產(chǎn)品特性：

• 將提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度
• 尺寸僅為8x8mm

應(yīng)用范圍：

• 功率MOSFET
   

功率半導(dǎo)體廠商意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項(xiàng)新技術(shù)將會(huì)提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。

在一個(gè)尺寸僅為8x8mm的無(wú)引腳封裝外殼內(nèi)，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-220大小的裸片，并提供一個(gè)裸露的金屬漏極焊盤(pán)，有效排除內(nèi)部產(chǎn)生的熱量。薄型封裝將使設(shè)計(jì)人員能夠設(shè)計(jì)更薄的電源外殼，為當(dāng)今市場(chǎng)提供緊湊時(shí)尚的新產(chǎn)品。客戶(hù)可從兩個(gè)公司獲得這款新的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品：意法半導(dǎo)體和英飛凌（Infineon Technologies）均將推出采用這個(gè)創(chuàng)新封裝的MOSFET晶體管，意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品名稱(chēng)是PowerFLAT™ 8x8 HV，英飛凌的產(chǎn)品名稱(chēng)是ThinPAK 8x8，從而為客戶(hù)提供高品質(zhì)雙貨源供貨。

新封裝的纖薄外形和優(yōu)異的散熱性能，結(jié)合意法半導(dǎo)體MDmesh V技術(shù)的無(wú)與倫比的超低單位裸片面積導(dǎo)通電阻RDS(ON) ，可大幅提高功率器件的功率密度和可靠性，節(jié)省印刷電路板空間。意法半導(dǎo)體將在現(xiàn)有的MDmesh V 產(chǎn)品陣容內(nèi)加入PowerFLAT 8x8 HV封裝的MOSFET，目前已發(fā)布該系列首款產(chǎn)品：650V STL21N65M5。

意法半導(dǎo)體功率晶體管產(chǎn)品部市場(chǎng)總監(jiān)Maurizio Giudice表示：“我們與英飛凌的合作卓有成效，已開(kāi)發(fā)出一項(xiàng)高性能封裝技術(shù)，我們的客戶(hù)可以獲得尖端的應(yīng)用設(shè)計(jì)和全球兩大功率半導(dǎo)體廠商支持的芯片封裝。這項(xiàng)具有突破性的封裝技術(shù)結(jié)合意法半導(dǎo)體獨(dú)有的業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的MDmesh V制程，我們的全新MOSFET將提供相同額定電壓產(chǎn)品中最高的功率密度和能效。”

STL21N65M5的主要特性：

• RDS(ON)：0.190?
• 最大額定輸出電流 （ID）：17A
• 結(jié)到外殼熱阻率（Rthj-c）：1.0 ºC/W

采用PowerFLAT 8x8 HV封裝的STL21N65M5現(xiàn)已提供樣片，量產(chǎn)定于2010年7月。

關(guān)于意法半導(dǎo)體的MDmesh™ V技術(shù)：

MDmesh V是意法半導(dǎo)體的新一代多漏極網(wǎng)格技術(shù)，該項(xiàng)技術(shù)可最大限度地降低導(dǎo)通損耗，同時(shí)不會(huì)對(duì)開(kāi)關(guān)性能產(chǎn)生很大的影響。采用這項(xiàng)技術(shù)的MOSFET能夠讓設(shè)計(jì)人員符合對(duì)電子產(chǎn)品能效有更高要求的環(huán)保設(shè)計(jì)法規(guī)，還能讓他們有機(jī)會(huì)在再生能源等新興產(chǎn)業(yè)中尋找市場(chǎng)機(jī)遇，因?yàn)樵谌虬l(fā)展新興產(chǎn)業(yè)的浪潮中，最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換損耗是降低每瓦成本的關(guān)鍵所在。

MDmesh V架構(gòu)改進(jìn)了晶體管的漏極結(jié)構(gòu)，可有效降低漏源電壓降，結(jié)果，裸片單位面積的導(dǎo)通電阻非常低，尺寸小的器件也能取得超低的通態(tài)損耗。事實(shí)上，在采用TO-220標(biāo)準(zhǔn)封裝的650V MOSFET產(chǎn)品中，MDmesh V取得了世界最低的 RDS(ON) 記錄。

MDmesh V 器件的柵電荷量(Qg)也很低，在高速開(kāi)關(guān)時(shí)能效優(yōu)異，RDS(ON) x Qg 性能因數(shù) (FOM)很小。新產(chǎn)品650V的擊穿電壓高于競(jìng)爭(zhēng)品牌的600V產(chǎn)品的擊穿電壓，為設(shè)計(jì)工程師提供了十分寶貴的安全裕量。這些器件的 Vdss額定擊穿電壓很高，具有出色的耐dV/dt斜率能力，并100%經(jīng)過(guò)雪崩測(cè)試。另一項(xiàng)優(yōu)勢(shì)是，整齊的關(guān)斷波形有助于簡(jiǎn)化柵極控制，降低對(duì)EMI濾波的要求。

現(xiàn)已上市的MDmesh V技術(shù)產(chǎn)品采用各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，包括TO-220、TO-220FP、I2PAK、TO-247和Max247。