產品特點：

• 低Ron、低Qgd兼?zhèn)?，F(xiàn)OM數值可降低50％
• 實現(xiàn)更高的轉換效率和高頻下更低的電力損耗
• 采用小型封裝，有助于更加節(jié)省空間

羅姆面向服務器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉換器，開發(fā)出了功率MOSFET。新系列的產品陣容為耐壓30V的共16種產品。羅姆獨家的高效特性，有助于各種設備的DC/DC電源電路實現(xiàn)更低功耗。另外，根據不同用途提供3種小型封裝，可減少安裝面積，更加節(jié)省空間。

關于生產基地，前期工序在羅姆的總部（日本京都市），后期工序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰國），從2012年4月開始出售樣品（樣品價格30～50日元/個），從5月份開始以月產100萬個的規(guī)模進行量產。

近年來，隨著服務器和筆記本電腦等的高性能化發(fā)展，CPU等的功耗不斷增加，工作電壓越發(fā)低電壓化，設備的電源電路的溫升和電池驅動時間減少已成為很大問題。在這種情況下，在同期整流方式降壓型DC/DC轉換器等各種電源電路中內置功率MOSFET，使之承擔與提高電源的電力轉換效率直接相關的重要作用。為了實現(xiàn)高效低損耗的功率MOSFET，降低導通電阻和柵極容量是非常重要的，然而權衡兩者的關系后，往往很難同時兼顧。

新系列產品，除了進一步微細化，采用羅姆獨家的低容量構造和新的“溝槽式場板結構”，同時實現(xiàn)了低柵極容量與低導通電阻。作為DC/DC轉換器用功率MOSFET的性能指數所使用的“FOM”與傳統(tǒng)產品相比降低了50％，達到了業(yè)界頂級的高效性。由此，不僅降低了同期整流型DC/DC電源電路的高邊（High Side）的開關損耗，而且降低了低邊（Low Side）的導通損耗，可大大提高電路整體的效率。另外，能夠在高頻下進行同期整流動作，使外圍部件的小型化成為可能。

此外，本產品為了確保在同期整流電路中的性能，針對Rg（柵極電阻）、UIS（L負載雪崩耐量）實施了100%試驗，在質量方面也具有高可靠性。羅姆今后也將充分發(fā)揮獨創(chuàng)的先進工藝加工技術，不斷推進設想到客戶需求的晶體管產品的開發(fā)。

產品特點：
1）低Ron、低Qgd
進一步微細化，同時，采用羅姆獨家的低容量構造和新的“溝槽式場板結構”，實現(xiàn)了低Ron、低Qgd兼?zhèn)涞脑?。與羅姆傳統(tǒng)產品相比，表示功率MOSFET的性能指數的“FOM”數值可降低50％。

2）實現(xiàn)業(yè)界頂級的高效率
在同期整流型DC/DC電源電路中采用此次的功率MOSFET，可大大降低電力損耗，因此有助于設備的更低功耗。特別是高頻下的特性卓越，使外圍部件的小型化成為可能。

3）采用小型封裝，有助于更加節(jié)省空間，產品陣容中還包括復合封裝
根據不同用途，提供3種小型封裝。HSMT8比HSOP8的安裝面積減少了65%，為節(jié)省空間做出巨大貢獻。而且，產品陣容中還包括DC/DC電源電路中的高邊（High Side）用MOSFET與低邊（Low Side）用MOSFET復合化的新封裝HSOP8(Dual)。不僅安裝面積減小，而且還可有助于減少安裝次數。