)品可大幅提升設備電源能效

發(fā)布時間:2013-04-03 來源:電子元件技術(shù)網(wǎng) 責任編輯:hedyxing

【導讀】ST的超結(jié)功率MOSFET晶體管系列新增快速開關(guān)產(chǎn)品,用于高能效消費電子產(chǎn)品、計算機和電信系統(tǒng)、照明控制器和太陽能設備。所用的功率創(chuàng)新技術(shù)可減少相當于數(shù)千輛汽車尾氣排放量的溫室氣體。

ST的新開關(guān)產(chǎn)品可提升設備電源能效,如200-500W中等尺寸電視。如每年制造的2億臺液晶電視均采用新的 MDmesh II Plus Low Qg(低柵電荷)功率晶體管,每年溫室氣體將減排14多萬噸,這個數(shù)字相當于約3萬輛客車的尾氣排放量[ 按照半負載(100W)時能效提高0.5%計算,每天節(jié)省3Wh,假設每天電視開機6小時,每年每臺電視節(jié)電約1kWh。在2億臺電視內(nèi),全球可節(jié)電200GWh。根據(jù)美國環(huán)保局(www.epa.gov) 換算器的計算結(jié)果,相當于減排141,110噸二氧化碳,相當于29,328輛客車的溫室氣體排放量]。
ST創(chuàng)新開關(guān)產(chǎn)品可大幅提升設備電源能效
ST創(chuàng)新開關(guān)產(chǎn)品可大幅提升設備電源能效

僅有少數(shù)芯片廠商掌握超結(jié)技術(shù),采用此項技術(shù)的功率晶體管具有小尺寸、耐高壓和導通能效優(yōu)異等諸多優(yōu)點。意法半導體在這個技術(shù)領域居全球領先水平,除MDmesh功率MOSFET外,現(xiàn)在又推出了性能更高的MDmesh II Plus Low Qg系列。這些先進特性可降低管內(nèi)柵極電荷數(shù)量,提高開關(guān)以及導通時的能效,有助于液晶電視常用的諧振型電源節(jié)省電能。

在改進設計后,新產(chǎn)品降低了柵電荷(Qg)以及輸入和輸出電容,這些參數(shù)有助于進一步提高開關(guān)速度和能效,推進液晶電視開發(fā)人員選用超結(jié)晶體管設計諧振電源。直到現(xiàn)在,超結(jié)晶體管仍主要用于設計硬開關(guān)拓撲,在電流電壓都很高的條件下執(zhí)行開關(guān)操作。在諧振型電源內(nèi),兩支電感和一支電容(LLC功率轉(zhuǎn)換器)可確保晶體管的開關(guān)電壓為零電壓,以保證系統(tǒng)電流曲線平滑,從而提高能效。電壓瞬變可燒毀晶體管,引起誤開關(guān),MDmesh II PlusTM Low Qg新系列擁有高抗瞬變能力,可承受輸入電壓突然劇變(dv/dt),讓新產(chǎn)品能夠在交流電力線上噪聲和諧波等瞬變事件惡劣的環(huán)境中穩(wěn)定工作。

ST首款投產(chǎn)的MDmesh II PlusTM Low Qg產(chǎn)品為采用TO-220封裝的STP24N60M2。意法半導體將擴展此系列至50余款不同封裝的產(chǎn)品,如TO-220FP, I2PAK,I2PAK FP,D2PAK,TO-247 和PowerFLAT 8x8。

ST STP24N60M2主要特性:

- 通態(tài)電阻(RDS(ON)):190m?
- 擊穿電壓:600V
- 最大連續(xù)漏極電流(ID):18A
- 抗dv/dt能力:50V/ns
- 100%雪崩測試
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