- 電壓范圍為20 V-60 V
- 采用小型SMD封裝SOT23 和SOT457
- 超低VCEsat 分支的晶體管在1 A時實現(xiàn)50 mV的超低飽和電壓
- 高速開關(guān)晶體管使開關(guān)和存儲時間降低到125 ns
- 通信應用、計算應用和汽車應用
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產(chǎn)品。該產(chǎn)品家族分成兩種優(yōu)化的分支：超低VCEsat晶體管以及高速開關(guān)晶體管。其電壓范圍為20 V - 60 V，采用小型SMD封裝SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。
這些晶體管稱為突破性小信號(BISS)晶體管，正如其名，它們?yōu)闇p少打開導通電阻確立了新的基準，使開關(guān)時間減到絕對最小值。超低VCEsat 分支的晶體管在1 A時實現(xiàn)了50 mV的超低飽和電壓。4種新的高速開關(guān)晶體管使開關(guān)和存儲時間降低到125 ns。新型BISS-4產(chǎn)品表明，雙極晶體管技術(shù)為要求更高性能和降低開關(guān)損耗的應用提供了理想選擇。
恩智浦半導體小信號晶體管產(chǎn)品市場經(jīng)理Frank Thiele說，“通過推出采用杰出的低電阻基底技術(shù)的第四代BISS晶體管，恩智浦為采用小型SMD封裝的低VCEsat 晶體管確立了行業(yè)發(fā)展方向，為雙極晶體管技術(shù)打開了新的應用。”
新的BISS-4晶體管提供了高電路效率、低功率損耗，產(chǎn)生的熱量要小于相同封裝的標準晶體管。這些新產(chǎn)品的DC集電極電流為4.3 A (峰值 ICM 8 A)，采用小型SOT23封裝，其性能是采用SOT23的上一代低VCEsat 晶體管的兩倍。新的BISS-4晶體管是為大批量消費者應用、通信應用、計算應用和汽車應用中的負荷開關(guān)、開關(guān)式電源(SMPS)和電源管理功能設計的。
所有8種新型晶體管都滿足AEC-Q101標準，其封裝不含鹵化物和氧化銻，滿足UL 94V-0阻燃標準和RoHS標準。在2010年第一季度末即將推出的SMD封裝的其它類型SOT89、SOT223和SO-8，將擴大新的低VCEsat (BISS)晶體管系列。恩智浦半導體在10年前推出了BISS晶體管家族，目前是這些產(chǎn)品的領(lǐng)導供應商。
上市時間
恩智浦最新推出的低VCEsat 晶體管現(xiàn)可訂貨。恩智浦可以立即為設計提供樣品。
關(guān)于恩智浦半導體
恩智浦半導體以其領(lǐng)先的RF、模擬、電源、數(shù)字處理和制造方面的專長，提供高性能混合信號（HPMS）和標準產(chǎn)品解決方案。這些創(chuàng)新的產(chǎn)品和解決方案可廣泛應用于汽車、工業(yè)、消費、照明、醫(yī)療、計算和智能識別等領(lǐng)域。公司總部位于歐洲，在全球超過30個國家擁有29,000名員工，2008年公司營業(yè)額達到54億美元。
