市場調研機構Omdia在《2020年SiC和GaN功率半導體報告》指出，全球SiC和GaN功率半導體的銷售收入，預計從2018年的5.71億美元增至2020年底的8.54億美元。預計未來十年，每年的市場收入以兩位數增長，到2029年將超過50億美元。其中，新能源汽車以及電源有望成為增量最大的兩個應用市場。

 

圖1：Omdia對于SiC和GaN功率半導體的全球市場收入預測

 

功率半導體三足鼎立，寬禁帶“接棒”硅、探索能效極限

談及功率領域，SiC、GaN對比硅材料的優(yōu)勢體現在導通電阻小、寄生參數小等天然特性，且更多國內外廠商加速入局，勢必進一步拉低第三代半導體的生產成本。因此，業(yè)界有一部分聲音認為，SiC和GaN將會很快全面替代硅材料，而事實上真是這樣嗎？

 

在日前舉辦的EEVIA 第九屆年度中國電子 ICT 媒體論壇暨 2021 產業(yè)和技術展望研討會上，英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部市場總監(jiān)程文濤在闡述功率半導體的發(fā)展趨勢時表示，“在功率轉換的研究中，硅基半導體的物理極限已經被探知，大概在0.4 [Ω mm2]左右徘徊，這是用于表征高壓半導體器件導通損耗的計量方式——Ron x A?？梢钥闯觯杌雽w在導通損耗上已經難以繼續(xù)下探，因此業(yè)界開始尋求第三代半導體來實現更低的導通損耗，從而進一步提高系統(tǒng)的轉換效率。”

 

圖2：程文濤闡述第三代半導體發(fā)展演進趨勢

 

圖3：英飛凌眼中的高壓半導體器件Ron x A路線圖

 

舉個例子，在服務器、通訊電源應用中，業(yè)界成熟的方案設計在交流電轉換到48V（即交流電轉換到服務器主板供電）的過程中實現98%的效率已經屬于“基本操作”。不過，硅基半導體方案必須使用元件較多、較復雜的拓撲結構；若想進一步提升效率、減少元件數量、降低BOM成本，目前業(yè)界比較熱門的做法是圖騰柱PFC拓撲結構，特別是基于第三代半導體的圖騰柱PFC，其使用元件較少、設計簡單，且效率最高。

 

“從這款用于服務器、通訊電源的3kW SMPS方案可以看出，基于第三代半導體的CCM圖騰柱是一種簡單的拓撲方案，且易于實現必須的99% PFC效率，進而使總體效率不低于98%。”程文濤補充道，“顯然，第三代半導體是在有限的提升空間上，再推動系統(tǒng)效率往前跨一步的關鍵因素。與此同時，由于第三代半導體的生產成本下降并非一蹴而就，這也就意味著Si、SiC和GaN將長期處于共存發(fā)展的態(tài)勢，而非簡單的‘第三代必須替換第一代’。“

 

圖4：程文濤解讀不同PFC解決方案的過程效率圖

 

大功率轉換應用升級潛力巨大，快充僅是“投石問路”

誠然，從性價比的角度來看，硅基功率半導體仍然是在非常寬的應用范圍之內的不二之選。不過，隨著“碳達峰、碳中和”概念的全球推行，業(yè)界開始轉向電力全產業(yè)鏈的能效提升，包括發(fā)電、輸電、儲能以及用電等各個環(huán)節(jié)，有望通過使用第三代半導體實現更低的碳排放。事實上，英飛凌是唯一一家在電力全產業(yè)鏈上提供能效解決方案的半導體公司。通過英飛凌的產品和解決方案，為社會帶來的CO2減排量達到5600萬噸/年。

 

據程文濤介紹，英飛凌對于不同的半導體材料有著清晰的應用定位。Si是各向同性的材料，從低功率到高功率都適用，是當下最主流的功率半導體材料。SiC適用于高功率、中高開關頻率的應用，如光電、風電、電動汽車、充電樁、儲能系統(tǒng)等。GaN則偏向于中功率、最高開關頻率的應用，如服務器、電信、適配器和充電器等。

 

圖5：英飛凌對于不同半導體材料的應用定位

 

活動現場上，英飛凌還展示了幾款面向上述行業(yè)應用的大功率電源評估板，如基于CoolSiCTM 的3.3kW CCM圖騰柱PFC評估板，其突破性地實現了99%的系統(tǒng)效率以及72W/in3的超高功率密度，可用于儲能系統(tǒng)的雙向充/放電設計；還有基于CoolGaNTM 的3.6kW LLC電路評估板，其功率密度達到160W/in3，LLC的諧振頻率達到350KHz，且在如此高工作頻率下效率仍超過98%，可用于5G通信電源的設計等。

 

圖6：基于CoolSiCTM 的3.3kW CCM圖騰柱PFC評估板

 

“相關數據表明，若美國的所有數據中心都使用英飛凌CoolGaN™ 產品，那么每年有望節(jié)省40億度電、減排CO2達到200萬噸。“程文濤補充道，”這是巨大的經濟價值和碳減排價值，但由于行業(yè)對于SiC、GaN的使用規(guī)模還是相對比較小、相關可靠性的驗證仍然不充分，因此業(yè)界對于替換升級還普遍持有謹慎的態(tài)度。“在這樣的背景下，由于GaN生產工藝相對成熟，基于GaN的快充技術在近兩年飛速發(fā)展，不僅為消費者帶來了體積更小、功率更高的充電器產品，另一方面也成為了業(yè)界驗證GaN失效模式、變化規(guī)律的“磨刀石“。

 

程文濤指出，”GaN制造工藝看似簡單、但掌握起來非常困難。例如我們可以采取過度設計的方式，將GaN器件的使用壽命定在50年。但是，一個終端產品使用50年是不現實的，因此我們必須充分了解GaN的瓶頸在哪，像晶體結構大概多久會壞、什么條件下會壞、壞了會影響多少性能等等，這樣才能在設計和制造上打造滿足市場需求的產品！快充應用是GaN的‘磨刀石’，它對可靠性、使用壽命等要求沒那么高，英飛凌也推出了專用于快充的CoolGaNTM IPS系列，幫助更好地驗證自身的GaN技術，再運用到更高功率、更高可靠性要求的行業(yè)應用上。“

 

價格穩(wěn)步下降，英飛凌布局電力全產業(yè)鏈搶占先機

 

目前，SiC和GaN在2021年的價格相似，但都明顯高于Si。由于規(guī)模經濟、缺陷密度和產量提高，以及向新一代的技術升級，第三代半導體的價格有望在未來幾年迅速下降，但從成本角度來看，短時間內并不會達到硅基半導體的水平。“值得注意的是，市面上也可能看到一些定價接近硅基半導體的第三代半導體器件，但并不意味著它的成本就接近硅基半導體，這是為了催生市場的商業(yè)行為。在可預見的將來，硅基半導體仍然會占據大部分市場。“程文濤指出。

 

圖7：第三代半導體的價格有望迅速降低

 

在英飛凌看來，第三代半導體器件的價值來自于性能提升和拓撲結構優(yōu)化，且隨著價格下降，某些設計的系統(tǒng)成本將接近硅基半導體的設計。作為功率半導體領域排名第一的廠商，英飛凌擁有廣博的功率產品組合，涵蓋了所有功率和頻率范圍，包括MOSFET、SiC MOSFET、SiC模塊、GaN HEMT、IGBT模塊以及單管IGBT等，廣泛應用于可再生能源發(fā)電、能源傳輸和配送、能源儲存、能源使用等領域，助力電力全產業(yè)鏈能效提升。

 

 

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