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使用 GaN IC 離線電源的大容量電容器優(yōu)化
額定功率75W以下的適配器可細(xì)分為：輸入濾波器、二極管整流器、輸入輸出電容器、IC控制器、輔助電源、磁性元件、功率器件和散熱器。集成解決方案在縮小和簡(jiǎn)化轉(zhuǎn)換器方面已經(jīng)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，目前的剩余組件是磁性元件、輸入“大容量”電容器、輸出電容器和 EMI 輸入級(jí)。大量的研究和工程工作集中在高頻交流/直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)上，以減小磁性元件的尺寸。然而，輸入大容量電容器占據(jù)與適配器內(nèi)的磁性元件相同或更大的體積。
2024-05-07
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測(cè)試共源共柵氮化鎵 FET
Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進(jìn)入市場(chǎng)，因?yàn)樗梢蕴峁┏ｊP(guān)操作并具有更寬的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍。然而，電路設(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)該器件在實(shí)際電路中使用起來(lái)并不那么容易，因?yàn)樗苋菀装l(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測(cè)量并獲得可重復(fù)的提取。許多設(shè)計(jì)人員在電路中使用大柵極電阻時(shí)必須減慢器件的運(yùn)行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優(yōu)勢(shì)。
2024-04-07
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雙脈沖測(cè)試（DPT）的方法解析
雙脈沖測(cè)試（DPT）是一種被廣泛接受的評(píng)估功率器件動(dòng)態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例，如下圖，通過(guò)調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間，可以在第一個(gè)脈沖結(jié)束和第二個(gè)脈沖開(kāi)始時(shí)捕捉到被測(cè)器件在任何所需的電壓和電流條件下的開(kāi)關(guān)瞬態(tài)行為。
2024-03-19
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談?wù)凷iC MOSFET的短路能力
在電力電子的很多應(yīng)用，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時(shí)間內(nèi)承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會(huì)在數(shù)據(jù)手冊(cè)中標(biāo)出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時(shí)間是10us，IGBT7短路時(shí)間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒(méi) 有 標(biāo) 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 較 短 ， 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標(biāo)稱短路時(shí)間是3us，EASY封裝器件標(biāo)稱短路時(shí)間是2us。
2024-02-01
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I-NPC三電平電路的雙脈沖及短路測(cè)試方法
雙脈沖測(cè)試(DPT)是一種被廣泛接受的評(píng)估功率器件動(dòng)態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例，如下圖，通過(guò)調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間，可以在第一個(gè)脈沖結(jié)束和第二個(gè)脈沖開(kāi)始時(shí)捕捉到被測(cè)器件在任何所需的電壓和電流條件下的開(kāi)關(guān)瞬態(tài)行為。DPT結(jié)果量化了功率器件的開(kāi)關(guān)性能，并為功率變換器的設(shè)計(jì)（如開(kāi)關(guān)頻率和死區(qū)時(shí)間的確定、熱管理和效率評(píng)估）提供了參考依據(jù)，那么對(duì)于三電平電路，雙脈沖測(cè)試需要怎么做呢？
2024-01-24
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?碳化硅助力實(shí)現(xiàn) PFC 技術(shù)的變革
碳化硅（SiC）功率器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等領(lǐng)域。近些年來(lái)，汽車行業(yè)向電力驅(qū)動(dòng)的轉(zhuǎn)變推動(dòng)了碳化硅（SiC）應(yīng)用的增長(zhǎng)， 也使設(shè)計(jì)工程師更加關(guān)注該技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，并拓寬其應(yīng)用領(lǐng)域。
2024-01-03
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泰克助力汽車測(cè)試及質(zhì)量監(jiān)控實(shí)現(xiàn)效率和創(chuàng)新最大化
對(duì)于功率器件工程師而言，最大限度降低開(kāi)關(guān)損耗是一項(xiàng)嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，尤其對(duì)于那些使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的工程師更是如此。這種先進(jìn)材料有望提高效率，但也有其自身的復(fù)雜性。測(cè)量硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (GaN MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的開(kāi)關(guān)參數(shù)，并評(píng)估其動(dòng)態(tài)行為的標(biāo)準(zhǔn)方法是雙脈沖測(cè)試 (DPT)。
2023-12-05
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從 L1~L5 自動(dòng)駕駛芯片發(fā)生了哪些變化？
汽車芯片主要分為功能芯片、功率器件和傳感器三大類。在傳統(tǒng)燃油車中，平均芯片搭載量約為 500-600 顆/輛，而隨著前面提到的汽車電動(dòng)化、智能化的演進(jìn)，平均芯片搭載量已提升至 1000 顆/輛，在新能源車中更是超過(guò)了 2000 顆/輛，未來(lái)隨著電車智能化的升級(jí)，還有望提升至 3000 顆/輛，甚至更多。
2023-12-04
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OBC PFC車規(guī)功率器件結(jié)溫波動(dòng)與功率循環(huán)壽命分析
隨著新能源汽車(xEV)在乘用車滲透率的逐步提升，車載充電機(jī)(OBC)作為電網(wǎng)與車載電池之間的單向充電或雙向補(bǔ)能的車載電源設(shè)備，也得到了非常廣泛的應(yīng)用。相比車載主驅(qū)電控逆變器， 電源類OBC產(chǎn)品復(fù)雜度高，如何實(shí)現(xiàn)其高功率密度、高可靠性、高效率、高性價(jià)比等核心指標(biāo)的優(yōu)化與平衡，一直是OBC不斷技術(shù)迭代與產(chǎn)品革新的方向。
2023-11-26
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上海貝嶺車載逆變電源功率器件解決方案
作為一種電源轉(zhuǎn)換器，車載逆變電源能夠?qū)?chǔ)能電池直流電轉(zhuǎn)換為220V的交流電，給筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)、無(wú)人機(jī)等設(shè)備提供電能。其輸出波形包括修正弦波和純正弦波兩種類型，修正弦波車載逆變電源價(jià)格便宜，但輸出波形質(zhì)量較差，適用于小功率用電設(shè)備；純正弦波車載逆變電源可提供高質(zhì)量交流電，適用于大部分用電設(shè)備，工作穩(wěn)定，但價(jià)格較貴。
2023-11-23
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商業(yè)、建筑和農(nóng)業(yè)車輛應(yīng)用中TO-247PLUS分立封裝的回流焊接
今天，功率半導(dǎo)體為很多應(yīng)用提供高功率密度的解決方案。如何將功率器件的發(fā)熱充分散出去是解決高功率密度設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。通過(guò)使用IGBT焊接在雙面覆銅陶瓷板(DCB)上可以幫助減少散熱系統(tǒng)的熱阻，前提是需要IGBT單管封裝支持SMD工藝。本文將展示一種可回流焊接的TO-247PLUS單管封裝，該封裝可將器件芯片到DCB基板的熱阻降至最低。
2023-11-21
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氮化鎵取代碳化硅，從PI開(kāi)始？
在功率器件選擇過(guò)程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來(lái)越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升，但是如何定量分析這三類產(chǎn)品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan日前結(jié)合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，詳細(xì)解釋了三類產(chǎn)品的優(yōu)劣，以及PI對(duì)于三種產(chǎn)品未來(lái)的判斷，同時(shí)還介紹了PI氮化鎵產(chǎn)品的特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)。
2023-11-16
- 授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Same Sky多樣化電子元器件
- 使用合適的窗口電壓監(jiān)控器優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- ADI電機(jī)運(yùn)動(dòng)控制解決方案 驅(qū)動(dòng)智能運(yùn)動(dòng)新時(shí)代
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