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了解RET的開關(guān)特性
可通過基極電流開啟或關(guān)閉雙極結(jié)型晶體管(BJT)。但是，由于基極-發(fā)射極二極管兩端的壓降在很大程度上取決于溫度，因而在許多應(yīng)用中，需要一個串聯(lián)電阻將基極電流保持在所需水平，從而確保BJT穩(wěn)定安全地工作。閱讀本文，了解如何使用RET來應(yīng)對標(biāo)準(zhǔn)BJT的溫度依賴性。
2023-02-23
RET 開關(guān)特性
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用于有源電源管理的 PMBus 兼容 PoL 穩(wěn)壓器
優(yōu)化效率和解決高端處理器、FPGA 和 ASIC 的復(fù)雜電源要求的需要使得有源電源管理成為數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、電信系統(tǒng)和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備應(yīng)用中的關(guān)鍵設(shè)計要求。同時，設(shè)計電源方案的工程師需要限度地減少電路板空間，同時縮短從初始概念到終產(chǎn)品的開發(fā)時間。
2023-02-22
有源電源管理 PoL 穩(wěn)壓器
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解析電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施及技術(shù)的發(fā)展趨勢
電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施，通常也被稱為電動汽車供電設(shè)備（EVSE），是一個健康的電動汽車生態(tài)系統(tǒng)的核心組成部分，是針對汽車充電而規(guī)劃的配電網(wǎng)和專用的電力基礎(chǔ)設(shè)施。簡單的說，就像移動網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施是支持手機通信背后的一套完整的通訊系統(tǒng)一樣，電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施就是支持充電樁為汽車充電背后...
2023-02-22
電動汽車 充電 基礎(chǔ)設(shè)施
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800V電動汽車開發(fā)：如何選好“料”，烹小鮮？
全球范圍內(nèi)，電動汽車（EV）行業(yè)正處在一個快速成長期。根據(jù)麥肯錫的預(yù)測，在2021至2030的十年間，全球乘用車的總銷量預(yù)計約為8億臺，其中電動汽車的銷量將達(dá)到約2.2億臺，其滲透力可謂勢不可擋。
2023-02-22
電動汽車 薄膜電容器 光耦合器
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第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車上的應(yīng)用
目前碳化硅(SiC)在車載充電器(OBC)已經(jīng)得到了普及應(yīng)用，在電驅(qū)的話已經(jīng)開始逐步有企業(yè)開始大規(guī)模應(yīng)用，當(dāng)然SiC和Si的功率器件在成本上還有一定的差距，主要是因為SiC的襯底良率還有長晶的速度很慢導(dǎo)致成本偏高。隨著工藝的改進，這些都會得到解決。
2023-02-21
第三代半導(dǎo)體 功率器件 汽車
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應(yīng)用為導(dǎo)向的混合式步進電機技術(shù)大大提升了電機的動態(tài)扭矩
步進電機是當(dāng)今最具挑戰(zhàn)性電機之一，它們具有高精度的步進，高分辨率和平滑的運動，步進電機一般需要定制，在特定應(yīng)用中才能實現(xiàn)最佳性能。通常自定義的設(shè)計屬性有定子的纏繞模式、軸配置、自定義外殼和專用軸承，這使得步進電機的設(shè)計和制造極具挑戰(zhàn)性。
2023-02-21
步進電機 動態(tài)扭矩
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種草氮化鎵充電器，幾個方面要注意
現(xiàn)代人生活節(jié)奏加快，手機也被要求有更快的運行速度。運行速度的提升帶來電量的快速消耗，傳統(tǒng)充電器已經(jīng)無法滿足需求。氮化鎵充電器在體積、發(fā)熱、效率轉(zhuǎn)換上相比傳統(tǒng)充電器更具有優(yōu)勢，逐漸成為主流產(chǎn)品。
2023-02-21
氮化鎵 充電器
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通過模擬減法消除 PWM DAC 紋波(2)
該電路的基本工作原理是PWM 紋波信號電流與 PWM 信號電流的 AC 耦合（通過 C2）逆向無源求和（通過 R1 和 R2），然后在 DAC 輸出電容器 C1 中對求和進行積分。由此產(chǎn)生的紋波分量的部分抵消允許足夠的紋波衰減，同時使用比單級 RC 濾波器所需的濾波器時間常數(shù)短得多的時間常數(shù)。更快的響應(yīng)和更短的...
2023-02-20
模擬減法口 PWM DAC
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一文搞懂IGBT的損耗與結(jié)溫計算
與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比，IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數(shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度，有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。
2023-02-20
IGBT 損耗 結(jié)溫
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