【導(dǎo)讀】國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出DirectFETplus 功率MOSFET 系列，采用了IR 的新一代硅技術(shù)，可為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用提供最佳效率，這些應(yīng)用包括新一代服務(wù)器、臺(tái)式電腦和筆記本電腦。

 

圖1 功率MOSFET

IRF6811 和IRF6894 是新系列DirectFETplus 的首批器件，比上一代器件減少了導(dǎo)通電阻 (RDS (on) ) 和柵極電荷 (Qg) ，使其效率大幅提高2%。此外，這些器件具有超低柵極電阻 (Rg) ，通過把DC-DC 轉(zhuǎn)換器的開關(guān)損耗降至最低來進(jìn)一步提高效率。

 

IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“新款I(lǐng)RF6811 和IRF6894 芯片組利用IR 的 DirectFET 封裝技術(shù)，并采用IR 的新一代硅技術(shù)來優(yōu)化關(guān)鍵的 MOSFET 參數(shù)，為下一代計(jì)算需求提供性能卓越、可靠性高及占位空間小的最佳解決方案。”

 

圖2 產(chǎn)品規(guī)格表
 

IRF6811 控制MOSFET 及IRF6894 同步MOSFET 分別以小罐及中罐供貨。25V DirectFETplus 組件結(jié)合了業(yè)界領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻和柵極電荷以及低電荷，將傳導(dǎo)和開關(guān)損耗降到最低。IRF6894 還設(shè)有集成式單片肖特基二極管，可降低由體二極管傳導(dǎo)和反向恢復(fù)導(dǎo)致的損耗。新型DirectFETplus MOSFET 與上一代器件的占位面積兼容。新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，所采用的環(huán)保材料既不含鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。