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SiHG47N60S:Vishay推出新款N溝道功率MOSFET適用于電機(jī)控制電源

發(fā)布時(shí)間:2010-11-08 來源:電子產(chǎn)品世界

SiHG47N60S的產(chǎn)品特性:
  • 具有0.07Ω的超低最大導(dǎo)通電阻
  • 柵極電荷減小到216nC
  • 采用TO-247封裝
  • 符合RoHS指令2002/95/EC
SiHG47N60S的應(yīng)用范圍:
  • 太陽能電池、風(fēng)力發(fā)電機(jī)
  • 電機(jī)控制電源應(yīng)用

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET。 SiHG47N60S,該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的超低最大導(dǎo)通電阻,柵極電荷減小到216nC,采用TO-247封裝。

柵極電荷與導(dǎo)通電阻的乘積是用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM),SiHG47N60S的FOM為15.12Ω-nC,是業(yè)界此類器件當(dāng)中最低的。

SiHG47N60S的低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗,從而在太陽能電池和風(fēng)力發(fā)電機(jī)的逆變器、通信、服務(wù)器和電機(jī)控制電源應(yīng)用中的逆變器電路和脈寬調(diào)制(PWM)全橋拓?fù)渲泄?jié)約能源。

新的SiHG47N60S使用Vishay Super Junction技術(shù)制造,這種技術(shù)為減小通態(tài)電阻、在雪崩和通信模式中承受高能脈沖進(jìn)行了有針對性的處理。MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC,為保證可靠工作進(jìn)行了完備的雪崩測試。

新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十周到十二周。
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