你的位置:首頁(yè) > 測(cè)試測(cè)量 > 正文

TDK的熱輔助記錄實(shí)現(xiàn)每平方英寸1.5Tbit

發(fā)布時(shí)間:2012-10-24 責(zé)任編輯:easonxu

【導(dǎo)讀】TDK公開了能夠提高硬盤記錄密度的新型磁頭的開發(fā)成果。通過(guò)使用采用近場(chǎng)光的熱輔助記錄方式的磁頭技術(shù),實(shí)現(xiàn)了1.5Tbit/inch2的面記錄密度,誤碼率為10-2。


TDK以前曾利用該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了1Tbit/inch2的面記錄密度、10-2的BER,此次數(shù)值超過(guò)了上次,達(dá)到了“業(yè)內(nèi)最高”(TDK)。TDK表示,“希望能在2014年內(nèi)將該成果轉(zhuǎn)化為量產(chǎn)產(chǎn)品”。

據(jù)TDK介紹,1.5Tbit/(英寸)2的面記錄密度相當(dāng)于現(xiàn)行量產(chǎn)產(chǎn)品的約2倍。換算成2.5英寸硬盤的話,相當(dāng)于每張碟片1TB,換算為3.5英寸硬盤的話則為2TB。

此次的測(cè)試環(huán)境跟上次(1Tbit/inch2)基本相同,采用自旋支架進(jìn)行了評(píng)測(cè)。“與上次不同的只有磁頭和硬盤介質(zhì)”(TDK)。最終,確認(rèn)了在線記錄密度為1350kBPI、磁道密度為1113kTPI的條件下,誤碼率為10-2。實(shí)現(xiàn)1Tbit/ inch2的記錄密度時(shí),線記錄密度為1100kBPI,磁道密度為為915kTPI。

TDK此次未公布技術(shù)詳情,只表示是通過(guò)改進(jìn)磁頭和硬盤介質(zhì)等實(shí)現(xiàn)的。介質(zhì)方面獲得了昭和電工的技術(shù)支持。

TDK在“CEATEC JAPAN 2012”上公布了此次驗(yàn)證成果,并在會(huì)場(chǎng)進(jìn)行了能夠體驗(yàn)近場(chǎng)光熱輔助記錄的演示 。

熱輔助記錄用磁頭
圖1:熱輔助記錄用磁頭

面記錄密度的發(fā)展
圖2:面記錄密度的發(fā)展

 

要采購(gòu)支架么,點(diǎn)這里了解一下價(jià)格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉