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從電路的構(gòu)建模塊到器件選擇,PLL的基本原理你參透了嗎?

發(fā)布時(shí)間:2021-03-04 來(lái)源:ADI 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】鎖相環(huán)(PLL)電路存在于各種高頻應(yīng)用中,從簡(jiǎn)單的時(shí)鐘凈化電路到用于高性能無(wú)線電通信鏈路的本振(LO),以及矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(VNA)中的超快開(kāi)關(guān)頻率合成器。
 
今天,我們就參考上述各種應(yīng)用來(lái)介紹PLL電路的一些構(gòu)建模塊,以指導(dǎo)器件選擇和每種不同應(yīng)用內(nèi)部的權(quán)衡考慮,這對(duì)新手和PLL專(zhuān)家均有幫助。
 
ps. 本文參考 ADI 的 ADF4xxx 和 HMCxxx 系列PLL和壓控振蕩器 (VCO),并使用 ADIsimPLL(ADI 內(nèi)部PLL電路仿真器)來(lái)演示不同電路性能參數(shù)。
 
基本配置:時(shí)鐘凈化電路
 
鎖相環(huán)的最基本配置是將參考信號(hào)(FREF)的相位與可調(diào)反饋信號(hào)(RFIN)F0的相位進(jìn)行比較,如圖1所示。
 
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圖1. PLL基本配置
 
圖2中有一個(gè)在頻域中工作的負(fù)反饋控制環(huán)路。當(dāng)比較結(jié)果處于穩(wěn)態(tài),即輸出頻率和相位與誤差檢測(cè)器的輸入頻率和相位匹配時(shí),我們說(shuō)PLL被鎖定。就本文而言,我們僅考慮ADI ADF4xxx系列PLL所實(shí)現(xiàn)的經(jīng)典數(shù)字PLL架構(gòu)。
 
該電路的第一個(gè)基本元件是鑒頻鑒相器(PFD)。PFD將輸入到REFIN的頻率和相位與反饋到RFIN的頻率和相位進(jìn)行比較。ADF4002 是一 款可配置為獨(dú)立PFD(反饋分頻器N = 1)的PLL。因此,它可以與高質(zhì)量壓控晶體振蕩器(VCXO)和窄低通濾波器一起使用,以凈化高噪聲REFIN時(shí)鐘。
 
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圖2. PLL基本配置
 
鑒頻鑒相器
 
圖3中的鑒頻鑒相器將+IN端的FREF輸入與和-IN端的反饋信號(hào)進(jìn)行比較。它使用兩個(gè)D型觸發(fā)器和一個(gè)延遲元件。一路Q(chēng)輸出使能正電流源,另一路Q(chēng)輸出使能負(fù)電流源。這些電流源就是所謂電荷泵。
 
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圖3. 鑒頻鑒相器
 
使用這種架構(gòu),下面+IN端的輸入頻率高于-IN端(圖4),電荷泵輸出會(huì)推高電流,其在PLL低通濾波器中積分后,會(huì)使VCO調(diào)諧電壓上升。
 
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圖4. PFD錯(cuò)相和頻率失鎖
 
這樣,-IN頻率將隨著VCO頻率的提高而提高,兩個(gè)PFD輸入最終會(huì)收斂或鎖定到相同頻率(圖5)。如果-IN頻率高于+IN頻率,則發(fā)生相反的情況。
 
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圖5. 鑒頻鑒相器、頻率和鎖相
 
回到原先需要凈化的高噪聲時(shí)鐘例子,時(shí)鐘、自由運(yùn)行VCXO和閉環(huán)PLL的相位噪聲曲線可以在ADIsimPLL中建模。
 
從所示的ADIsimPLL曲線中可以看出,REFIN的高相位噪聲(圖6)由低通濾波器濾除。由PLL的參考和PFD電路貢獻(xiàn)的所有帶內(nèi)噪聲都被低通濾波器濾除,只在環(huán)路帶寬外(圖8)留下低得多的VCXO噪聲(圖7)。當(dāng)輸出頻率等于輸入頻率時(shí),PLL配置最簡(jiǎn)單。這種PLL稱(chēng)為時(shí)鐘凈化PLL。對(duì)于此類(lèi)時(shí)鐘凈化應(yīng)用,建議使用窄帶寬(<1kHz)低通濾波器。
 
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圖6. 參考噪聲
 
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圖7. 自由運(yùn)行VCXO
 
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圖8. 總PLL噪聲
 
高頻整數(shù)N分頻架構(gòu)
 
為了產(chǎn)生一系列更高頻率,應(yīng)使用VCO,其調(diào)諧范圍比VCXO更寬。這常用于跳頻或擴(kuò)頻跳頻(FHSS)應(yīng)用中。在這種PLL中,輸出是參考頻率的很多倍。壓控振蕩器含有可變調(diào)諧元件,例如變?nèi)荻O管,其電容隨輸入電壓而改變,形成一個(gè)可調(diào)諧振電路,從而可以產(chǎn)生一系列頻率(圖9)。PLL可以被認(rèn)為是該VCO的控制系統(tǒng)。
 
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圖9. 壓控振蕩器
 
反饋分頻器用于將VCO頻率分頻為PFD頻率,從而允許PLL生成PFD頻率倍數(shù)的輸出頻率。分頻器也可以用在參考路徑中,這樣就可以使用比PFD頻率更高的參考頻率。ADI公司的 ADF4108 就是這樣的PLL。PLL計(jì)數(shù)器是電路中要考慮的第二個(gè)基本元件。
 
PLL的關(guān)鍵性能參數(shù)是相位噪聲、頻率合成過(guò)程中的多余副產(chǎn)物或雜散頻率(簡(jiǎn)稱(chēng)雜散)。對(duì)于整數(shù)N PLL分頻,雜散頻率由PFD頻率產(chǎn)生。來(lái)自電荷泵的漏電流會(huì)調(diào)制VCO的調(diào)諧端口。低通濾波器可減輕這種影響,而且?guī)捲秸瑢?duì)雜散頻率的濾波越強(qiáng)。理想單音信號(hào)沒(méi)有噪聲或額外雜散頻率(圖10),但在實(shí)際應(yīng)用中,相位噪聲像裙擺一樣出現(xiàn)在載波邊緣,如圖11所示。單邊帶相位噪聲是指在距離載波的指定頻率偏移處,1 Hz帶寬內(nèi)相對(duì)于載波的噪聲功率。
 
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圖10. 理想LO頻譜
 
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圖11. 單邊帶相位噪聲
 
整數(shù)N和小數(shù)N分頻器
 
在窄帶應(yīng)用中,通道間隔很窄(通常<5MHz),反饋計(jì)數(shù)器N很高。通過(guò)使用雙模P/P + 1預(yù)分頻器,如圖12所示,可以利用一個(gè)小電路獲得高N值,并且N值可以利用公式N = PB + A來(lái)計(jì)算;以8/9預(yù)分頻器和90的N值為例,計(jì)算可得B值為11,A值為2。對(duì)于A或2個(gè)周期,雙模預(yù)分頻器將進(jìn)行9分頻。
 
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圖12. 具有雙模N計(jì)數(shù)器的PLL
 
對(duì)于剩余的(B-A)或9個(gè)周期,它將進(jìn)行8分頻,如表1所示。預(yù)分頻器一般利用較高頻率電路技術(shù)設(shè)計(jì),例如雙極性射極耦合邏輯(ECL)電路,而A和B計(jì)數(shù)器可以接受這種較低頻率的預(yù)分頻器輸出,它們可以利用低速CMOS電路制造,以減少電路面積和功耗。像ADF4002這樣的低頻凈化PLL省去了預(yù)分頻器。
 
 
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表1. 雙模預(yù)分頻器操作
 
帶內(nèi)(PLL環(huán)路濾波器帶寬內(nèi))相位噪聲受N值直接影響,帶內(nèi)噪聲增幅為20log(N)。因此,對(duì)于N值很高的窄帶應(yīng)用,帶內(nèi)噪聲主要由高N值決定。利用小數(shù)N分頻合成器(例如 ADF4159 或 HMC704),可以實(shí)現(xiàn)N值低得多但仍有精細(xì)分辨率的系統(tǒng)。這樣一來(lái),帶內(nèi)相位噪聲可以大大降低。圖13至圖16說(shuō)明了其實(shí)現(xiàn)原理。
 
在這些示例中,使用兩個(gè)PLL來(lái)生成適合于5G系統(tǒng)本振(LO)的7.4 GHz至7.6 GHz頻率,通道分辨率為1 MHz。ADF4108以整數(shù)N分頻配置使用(圖13),HMC704以小數(shù)N分頻配置使用。HMC704(圖14)可以使用50 MHz PFD頻率,這會(huì)降低N值,從而降低帶內(nèi)噪聲,同時(shí)仍然支持1 MHz(或更小)的頻率步長(zhǎng)——可注意到性能改善15 dB(在8 kHz偏移頻率處)(圖15與圖16對(duì)比)。但是,ADF4108必須使用1 MHz PFD才能實(shí)現(xiàn)相同的分辨率。
 
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圖13. 整數(shù)N分頻PLL
 
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圖14. 小數(shù)N分頻PLL
 
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圖15. 整數(shù)N分頻PLL帶內(nèi)相位噪聲
 
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圖16. 小數(shù)N分頻PLL帶內(nèi)相位噪聲
 
對(duì)于小數(shù)N分頻PLL務(wù)必要小心,確保雜散不會(huì)降低系統(tǒng)性能。對(duì)于HMC704之類(lèi)的PLL,整數(shù)邊界雜散(當(dāng)N值的小數(shù)部分接近0或1時(shí)產(chǎn)生,例如147.98或148.02非常接近整數(shù)值148)最需要關(guān)注。解決措施是對(duì)VCO輸出到RF輸入進(jìn)行緩沖,以及/或者做精心的規(guī)劃頻率,改變REFIN以避免易發(fā)生問(wèn)題的頻率。
 
對(duì)于大多數(shù)PLL,帶內(nèi)噪聲高度依賴(lài)于N值,也取決于PFD頻率。從帶內(nèi)相位噪聲測(cè)量結(jié)果的平坦部分減去20log(N)和10log(FPFD)得到品質(zhì)因數(shù)(FOM)。選擇PLL的常用指標(biāo)是比較FOM。影響帶內(nèi)噪聲的另一個(gè)因素是1/f噪聲,它取決于器件的輸出頻率。FOM貢獻(xiàn)和1/f噪聲,再加上參考噪聲,決定了PLL系統(tǒng)的帶內(nèi)噪聲。
 
用于5G通信的窄帶LO
 
對(duì)于通信系統(tǒng),從PLL角度來(lái)看,主要規(guī)格有誤差矢量幅度(EVM)和VCO阻塞。EVM在范圍上與積分相位噪聲類(lèi)似,考慮的是一系列偏移上的噪聲貢獻(xiàn)。對(duì)于前面列出的5G系統(tǒng),積分限非常寬,從1 kHz開(kāi)始持續(xù)到100 MHz。EVM可被認(rèn)為是理想調(diào)制信號(hào)相對(duì)于理想點(diǎn)的性能降幅百分比(圖17)。
 
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圖17. 相位誤差可視化
 
類(lèi)似地,積分相位噪聲將相對(duì)于載波的不同偏移處的噪聲功率進(jìn)行積分,表示通過(guò)配置可以計(jì)算EVM、積分相位噪聲、均方根相位誤差和抖動(dòng)?,F(xiàn)代信號(hào)源分析儀也會(huì)包含這些數(shù)值(圖18),只需按一下按鈕即可得到。隨著調(diào)制方案中密度的增加,EVM變得非常重要。對(duì)于16-QAM,根據(jù)ETSI規(guī)范3GPP TS 36.104,EVM最低要求為12.5%。對(duì)于64-QAM,該要求為8%。然而,由于EVM包括各種其他非理想?yún)?shù)(功率放大器失真和不需要的混頻產(chǎn)物引起),因此積分噪聲通常有單獨(dú)的定義(以dBc為單位)。
 
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圖18. 信號(hào)源分析儀圖
 
VCO阻塞規(guī)范在需要考慮強(qiáng)發(fā)射存在的蜂窩系統(tǒng)中非常重要。如果接收器信號(hào)很弱,并且VCO噪聲太高,那么附近的發(fā)射器信號(hào)可能會(huì)向下混頻,淹沒(méi)目標(biāo)信號(hào)(圖19)。圖19演示了如果接收器VCO噪聲很高,附近的發(fā)射器(相距800 kHz)以-25 dBm功率發(fā)射時(shí),如何淹沒(méi)-101 dBm的目標(biāo)信號(hào)。這些規(guī)范構(gòu)成無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)的一部分。阻塞規(guī)范直接影響VCO的性能要求。
 
 
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圖19. VCO噪聲阻塞
 
壓控振蕩器(VCO)
 
我們的電路中需要考慮的下一個(gè)PLL電路元件是壓控振蕩器。對(duì)于VCO,相位噪聲、頻率覆蓋范圍和功耗之間的權(quán)衡十分重要。振蕩器的品質(zhì)因數(shù)(Q)越高,VCO相位噪聲越低。然而,較高Q電路的頻率范圍比較窄。提高電源電壓也會(huì)降低相位噪聲。
 
在ADI 的VCO系列中, HMC507 的覆蓋范圍為6650 MHz至7650 MHz,100 kHz時(shí)的VCO噪聲約為-115 dBc/Hz。相比之下, HMC586 覆蓋了從4000 MHz 到8000 MHz的全部倍頻程,但相位噪聲較高,為-100 dBc/Hz。為使這種VCO的相位噪聲最小,一種策略是提高VCO調(diào)諧電壓VTUNE的范圍(可達(dá)20 V或更高)。這會(huì)增加PLL電路的復(fù)雜性,因?yàn)榇蠖鄶?shù)PLL電荷泵只能調(diào)諧到5 V,所以利用一個(gè)由運(yùn)算放大器組成的有源濾波器來(lái)提高PLL電路的調(diào)諧電壓。
 
多頻段集成PLL和VCO
 
另一種擴(kuò)大頻率覆蓋范圍而不惡化VCO相位噪聲性能的策略是使用多頻段VCO,其中重疊的頻率范圍用于覆蓋一個(gè)倍頻程的頻率范圍,較低頻率可以利用VCO輸出端的分頻器產(chǎn)生。ADF4356就是這種器件,它使用四個(gè)主VCO內(nèi)核,每個(gè)內(nèi)核有256個(gè)重疊頻率范圍。該器件使用內(nèi)部參考和反饋分頻器來(lái)選擇合適的VCO頻段,此過(guò)程被稱(chēng)為VCO頻段選擇或自動(dòng)校準(zhǔn)。
 
多頻段VCO的寬調(diào)諧范圍使其適用于寬帶儀器,可產(chǎn)生范圍廣泛的頻率。此外,39位小數(shù)N分辨率使其成為精密頻率應(yīng)用的理想選擇。在矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀等儀器中,超快開(kāi)關(guān)速度至關(guān)重要。這可以通過(guò)使用非常寬的低通濾波器帶寬來(lái)實(shí)現(xiàn),它能非??斓卣{(diào)諧到最終頻率。在這些應(yīng)用中,通過(guò)使用查找表(針對(duì)每個(gè)頻率直接寫(xiě)入頻率值)可以繞過(guò)自動(dòng)頻率校準(zhǔn)程序,也可以使用真正的單核寬帶VCO,如HMC733 ,其復(fù)雜性更低。
 
對(duì)于鎖相環(huán)電路,低通濾波器的帶寬對(duì)系統(tǒng)建立時(shí)間有直接影響。低通濾波器是我們電路中的最后一個(gè)元件。如果建立時(shí)間至關(guān)重要,應(yīng)將環(huán)路帶寬增加到允許的最大帶寬,以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定鎖定并滿足相位噪聲和雜散頻率目標(biāo)。通信鏈路中的窄帶要求意味著使用HMC507時(shí),為使積分噪聲最小(30 kHz至100 MHz之間),低通濾波器的最佳帶寬約為207 kHz(圖20)。這會(huì)貢獻(xiàn)大約-51 dBc的積分噪聲,可在大約51μs內(nèi)實(shí)現(xiàn)頻率鎖定,誤差范圍為1 kHz(圖22)。
 
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圖20. 相位噪聲HMC704加HMC507
 
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圖21. 相位噪聲HMC704加HMC586
 
相比之下,寬帶HMC586(覆蓋4 GHz至8 GHz)以更接近300 kHz帶寬的更寬帶寬實(shí)現(xiàn)最佳均方根相位噪聲(圖21),積分噪聲為-44 dBc。但是,它在不到27μs的時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)相同精度的頻率鎖定(圖23)。正確的器件選擇和周?chē)娐吩O(shè)計(jì)對(duì)于實(shí)現(xiàn)應(yīng)用的最佳結(jié)果至關(guān)重要。
 
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圖22. 頻率建立:HMC704加HMC507
 
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圖23. HMC704加HMC586
 
低抖動(dòng)時(shí)鐘
 
對(duì)于高速DAC和ADC,干凈的低抖動(dòng)采樣時(shí)鐘是必不可少的構(gòu)建模塊。為使帶內(nèi)噪聲最小,應(yīng)選擇較低的N值;但為使雜散噪聲最小,最好選擇整數(shù)N值。時(shí)鐘往往是固定頻率,因此可以選擇頻率以確保REFIN頻率恰好是輸入頻率的整數(shù)倍。這樣可以保證PLL帶內(nèi)噪聲最低。選擇VCO(無(wú)論集成與否)時(shí),須確保其噪聲對(duì)應(yīng)用而言足夠低,尤其要注意寬帶噪聲。然后需要精心放置低通濾波器,以確保帶內(nèi)PLL噪聲與VCO噪聲相交——這樣可確保均方根抖動(dòng)最低。相位裕度為60°的低通濾波器可確保濾波器峰值最低,從而最大限度地減少抖動(dòng)。這樣的話,低抖動(dòng)時(shí)鐘就落在本文討論的第一個(gè)電路的時(shí)鐘凈化應(yīng)用和所討論的最后一個(gè)電路的快速開(kāi)關(guān)能力之間。
 
對(duì)于時(shí)鐘電路,時(shí)鐘的均方根抖動(dòng)是關(guān)鍵性能參數(shù)。這可以利用ADIsimPLL估算,或使用信號(hào)源分析儀測(cè)量。對(duì)于像 ADF5356這樣的 高性能PLL器件,相對(duì)較寬的低通濾波器帶寬(132 kHz),配合WenxelOCXO之類(lèi)的超低REFIN源,允許用戶設(shè)計(jì)均方根抖動(dòng)低于90 fs的時(shí)鐘(圖26)。操縱PLL環(huán)路濾波器帶寬(LBW)的位置表明,如果降低太多,VCO噪聲在偏移較小時(shí)(圖24)將開(kāi)始占主導(dǎo)地位,帶內(nèi)PLL噪聲實(shí)際上會(huì)降低,而如果提高太多的話,帶內(nèi)噪聲在偏移處占主導(dǎo)地位,VCO噪聲則顯著降低(圖25)。
 
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圖24. LBW = 10 kHz,331 fs抖動(dòng)
 
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圖25. LBW = 500 kHz,111 fs抖動(dòng)
 
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圖26. LBW = 132 kHz,83 fs抖動(dòng)
 
ADI 行業(yè)領(lǐng)先的 PLL 頻率合成器系列具有各種高性能、低抖動(dòng)時(shí)鐘生成和分配器件。該系列有100多種產(chǎn)品,品種豐富,仍在不斷擴(kuò)充,均針對(duì)高數(shù)據(jù)速率、低抖動(dòng)時(shí)鐘應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,產(chǎn)品組合包括PLL、PLL/VCO和分配芯片,設(shè)計(jì)用于同步、時(shí)鐘分配和相位噪聲性能均至關(guān)重要的時(shí)鐘應(yīng)用。
 
 
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