配置背光的一種標準方法是使用兩個分立式器件: 一個采用DPAK封裝的100 V MOSFET,以及一個同樣采用DPAK封裝的100 V肖特基二極管。LED背光單元中,肖特基二極管的高漏電流可能會造成一些問題,尤其在較高溫度下。某些客戶曾遇到量產時肖特基二極管出現(xiàn)泄漏故障的問題。改善泄漏故障的一種方法是將肖特基二極管的額定電壓從100 V增加到120 V,但系統(tǒng)溫度較高時,漏電流依然是個問題。
飛兆半導體的設計團隊開發(fā)了一種替代方法,即采用100 V BoostPak解決方案。BoostPak系列(圖1)在單封裝內集成兩個器件: 一個100 V MOSFET和一個150 V NP二極管。
圖1. BoostPak在單封裝內集成100 V MOSFET和150 V NP二極管
BoostPak系列采用5引腳DPAK單封裝。N溝道MOSFET針對最大程度降低導通電阻并保持出色的開關性能而設計。NP二極管為超快速整流器,帶低正向導通壓降,具有出色的開關性能。相比肖特基二極管,它具有低得多的漏電流,在高溫應用中提供更高的系統(tǒng)可靠性。
相比雙分立器件解決方案,BoostPak方案的尺寸更小,可節(jié)省多達20mm2的PCB空間。使用單封裝而非兩個封裝還意味著裝配更方便、系統(tǒng)成本更低。
BoostPak系列提供兩種版本,一種額定輸出功率為25 W,另一種額定值為40 W。表1列出詳細信息。
表1. BoostPak裝配規(guī)格
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更高溫度下的性能更佳
我們想要知道NP二極管的漏電流到底有多低,因此我們進行了一些測試。測試結果如圖2所示
圖2:二極管漏電流比較
與100 V、5A肖特基二極管相比,150 V、5 A BoostPak系列NP二極管在所有條件下的額定漏電流值低得多,但兩者在高溫下差別極大。隨著溫度上升,肖特基二極管的漏電流以極快的速度增加,而相比之下NP二極管的漏電流依然較低。
BoostPak系列的NP二極管采用絕佳的生命周期控制工藝制成,以實現(xiàn)極快速的反向恢復時間和合理的正向壓降(VF(典型值): 0.9 V,條件為 IF=5 A、TJ=100 度)
圖3:對反向恢復時間進行了比較
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實際設計
下一步,我們將驗證BoostPak系列能夠在實際設計中限制漏電流,因此我們開發(fā)了一款評估板,并在多種條件下進行測試。圖4為基本設計,BoostPak系列高亮顯示。
圖4. LED背光中的BoostPak
該設計針對35 W升壓拓撲,使用連續(xù)電流模式(CCM)操作。輸入電壓范圍為20.4 V至27.6 V,采用單通道直流輸出,恒定電流值為640 mA (55 V)。我們采用BoostPak系列的FDD8500N10LD版本。
在CCM操作期間,二極管反向恢復電流增加MOSFET的導通損耗。NP二極管提供低反向恢復電流,對MOSFET的影響更小。
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測試溫度與EMI
我們在設計BoostPak產品時,牢記兩個目標。首先,我們希望將器件殼的工作溫度保持在65℃以下。其次,我們希望滿足電磁干擾(EMI)的通用規(guī)格,將EMI保持在CISPR22 B類標準規(guī)定的限值以下。
我們測量了飽和溫度。如表2所示,在24 V輸入電壓(VIN)的情況下,BoostPak系列溫度保持在61.5℃,低于65℃的目標。
表2. VOUT= 55V (35W)時的測試結果
接著,我們通過檢查五串LED負載時的輻射量,測試EMI。圖5顯示VIN為24V時的結果。
圖5. 輻射量: VIN= 24 V
在30 MHz至1000 MHz的子頻率范圍內,輻射量遠低于CISPR22 B類的額定限值。
結論
測試結果顯示飛兆半導體的BoostPak系列(以單個100 V BoostPak替代100 V MOSFET和100 V肖特基二極管)低漏電流二極管滿足工作溫度下必須的性能和EMI要求。同時,使用BoostPak系列可讓設計的尺寸更小、更緊湊,并且更易于組裝。在成本競爭型應用中,如屏幕尺寸小于40英寸的LED電視機,這些優(yōu)勢可讓產品脫穎而出。BoostPak方法還可節(jié)省其他應用的成本,比如LED照明系統(tǒng)和升壓/降壓操作DC-DC轉換器。
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