【導(dǎo)讀】SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。
1.器件結(jié)構(gòu)和特征
SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。
因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。
有利于電源的高效率化，并且通過(guò)高頻驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)電感等無(wú)源器件的小型化，而且可以降噪。廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動(dòng)汽車的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。
2. SiC-SBD的正向特性
SiC-SBD的開(kāi)啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。
開(kāi)啟電壓由肖特基勢(shì)壘的勢(shì)壘高度決定，通常如果將勢(shì)壘高度設(shè)計(jì)得低，開(kāi)啟電壓也可以做得低一些，但是這也將導(dǎo)致反向偏壓時(shí)的漏電流增大。
ROHM的第二代SBD通過(guò)改進(jìn)制造工藝，成功地使漏電流和恢復(fù)性能保持與舊產(chǎn)品相等，而開(kāi)啟電壓降低了約0.15V。
SiC-SBD的溫度依存性與Si-FRD不同，溫度越高，它的導(dǎo)通阻抗就會(huì)增加，從而VF值也增加。
不易發(fā)生熱失控，所以可以放心地并聯(lián)使用。
3. SiC-SBD的恢復(fù)特性
Si的快速PN結(jié)二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管）在從正向切換到反向的瞬間會(huì)產(chǎn)生極大的瞬態(tài)電流，在此期間轉(zhuǎn)移為反向偏壓狀態(tài)，從而產(chǎn)生很大的損耗。
這是因?yàn)檎蛲姇r(shí)積聚在漂移層內(nèi)的少數(shù)載流子不斷地進(jìn)行電傳導(dǎo)直到消亡（該時(shí)間也稱為積聚時(shí)間）。
正向電流越大，或者溫度越高，恢復(fù)時(shí)間和恢復(fù)電流就越大，從而損耗也越大。
與此相反，SiC-SBD是不使用少數(shù)載流子進(jìn)行電傳導(dǎo)的多數(shù)載流子器件（單極性器件），因此原理上不會(huì)發(fā)生少數(shù)載流子積聚的現(xiàn)象。由于只產(chǎn)生使結(jié)電容放電程度的小電流，所以與Si-FRD相比，能夠明顯地減少損耗。
而且，該瞬態(tài)電流基本上不隨溫度和正向電流而變化，所以不管何種環(huán)境下，都能夠穩(wěn)定地實(shí)現(xiàn)快速恢復(fù)。
另外，還可以降低由恢復(fù)電流引起的噪音，達(dá)到降噪的效果。
免責(zé)聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問(wèn)題，請(qǐng)電話或者郵箱聯(lián)系小編進(jìn)行侵刪。
