大師教你如何檢測(cè)IGBT好壞簡(jiǎn)便方法
發(fā)布時(shí)間:2014-09-23 責(zé)任編輯:sherryyu
【導(dǎo)讀】如何來(lái)檢測(cè)IGBT好壞簡(jiǎn)便方法?這里大師來(lái)教你:將數(shù)字萬(wàn)用表撥到二極管測(cè)試檔,測(cè)試IGBT模塊c1 e1、c2 e2之間以及柵極G與 e1、 e2之間正反向二極管特性,來(lái)判斷IGBT模塊是否完好。
1、判斷極性
首先將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1KΩ擋,用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí),若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大,調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大,則判斷此極為柵極(G)。其余兩極再用萬(wàn)用表測(cè)量,若測(cè)得阻值為無(wú)窮大,調(diào)換表筆后測(cè)量阻值較小。在測(cè)量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。
2、判斷好壞
將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT的集電極(C),紅表筆接IGBT的發(fā)射極(E),此時(shí)萬(wàn)用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和集電極(C),這時(shí)IGBT被觸發(fā)導(dǎo)通,萬(wàn)用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E),這時(shí)IGBT被阻斷,萬(wàn)用表的指針回零。此時(shí)即可判斷IGBT是好的。
3、任何指針式萬(wàn)用表皆可用于檢測(cè)IGBT
注意判斷IGBT好壞時(shí),一定要將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋,因R×1KΩ擋以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低,檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT導(dǎo)通,而無(wú)法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。
逆變器IGBT模塊檢測(cè):
將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)艿蕉O管測(cè)試檔,測(cè)試IGBT模塊c1 e1、c2 e2之間以及柵極G與 e1、 e2之間正反向二極管特性,來(lái)判斷IGBT模塊是否完好。
以六相模塊為例。將負(fù)載側(cè)U、V、W相的導(dǎo)線拆除,使用二極管測(cè)試檔,紅表筆接P(集電極c1),黑表筆依次測(cè)U、V、W,萬(wàn)用表顯示數(shù)值為最大;將表筆反過來(lái),黑表筆接P,紅表筆測(cè)U、V、W,萬(wàn)用表顯示數(shù)值為400左右。再將紅表筆接N(發(fā)射極e2),黑表筆測(cè)U、V、W,萬(wàn)用表顯示數(shù)值為400左右;黑表筆接P,紅表筆測(cè)U、V、W,萬(wàn)用表顯示數(shù)值為最大。各相之間的正反向特性應(yīng)相同,若出現(xiàn)差別說明IGBT模塊性能變差,應(yīng)予更換。IGBT模塊損壞時(shí),只有擊穿短路情況出現(xiàn)。
紅、黑兩表筆分別測(cè)柵極G與發(fā)射極E之間的正反向特性, 萬(wàn)用表兩次所測(cè)的數(shù)值都為最大,這時(shí)可判定IGBT模塊門極正常。如果有數(shù)值顯示,則門極性能變差,此模塊應(yīng)更換。當(dāng)正反向測(cè)試結(jié)果為零時(shí),說明所檢測(cè)的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時(shí)電路板保護(hù)門極的穩(wěn)壓管也將擊穿損壞。
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