±0.05 ppm/°C 和 ±0.2 ppm/°C 的超低絕對(duì)TCR- 最高可提供±0.01%的嚴(yán)格容差匹配及0.1 ppm/°C 的TCR
- 倒裝芯片接頭采用卷繞方式，可減少所需的電路板空間
- 可承受高達(dá) 25kV 的靜電放電
- 電阻范圍: 1 k? 至 10 k?
- 2000 個(gè)小時(shí)保持 ±0.005% 的負(fù)載壽命穩(wěn)定率
- 高精度儀器放大器、橋接網(wǎng)絡(luò)、差分放大器及電橋電路
- 醫(yī)療、測(cè)試及軍用設(shè)備等
VFCD1505 可在同時(shí)蝕刻在公共襯底上的一塊箔上的兩個(gè)電阻間提供 ±0.01%（可低至 ±0.005 %）的嚴(yán)格容差匹配及 0.1 ppm/°C 的 TCR 跟蹤。對(duì)設(shè)計(jì)人員而言，該一體化結(jié)構(gòu)的電氣特性可改進(jìn)性能,并實(shí)現(xiàn)比分離電阻和配對(duì)設(shè)計(jì)更高的構(gòu)建利用率。
VFCD1505 的倒裝芯片接頭采用卷繞方式，接頭片位于電阻下方而不是側(cè)面，因此可最大限度地減少所需的電路板空間。在由兩個(gè)電阻和三個(gè)接頭組成的分壓器中，倒裝芯片分壓器在電阻下方配置三個(gè)墊片，而不是在側(cè)面配置四個(gè)墊片。倒裝芯片早期的缺點(diǎn)被認(rèn)為是防礙檢查焊流，但這一缺點(diǎn)后來(lái)通過(guò)采用 X 光和其他更先進(jìn)的技術(shù)而得以克服。
VFCD1505 具有最強(qiáng)的靜電放電抗擾能力，可承受高達(dá) 25kV 的靜電放電，從而提高了產(chǎn)品的可靠性。在 1 k? 至 10 k? 的電阻范圍內(nèi)，分壓器兩面均可實(shí)現(xiàn)規(guī)定的電阻值。與所有 Vishay 箔電阻一樣，VFCD1505 不受標(biāo)準(zhǔn)值限制，可提供“所要求”的電阻值（如 7 kΩ 及 7.6543 kΩ），且不會(huì)增加成本或供貨時(shí)間。
該器件的應(yīng)用包括高精度儀器放大器、橋接網(wǎng)絡(luò)、差分放大器及電橋電路中的比例臂,以生產(chǎn)具有超高穩(wěn)定性和可靠性的產(chǎn)品，例如醫(yī)療、測(cè)試及軍用設(shè)備等?？筛鶕?jù) EEE-INST-002 標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行篩選 (MIL-PRF 55342)。
VFCD1505 可在溫度為 70°C 時(shí)，連續(xù) 2000 個(gè)小時(shí)保持 ±0.005% 的負(fù)載壽命穩(wěn)定率；0.1W 的額定功率（由兩個(gè)電阻按其電阻值比例分?jǐn)偅?；小?0.1PPM/V 的低電壓系數(shù)；小于 -40 dB的電流噪聲；及 0.05uV/°C 的熱 EMF。該器件具有 1.0 納秒的無(wú)振鈴快速響應(yīng)時(shí)間，并且采用無(wú)電感 (<0.08uH) 和無(wú)電容設(shè)計(jì)。
即使具有較低的 TCR 跟蹤，電阻比率也可能會(huì)根據(jù)絕對(duì) TCR 發(fā)生極大變化。為了確保良好的電阻比率穩(wěn)定性，設(shè)計(jì)人員應(yīng)利用絕對(duì) TCR 盡可能低的電阻，如 VFCD1505，該器件采用 Vishay 的突破性“Z 箔”技術(shù)制成，極大地降低了電阻元件對(duì)外加功率變化的敏感性。
在其他技術(shù)中，如薄膜與厚膜，即使電阻比率為 1:1，在相同功率負(fù)載條件下，電阻對(duì)之間仍有溫差。這是由于各電阻因設(shè)計(jì)及/或制造容差產(chǎn)生的自身散熱，及因封裝內(nèi)熱阻差異產(chǎn)生的傳熱不對(duì)稱(chēng)所致，即使外加功率極?。ń咏悖┮膊焕?。
目前，VFCD1505 分壓器可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，樣品供貨周期為 72 小時(shí)，而標(biāo)準(zhǔn)訂單的供貨周期為 3 周。
