線性穩(wěn)壓器的基本概念

線性穩(wěn)壓器(Linear Regulator)使用在其線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或FET,從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓，產(chǎn)生經(jīng)過(guò)調(diào)節(jié)的輸出電壓。其產(chǎn)品均采用小型封裝，具有出色的性能，并且提供熱過(guò)載保護(hù)、安全限流等增值特性，關(guān)斷模式還能大幅降低功耗。

線性穩(wěn)壓器的工作原理

我們從一個(gè)簡(jiǎn)單的例子開(kāi)始。在嵌入式系統(tǒng)中，可從前端電源提供一個(gè)12V總線電壓軌。在系統(tǒng)板上，需要一個(gè)3.3V電壓為一個(gè)運(yùn)算放大器(運(yùn)放)供電。產(chǎn)生3.3V電壓最簡(jiǎn)單的方法是使用一個(gè)從12V總線引出的電阻分壓器，如圖1所示。這種做法效果好嗎?回答常常是“否”。在不同的工作條件下，運(yùn)放的VCC引腳電流可能會(huì)發(fā)生變化。假如采用一個(gè)固定的電阻分壓器，則IC VCC電壓將隨負(fù)載而改變。此外，12V總線輸入還有可能未得到良好的調(diào)節(jié)。在同一個(gè)系統(tǒng)中，也許有很多其他的負(fù)載共享12V電壓軌。由于總線阻抗的原因，12V總線電壓會(huì)隨著總線負(fù)載情況的變化而改變。因此，電阻分壓器不能為運(yùn)放提供一個(gè)用于確保其正確操作的3.3V穩(wěn)定電壓。于是，需要一個(gè)專用的電壓調(diào)節(jié)環(huán)路。如圖2所示，反饋環(huán)路必需調(diào)整頂端電阻器R1的阻值以動(dòng)態(tài)地調(diào)節(jié)VCC上的3.3V。

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此類可變電阻器可利用一個(gè)線性穩(wěn)壓器來(lái)實(shí)現(xiàn)，如圖3所示。線性穩(wěn)壓器使一個(gè)雙極性或場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管(FET)在其線性模式中運(yùn)作。這樣，晶體管起的作用就是一個(gè)與輸出負(fù)載相串聯(lián)的可變電阻器。從概念上說(shuō)，如需構(gòu)建反饋環(huán)路，可由一個(gè)誤差放大器利用一個(gè)采樣電阻器網(wǎng)絡(luò)(RA和RB)來(lái)檢測(cè)DC輸出電壓，然后將反饋電壓VFB與一個(gè)基準(zhǔn)電壓VREF進(jìn)行比較。誤差放大器輸出電壓通過(guò)一個(gè)電流放大器驅(qū)動(dòng)串聯(lián)功率晶體管的基極。當(dāng)輸入VBUS電壓下降或負(fù)載電流增大時(shí)，VCC輸出電壓下降。反饋電壓VFB也將下降。因此，反饋誤差放大器和電流放大器產(chǎn)生更多的電流并輸入晶體管Q1的基極。這將減小電壓降VCE,因而使VCC輸出電壓恢復(fù)，這樣一來(lái)VFB=VREF。另一方面，如果VCC輸出電壓上升，則負(fù)反饋電路采取相似的方式增加VCE以確保3.3V輸出的準(zhǔn)確調(diào)節(jié)?？傊?，VO的任何變化都被線性穩(wěn)壓器晶體管的VCE電壓所消減。所以，輸出電壓VCC始終恒定并處于良好調(diào)節(jié)狀態(tài)。

線性穩(wěn)壓器的特點(diǎn)

所謂的抗短路能力要求，是指在相關(guān)材料的短路條件下，穩(wěn)壓器不損壞。穩(wěn)壓器的抗短路能力包括承受短路的耐熱能力和承受短路的動(dòng)穩(wěn)定能力兩個(gè)方面。

壓差和接地電流值定了后就可確定穩(wěn)壓器適用的設(shè)備類型。五大主流線性穩(wěn)壓器每個(gè)都具有不同的旁路元件(pass element)和獨(dú)特性能，電壓差和接地電流值主要由線性穩(wěn)壓器的旁路元件(passelement確定。分別適合不同的設(shè)備使用。

即使沒(méi)有輸出電容也相當(dāng)穩(wěn)定，它比較適合電壓差較高的設(shè)備使用，規(guī)范NPN穩(wěn)壓器的優(yōu)點(diǎn)是具有約等于PNP晶體管基極電流的穩(wěn)定接地電流。但較高的壓差使得這種穩(wěn)壓器不適合許多嵌入式設(shè)備使用。

NPN旁路晶體管穩(wěn)壓器是一種不錯(cuò)的選擇，對(duì)于嵌入式應(yīng)用而言，因?yàn)樗鼔翰钚。菀资褂?。不過(guò)這種穩(wěn)壓器仍不適合具有很低壓差要求的電池供電設(shè)備使用，因?yàn)樗鼔翰畈粔虻?。高增益NPN旁路管可使接地電流穩(wěn)定在幾個(gè)毫安，而且它公共發(fā)射極結(jié)構(gòu)具有很低的輸出阻抗。

其中的旁路元件就是PNP晶體管。輸入輸出壓差一般在0.3~0.7V之間。因?yàn)閴翰畹?，PNP旁路晶體管是一種低壓差穩(wěn)壓器。因此這種PNP旁路晶體管穩(wěn)壓器非常適合電池供電的嵌入式設(shè)備使用。不過(guò)它大接地電流會(huì)縮短電池的壽另外，PNP晶體管增益較低，會(huì)形成數(shù)毫安的不穩(wěn)定接地電流。因?yàn)椴捎霉舶l(fā)射極結(jié)構(gòu)，因此它輸出阻抗比較高，這意味著需要外接特定范圍容量和等效串聯(lián)電阻(ESR電容才干夠穩(wěn)定工作。

線性穩(wěn)壓器的優(yōu)劣勢(shì)分析

線性穩(wěn)壓器使用在其線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或FET,從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓，產(chǎn)生經(jīng)過(guò)調(diào)節(jié)的輸出電壓。其產(chǎn)品均采用小型封裝，具有出色的性能，并且提供熱過(guò)載保護(hù)、安全限流等增值特性，關(guān)斷模式還能大幅降低功耗。

長(zhǎng)期以來(lái)，線性穩(wěn)壓器一直得到業(yè)界的廣泛采用。在開(kāi)關(guān)模式電源于上世紀(jì)60年代后成為主流之前，線性穩(wěn)壓器曾經(jīng)是電源行業(yè)的基礎(chǔ)。即使在今天，線性穩(wěn)壓器仍然在眾多的應(yīng)用中廣為使用。

1.線性穩(wěn)壓器的優(yōu)勢(shì)分析

除了簡(jiǎn)單易用之外，線性穩(wěn)壓器還擁有其他的性能優(yōu)勢(shì)。電源管理供應(yīng)商開(kāi)發(fā)了許多集成型線性穩(wěn)壓器。典型的集成線性穩(wěn)壓器只需要VIN、VOUT、FB和任選的GND引腳。圖4示出了一款典型的3引腳線性穩(wěn)壓器LT1083,它是凌力爾特公司在20多年前開(kāi)發(fā)的。該器件僅需一個(gè)輸入電容器、輸出電容器和兩個(gè)反饋電阻器以設(shè)定輸出電壓。幾乎所有的電氣工程師都可以運(yùn)用這些簡(jiǎn)單的線性穩(wěn)壓器來(lái)設(shè)計(jì)電源。

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2. 線性穩(wěn)壓器的缺點(diǎn)分析

線性穩(wěn)壓器會(huì)消耗大量的功率。采用線性穩(wěn)壓器的一個(gè)主要缺點(diǎn)是其運(yùn)行于線性模式之串聯(lián)晶體管Q1會(huì)有過(guò)大功率耗散。如前文所述，線性穩(wěn)壓器從概念上講是一個(gè)可變電阻器。由于所有的負(fù)載電流都必須經(jīng)過(guò)串聯(lián)電阻器，故其功率耗散為PLOSS=(VIN-VO)IO。在該場(chǎng)合中，線性穩(wěn)壓器的效率可由下式快速估算：

于是在圖1所示的例子中，當(dāng)輸入為12V且輸出為3.3V時(shí)，線性穩(wěn)壓器的效率僅為27.5%。在此場(chǎng)合中，82.5%的輸入功率完全浪費(fèi)掉了，并在穩(wěn)壓器中產(chǎn)生了熱量。這意味著晶體管必須具備在最壞情況下(最大VIN和滿負(fù)載)處理其功率/熱耗散的熱能力。因此，線性穩(wěn)壓器及其散熱器的尺寸可能很大，特別是在VO遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于VIN的時(shí)候。如圖5所示，線性穩(wěn)壓器的最大效率與VO/VIN之比成比例。

另一方面，線性穩(wěn)壓器可以在VO接近VIN的情況下具有非常高的效率，然而，線性穩(wěn)壓器(LR)存在另一個(gè)局限性，即VIN和VO之間的最小電壓差。LR中的晶體管必須在其線性模式中運(yùn)作。于是，其在雙極型晶體管的集電極至發(fā)射極兩端或FET的漏極至源極兩端需要一個(gè)確定的最小電壓降。當(dāng)VO過(guò)于接近VIN時(shí)，LR也許不再能夠調(diào)節(jié)輸出電壓。那些能夠在低裕量(VIN-VO)條件下工作的線性穩(wěn)壓器被稱為低壓差穩(wěn)壓器(LDO)。

另外，還有一個(gè)明顯之處就是線性穩(wěn)壓器或LDO只能提供降壓DC/DC轉(zhuǎn)換。在那些要求VO電壓高于VIN電壓，或者需要從一個(gè)正VIN電壓產(chǎn)生負(fù)VO電壓的應(yīng)用中，線性穩(wěn)壓器顯然是不起作用。

線性穩(wěn)壓器的應(yīng)用

線性穩(wěn)壓器的主要應(yīng)用體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：

1. 簡(jiǎn)單/低成本的解決方案。線性穩(wěn)壓器和LDO簡(jiǎn)單易用，特別適合于那些具有低輸出電流、熱應(yīng)力不很關(guān)鍵的低功率應(yīng)用。無(wú)需外部功率電感器。
2. 低噪聲/低紋波應(yīng)用。對(duì)于那些對(duì)噪聲敏感的應(yīng)用(例如：通信和無(wú)線電設(shè)備)而言，最大限度地抑制電源噪聲是非常關(guān)鍵的。線性穩(wěn)壓器具有非常低的輸出電壓紋波(因?yàn)闆](méi)有頻繁接通和關(guān)斷的組件)，而且線性穩(wěn)壓器還可以擁有非常高的帶寬。所以，幾乎不存在EMI問(wèn)題。有些特殊的LDO(比如：凌力爾特的LT1761 LDO系列)在輸出端的噪聲電壓低至20μVRMS。這么低的噪聲水平SMPS幾乎是不可能實(shí)現(xiàn)的。即使采用ESR非常低的電容器，SMPS的輸出紋波往往也將達(dá)到mV級(jí)。
3. 快速瞬態(tài)應(yīng)用。線性穩(wěn)壓器反饋環(huán)路一般都是內(nèi)置的，因此無(wú)需外部補(bǔ)償。相比于SMPS,線性穩(wěn)壓器通常具有較寬的控制環(huán)路帶寬和較快的瞬態(tài)響應(yīng)。
4. 低壓差應(yīng)用。對(duì)于那些輸出電壓接近輸入電壓的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，LDO可能比SMPS更有效。有非常低壓差LDO(VLDO)，例如：凌力爾特的LTC1844、LT3020和LTC3025,這些器件
可提供20mV至90mV的壓差電壓和高達(dá)150mA的電流。最小輸入電壓可低至0.9V。由于LR中沒(méi)有AC開(kāi)關(guān)損耗，因此LR或LDO的輕負(fù)載效率與其滿負(fù)載效率很相近。SMPS常常因其AC開(kāi)關(guān)損耗的緣故而具有較低的輕負(fù)載效率。在輕負(fù)載效率同樣十分關(guān)鍵的電池供電型應(yīng)用中，LDO可提供一種優(yōu)于SMPS的解決方案。

常用線性穩(wěn)壓器的技術(shù)分析

電壓差和接地電流值主要由線性穩(wěn)壓器的旁路元件(pass element)確定，電壓差和接地電流值定了后就可確定穩(wěn)壓器適用的設(shè)備類型。目前使用的五大主流線性穩(wěn)壓器每個(gè)都具有不同的旁路元件(pass element)和獨(dú)特性能，分別適合不同的設(shè)備使用。

標(biāo)準(zhǔn)NPN穩(wěn)壓器的優(yōu)點(diǎn)是具有約等于PNP晶體管基極電流的穩(wěn)定接地電流，即使沒(méi)有輸出電容也相當(dāng)穩(wěn)定。這種穩(wěn)壓器比較適合電壓差較高的設(shè)備使用，但較高的壓差使得這種穩(wěn)壓器不適合許多嵌入式設(shè)備使用。

對(duì)于嵌入式應(yīng)用而言，NPN旁路晶體管穩(wěn)壓器是一種不錯(cuò)的選擇，因?yàn)樗膲翰钚?，而且非常容易使用。不過(guò)這種穩(wěn)壓器仍不適合具有很低壓差要求的電池供電設(shè)備使用，因?yàn)樗膲翰畈粔虻汀Ｋ母咴鲆鍺PN旁路管可使接地電流穩(wěn)定在幾個(gè)毫安，而且它的公共發(fā)射極結(jié)構(gòu)具有很低的輸出阻抗。

PNP旁路晶體管是一種低壓差穩(wěn)壓器，其中的旁路元件就是PNP晶體管。它的輸入輸出壓差一般在0.3到0.7V之間。因?yàn)閴翰畹停虼诉@種PNP旁路晶體管穩(wěn)壓器非常適合電池供電的嵌入式設(shè)備使用。不過(guò)它的大接地電流會(huì)縮短電池的壽命。另外，PNP晶體管增益較低，會(huì)形成數(shù)毫安的不穩(wěn)定接地電流。由于采用公共發(fā)射極結(jié)構(gòu)，因此它的輸出阻抗比較高，這意味著需要外接特定范圍容量和等效串聯(lián)電阻(ESR)的電容才能夠穩(wěn)定工作。

由于P溝道FET穩(wěn)壓器具有較低的壓差和接地電流，因此被廣泛用于許多電池供電的設(shè)備。該類型穩(wěn)壓器將P溝道FET用作它的旁路元件。這種穩(wěn)壓器的電壓差可以很低，因?yàn)楹苋菀淄ㄟ^(guò)調(diào)整FET尺寸將漏-源阻抗調(diào)整到較低值。另一個(gè)有用的特性是低的接地電流，因?yàn)镻溝道FET的“柵極電流”很低。然而，由于P溝道FET具有相對(duì)大的柵極電容，因此它需要外接具有特定范圍容量與ESR的電容才能穩(wěn)定工作。

N溝道FET穩(wěn)壓器非常適合那些要求低壓差、低接地電流和高負(fù)載電流的設(shè)備使用。用于旁路管采用的是N溝道FET,因此這種穩(wěn)壓器的壓差和接地電流都很低。雖然它也需要外接電容才能穩(wěn)定工作，但電容值不用很大，ESR也不重要。N溝道FET穩(wěn)壓器需要充電泵來(lái)建立柵極偏置電壓，因此電路相對(duì)復(fù)雜一些。幸運(yùn)的是，相同負(fù)載電流下N溝道FET尺寸最多時(shí)可比P溝道FET小50%。

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