【導(dǎo)讀】眾所周知，與MOSFET相比，雙極性結(jié)式晶體管(BJT)在成本上有很大的優(yōu)勢(shì)。外部BJT的控制器比包含集成型MOSFET的控制器便宜。但是一般情況下，當(dāng)功率級(jí)提高到3W以上時(shí)，BJT中的開(kāi)關(guān)損失可能就會(huì)成為大問(wèn)題。所以打造低成本BJT開(kāi)關(guān)方案成為急需事情！
Power Integrations最新推出的LinkSwitch-4系列IC，支持安全地使用低成本的雙極結(jié)型晶體管(BJT)開(kāi)關(guān)，能夠提供比現(xiàn)有BJT或MOSFET開(kāi)關(guān)更高的效率。新的系列器件專(zhuān)門(mén)適用于要求滿(mǎn)足美國(guó)能源部(DoE)和歐盟行為準(zhǔn)則(CoC)嚴(yán)格的新效率標(biāo)準(zhǔn)的充電器和適配器，幫助工程師設(shè)計(jì)出能銷(xiāo)往美國(guó)及歐洲地區(qū)且具有更大競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品。
LinkSwitch-4系列恒壓/恒流初級(jí)側(cè)調(diào)節(jié)(PSR)開(kāi)關(guān)IC，采用高級(jí)自適應(yīng)基極（Base）-發(fā)射極（Emitter）開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)技術(shù)，該技術(shù)還可消除與BJT相關(guān)的次級(jí)擊穿，降低對(duì)電流增益變化的敏感度，從而允許使用成本極低的BJT。自適應(yīng)基極-發(fā)射極開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)技術(shù)不僅通過(guò)大幅優(yōu)化BJT開(kāi)關(guān)特性來(lái)提供設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中BJT晶體管的選擇靈活性，而且還可極大提高基于BJT的方案的可靠性。
LinkSwitch-4開(kāi)關(guān)IC采用高級(jí)自適應(yīng)基極-發(fā)射極開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)技術(shù)，得以提高效率
隨著美國(guó)DOE-6和歐洲COC V5能效標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施的逼近，滿(mǎn)足新標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)方案需求也日益迫切。DoE新標(biāo)準(zhǔn)DoE-6，是主要針對(duì)電池充電器與外部電源的節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)，它要求在充電器USB電纜末端進(jìn)行效率合規(guī)測(cè)量。而CoC V5著重對(duì)空載功耗、效率提出更高的要求。
LinkSwitch-4 IC集成了采用準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)策略的多模式PWM/PFM控制器，可提高效率并滿(mǎn)足<30 mW的空載功耗要求，同時(shí)仍能提供快速瞬態(tài)響應(yīng)。采用65 kHz的高工作頻率可減小變壓器的尺寸，將最低峰值電流固定可提高瞬態(tài)負(fù)載響應(yīng)速度。新器件可對(duì)眾多因素進(jìn)行補(bǔ)償，包括：變壓器電感公差、輸入電壓變化、電纜電壓降以及外圍元件溫度變化。采用獨(dú)有的調(diào)整技術(shù)可維持非常精確的IC參數(shù)公差。
LinkSwitch-4適用于要求滿(mǎn)足美國(guó)DoE-6和歐盟CoC的新效率標(biāo)準(zhǔn)的充電器和適配器，并能夠用于1.5A和2A大電流智能手機(jī)充電器。
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另外，除了智能手機(jī)，LinkSwitch-4 IC還適用于無(wú)繩電話(huà)、PDA、MP3和其他便攜式音頻設(shè)備的充電器及適配器等應(yīng)用，并提供SOT-23-6和SO-8兩種封裝。
采用LinkSwitch-4 IC的10W 2A充電器設(shè)計(jì)
