技術創(chuàng)新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體公司，推出兩款封裝式低噪聲放大器 (LNA) 增益模塊－TQP3M9035和TQP3M9038，可在50 MHz至4 GHz極寬帶寬范圍內提供經濟型的高性能。這兩款放大器產品具有極高線性度和極低噪聲的特點，非常適用于高性能GSM、WCDMA、CDMA和LTE基站應用。
   
除了在無線基礎設施中實現(xiàn)高性能之外，新的TQP3M9035和TQP3M9038還可用于從中繼器和塔式安裝放大器到通用電路等需要高線性度、寬帶低噪聲增益模塊的各種系統(tǒng)。
   
新的TQP3M9035具有+37 dBm高三階交調截取點 (OIP3) 和0.66 dB極低噪聲、16.5 dB增益和在1 dB增益壓縮（P1dB）射頻輸出功率為22.5 dB。典型使用包括接收器和發(fā)射增益模塊放大器、中頻增益模塊放大器和用于極小口徑終端 (VSAT) 的中頻放大器、以及點對點微波無線電中的第一、第二或第三低噪聲放大器。該器件還具有TDD-LTE系統(tǒng)要求的集成式數(shù)字關斷偏壓能力。TQP3M9038的OIP3為+39.5 dBm、噪聲系數(shù)為2 dB、14.9 dB的平坦增益響應（500 MHz - 3.5 GHz帶寬范圍上偏離只有+/-0.3 dB）和+21.6 dBm的P1dB射頻輸出功率。
   
TriQuint使用其高性能E-pHEMT工藝為這兩種新器件提供內部匹配。即使器件在極寬頻率范圍內工作，內部匹配可消除對許多典型外置優(yōu)化電路的需要。只需要一個外置射頻扼流圈以及隔離/旁路電容，操作在一個單一的+5 V電源供電 。TQP3M9035和TQP3M9038的功耗分別只有110  mA和85 mA。兩款器件均采用內置有源偏壓電路，以便在偏壓和溫度變化時也能穩(wěn)定運行。TQP3M9035采用2x2 mm DFN封裝，TQP3M9038采用3x3 mm QFN 封裝；二者都符合RoHS標準的要求。
   
技術細節(jié)：
   

新TQP3M9035和TQP3M9038目前在產。TQP3M9035可提供完全組裝的500 MHz - 4 GHz評估裝置。TQP3M9038的裝置包括中頻版本 (50 - 500 MHz) 和射頻版本 (500 MHz - 4 GHz)。