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Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET榮獲“中國優(yōu)秀電子產(chǎn)品”獎(jiǎng)

發(fā)布時(shí)間:2011-12-22

新聞事件:

  • Vishay功率MOSFET榮獲《電子技術(shù)應(yīng)用》雜志“中國優(yōu)秀電子產(chǎn)品”獎(jiǎng)

事件影響:

  • 功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻
  • 低FOM減少開關(guān)應(yīng)用中的損耗
  • 器件的高效率使設(shè)計(jì)者提高系統(tǒng)的功率密度


日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其Vishay Siliconix SiR662DP TrenchFET? 榮獲專業(yè)媒體《電子技術(shù)應(yīng)用》(AET)的“中國優(yōu)秀電子產(chǎn)品”獎(jiǎng)。

在采用SO-8或PowerPAK? SO-8封裝的60V器件中,SiR662DP 60V N溝道功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻,以及60V器件中最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積優(yōu)值系數(shù)(FOM)。對于設(shè)計(jì)者,更低的MOSFET導(dǎo)通電阻使得傳導(dǎo)損耗更低,可減少功耗,尤其是在重負(fù)載條件下。低FOM減少了高頻和開關(guān)應(yīng)用中的開關(guān)損耗,特別是在輕負(fù)載和待機(jī)模式下。器件的高效率使設(shè)計(jì)者能夠提高系統(tǒng)的功率密度,或同時(shí)在更綠色的設(shè)計(jì)方案中實(shí)現(xiàn)更低的能源損耗。

在兩個(gè)月的時(shí)間內(nèi),用戶通過在www.ChinaAET.com投票的方式選出了中國優(yōu)秀電子產(chǎn)品獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)?wù)摺?18款提名產(chǎn)品中有31款獲獎(jiǎng),SiR662DP榮獲分立元器件類的獎(jiǎng)項(xiàng)。
 

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