產(chǎn)品特性：

• 低正向壓降、更低漏電流、導電損耗低
• 顯著提高電路能效
• 開關(guān)性能在-40 ℃至+150 ℃范圍內(nèi)都很優(yōu)異

應用范圍：

• 筆記本適配器或平板顯示器的開關(guān)電源、反向電池保護電路及高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器

安森美半導體(On semi)推出新系列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)——NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG等系列，用于筆記本適配器或平板顯示器的開關(guān)電源、反向電池保護電路及高頻直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器等應用。

新的NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG系列器件采用溝槽拓撲結(jié)構(gòu)，提供優(yōu)異的低正向壓降及更低漏電流，因而導電損耗低及大幅提升的電路能效，幫助設計工程師符合高能效標準規(guī)范要求，不會增加復雜度，例如無須同步整流。

此LVFR系列利用溝槽金屬氧化物半導體(MOS)結(jié)構(gòu)，在正向偏置條件下提供更大的導電區(qū)，因而顯著降低正向壓降。在反向偏置條件下，此結(jié)構(gòu)產(chǎn)生“夾斷”(pinch-off)效應，從而降低漏電流。跟平面型肖特基整流器不同，安森美半導體的溝槽型LVFR的開關(guān)性能在-40 ℃至+150 ℃的整個工作結(jié)點溫度范圍內(nèi)都很優(yōu)異。

為了證明LVFR的優(yōu)勢，安森美半導體將其30 A、100 V LVFR (NTST30100SG)與標準的30 A、100 V平面型肖特基整流器進行比較。基于65 W電源適配器測試的數(shù)據(jù)顯示，使用LVFR比使用平面肖特基整流器的能效高1%。如此顯著的能效提升使電源設計人員能夠符合規(guī)范要求，同時不增加方案的復雜度及成本，例如無須同步整流。

安森美半導體功率分立分部高級總監(jiān)兼總經(jīng)理John Trice說：“我們的客戶力求其產(chǎn)品設計更高能效，面市已久的平面型肖特基整流器根本無法高性價比地提供溝槽型LVFR系列所具的性能及能效。LVFR在擴展溫度范圍內(nèi)提供優(yōu)異正向壓降及反向漏電流性能，超出我們客戶提升電源能效的嚴格規(guī)格。”