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【測試案例分享】 如何評估熱載流子引導的MOSFET衰退

發(fā)布時間:2024-09-22 來源:泰克科技 責任編輯:lina

【導讀】著MOSFET柵極長度的減小,熱載流子誘發(fā)的退化已成為重要的可靠性問題之一。在熱載流子效應中,載流子被通道電場加速并被困在氧化物中。這些被捕獲的電荷會引起測量器件參數(shù)的時間相關位移,例如閾值電壓 (VTH)、跨導 (GM)以及線性 (IDLIN) 和飽和 (IDSAT) 漏極電流。隨著時間的推移,可能會發(fā)生實質性的器件參數(shù)退化,從而導致器件失效。


隨著MOSFET柵極長度的減小,熱載流子誘發(fā)的退化已成為重要的可靠性問題之一。在熱載流子效應中,載流子被通道電場加速并被困在氧化物中。這些被捕獲的電荷會引起測量器件參數(shù)的時間相關位移,例如閾值電壓 (VTH)、跨導 (GM)以及線性 (IDLIN) 和飽和 (IDSAT) 漏極電流。隨著時間的推移,可能會發(fā)生實質性的器件參數(shù)退化,從而導致器件失效。用于測量HCI的儀器必須提供以下三個關鍵功能:


  • 自動提取設備參數(shù)

  • 創(chuàng)建具有各種應力時間的應力測量序列

  • 輕松導出測量數(shù)據(jù)進行高級分析


本文說明描述了如何在Keithley 4200-SCS(半導體表征系統(tǒng))中使用這些關鍵功能來執(zhí)行熱載流子退化測試。


【測試案例分享】 如何評估熱載流子引導的MOSFET衰退

圖1. 漏極雪崩熱載體效應


MOSFET熱載流子效應及器件性能監(jiān)測


今天的超大規(guī)模集成電路MOSFET器件具有極短的通道長度和高電場。在這些高電場中,載流子被加速到高速,在器件漏極附近達到最大動能(熱)。如果載流子能量足夠高,就會發(fā)生撞擊電離(漏極雪崩熱載流子效應),產(chǎn)生電子-空穴對(圖1)。這些空穴和電子可以獲得足夠的能量來超越Si-SiO2勢壘并被困在柵極氧化物中。被捕獲的電荷導致器件退化和襯底電流(ISUB)增強。


載流子器件測試時間通常非常長,因此第一步是確定一組優(yōu)化的應力條件。然后,選擇一種新的器件,并確定 VTH 、GM 、i、iDLIN等初始器件參數(shù)。然后在指定的應力區(qū)間內施加優(yōu)化后的應力。在每個應力區(qū)間之后,再次進行參數(shù)測量并確定退化情況。此測試應力循環(huán)繼續(xù)進行,直到滿足目標退化或測試時間標準。熱載流子壽命由退化與應力時間數(shù)據(jù)確定。


使用Keithley 4200測試熱載波壽命


在熱載流子測試開始之前,必須建立漏極和柵極應力偏置電壓。以確保通道熱的真實性載波條件下,推薦的最大漏極應力偏置電壓小于器件漏源擊穿電壓的90%。


在給定漏極應力偏置電壓下,柵極應力偏置 (VGstress)的選擇應使熱載流子衰退最大化。對于NMOS器件,這通常發(fā)生在使襯底或體電流(ISUB)最大化的柵極偏置 (VGATE) 處。圖2代表了典型的 4200-SCS ISUB vs. VGATE數(shù)據(jù)。在這種情況下,最優(yōu)的VGstress是1.821V。


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圖2. 定義VGstress的典型4200-SCS  ISUB數(shù)據(jù)


熱載流子監(jiān)測參數(shù)包括 VTH 、GM 、IDLIN和飽和IDSAT。這些參數(shù)在應力前初步確定,并在每次累積應力時重新確定。IDLIN是器件偏置在線性區(qū)域時測量到的漏極電流,而 IDSAT是器件偏置在飽和區(qū)域時測量到的漏極電流。VTH and GM可以用恒流法或外推法確定。在外推法中,由 VTH的最大斜率確定 IDS Vs. VGS曲線。


4200-SCS的公式編輯器大大簡化了這些參數(shù)的提取。其內置的函數(shù)包括 : 用于獲取 GM的微分函數(shù),用于獲取最大GM的MAX函數(shù)(gnext),以及用于提取 VTH的最小二乘線擬合函數(shù)(Vtext)。圖3展示了 Formulator 的自動數(shù)據(jù)分析能力。


測量完器件參數(shù)后,在漏極和柵極應力偏置條件下對器件施加規(guī)定時間的應力。累積應力時間通常是對數(shù)的,例如10、30、100、300、1000等。在每個累積應力時間,再次測量并記錄器件參數(shù)。


【測試案例分享】 如何評估熱載流子引導的MOSFET衰退

圖3. 典型的4200-SCS VTH 和GM 測量結果


4200-SCS的內置測試測序器和交互式測試模塊 (ITM)功能大大簡化了熱載波測試程序的實施。圖5描繪了“項目導航器”窗口中的熱載壓力測試序列和熱載壓力測試模塊(hcistres10)定義標簽頁。項目導航窗口顯示了測試序列,該序列首先對idlin、idsat和 vtlin(Thevtlin模塊提取參數(shù)(Vtext和gnext)。hcistres10測試在指定的漏極和柵極應力電壓下施加 10 秒應力。應力完成后,再次測量器件參數(shù)。此應力測量序列持續(xù)進行,直到超過規(guī)定的最大應力時間。


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圖4. 熱載體項目測試序列和hcistress10測試


hcistres10測試定義選項卡用于指定應力電壓和應力時間。在本例中,柵極和漏極應力條件分別指定為2.2V和5.5V。在時序對話框(未顯示)中指定應力時間,使用時序命令按鈕激活(見圖4)。在時序對話框中,hcistreses10測試被設置為采樣模式,間隔為1秒,采樣次數(shù)為10次。這將提供一個10秒的應力,要獲得更長的應力時間,只需增加樣本數(shù)量或采樣間隔。


當繪制在對數(shù) - 對數(shù)圖上時,n通道熱載流子退化與時間數(shù)據(jù)通常表現(xiàn)為線性行為。最小二乘擬合回歸分析用于內插或外推熱載流子時間到目標壽命。待測器件的壽命(lifetime)被定義為特征參數(shù)退化量10%,或者VTH相較于初始化狀態(tài)變化50mv。


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圖5. 在 Microsoft Excel中分析的4200-SCS熱載流子線性漏極電流退化數(shù)據(jù)


結論


4200-SCS大大簡化了熱載流子誘導衰退測定。內置的4200-SCS軟件工具,如Project Navigator, Formulator,以及完全兼容的Excel數(shù)據(jù)格式,提供了靈活、快速、易于使用的測試環(huán)境。此外,4200-SCS將這些工具與先進的源測量單元技術,為具有挑戰(zhàn)性的設備可靠性和特性要求創(chuàng)造理想的測試環(huán)境。


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