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IR 推出可靠的超高速1200 V IGBT

發(fā)布時(shí)間:2011-09-14 來源:電子產(chǎn)品世界

產(chǎn)品特性:

  • 采用纖薄晶圓場截止溝道技術(shù)
  • 顯著降低開關(guān)及傳導(dǎo)損耗
  • 為電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供10微秒短路功能
  • 可內(nèi)置/不內(nèi)置一個(gè)超高速軟恢復(fù)二極管

應(yīng)用范圍:

  • 針對感應(yīng)加熱、不間斷電源(UPS)太陽能和焊接應(yīng)用


全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出針對感應(yīng)加熱、不間斷電源(UPS)太陽能和焊接應(yīng)用而設(shè)計(jì)的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。

全新超高速 1200V IGBT系列采用纖薄晶圓場截止溝道技術(shù),可顯著降低開關(guān)及傳導(dǎo)損耗,從而在較高頻率下提升功率密度和效率。這些器件不僅為無需短路功能的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,如不間斷電源、太陽能逆變器、焊接等應(yīng)用,而且為電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供10微秒短路功能,與其它IR產(chǎn)品相輔相成。

IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IR全新超高速1200V溝道IGBT系列具備多種性能優(yōu)勢,有助于提升系統(tǒng)的效率;同時(shí)通過降低開關(guān)的損耗及提高開關(guān)頻率,減少散熱器的尺寸與磁元件的數(shù)量,從而降低整體系統(tǒng)的成本。”

新系列包括電流介于 20A 和50A 之間的封裝器件,以及高達(dá) 150A 電流的裸片產(chǎn)品。其主要優(yōu)勢包括寬方形反向偏壓安全操作區(qū)(RBSOA)、正VCE(on)溫度系數(shù),以及用來降低功率耗散和提升功率密度的低VCE(on)。此外,新器件還可內(nèi)置/不內(nèi)置一個(gè)超高速軟恢復(fù)二極管。裸片更配備焊前金屬(SFM),以提高熱性能、可靠性及效率。

產(chǎn)品規(guī)格

器件編號 封裝  I(nom)  Vceon Rth(j-c)

IRG7PH35U

IRG7PH35UD

TO247

TO247 - Copack

20 1.9  0.70 oC/W

IRG7PH42U

IRG7PH42UD

TO247

TO247 - Copack

30 1.7 0.39 oC/W

IRG7PH46U

IRG7PH46UD

TO247

TO247 - Copack

40 1.7 0.32 oC/W

IRG7PH50U

IRG7PSH50UD

TO247

Sup.TO247 - Copack

50 1.7 0.27 oC/W
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