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干貨：電路設(shè)計(jì)的全過(guò)程（含原理圖）
開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)是一份非常耗時(shí)費(fèi)力的苦差事，需要不斷地修正多個(gè)設(shè)計(jì)變量，直到性能達(dá)到設(shè)計(jì)目標(biāo)為止。本文step-by-step 介紹反激變換器的設(shè)計(jì)步驟，并以一個(gè)6.5W 隔離雙路輸出的反激變換器設(shè)計(jì)為例，主控芯片采用NCP1015。
2019-09-03
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一文帶你認(rèn)識(shí)全類(lèi)型“電阻”！
電阻（Resistance，通常用“R”表示），是一個(gè)物理量，在物理學(xué)中表示導(dǎo)體對(duì)電流阻礙作用的大小。導(dǎo)體的電阻越大，表示導(dǎo)體對(duì)電流的阻礙作用越大。不同的導(dǎo)體，電阻一般不同，電阻是導(dǎo)體本身的一種特性。電阻將會(huì)導(dǎo)致電子流通量的變化，電阻越小，電子流通量越大，反之亦然。而超導(dǎo)體則沒(méi)有電阻。
2019-09-02
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工程師實(shí)戰(zhàn)干貨分享：77條STM32知識(shí)匯總
以下是工程師結(jié)合自己的工作實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)分享，總共有77條STM32知識(shí)匯總，建議收藏！SYSCLK時(shí)鐘源有三個(gè)來(lái)源：HSI RC、HSE OSC、PLL等。
2019-08-13
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屏蔽效能分析
屏蔽效能表現(xiàn)了屏蔽體對(duì)電磁波的衰減程度。由于屏蔽體通常能將電磁波的強(qiáng)度衰減到原來(lái)的百分之一至萬(wàn)分之一, 因此通常用分貝(dB)來(lái)表述。一般的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)40 dB, 軍用設(shè)備的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)60 dB, TEMPEST設(shè)備的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)80 dB以上。
2019-08-06
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MOS管簡(jiǎn)介以及判定電極、放大能力的方法
MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫(xiě)為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)，屬于絕緣柵型。
2019-08-05
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CMOS電路的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
靜電放電（ESD - ElectroStatic Discharge）會(huì)給電子器件帶來(lái)破壞性的后果，是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來(lái)越薄，芯片的面積規(guī)模越來(lái)越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來(lái)越小，而外圍的使用環(huán)境并未改變，因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD性能。
2019-08-05
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簡(jiǎn)要分析晶體振蕩器的作用以及選擇要求
關(guān)于晶體振蕩器，其英文名稱(chēng)為quartz crystal oscillator，也就是我們經(jīng)常說(shuō)的晶振，當(dāng)然咯，也有將其稱(chēng)為有源晶振的。它能夠產(chǎn)生中央處理器（CPU）執(zhí)行指令所必須的時(shí)鐘頻率信號(hào)，CPU一切指令的執(zhí)行都是建立在這個(gè)基礎(chǔ)上的，時(shí)鐘信號(hào)頻率越高，通常CPU的運(yùn)行速度也就越快。
2019-07-19
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CMOS觸發(fā)器的結(jié)構(gòu)與工作原理
觸發(fā)器，學(xué)名雙穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器（Bistable?Multivibrator），是一種應(yīng)用在數(shù)字電路上具有記憶功能的循序邏輯組件，可記錄二進(jìn)位制數(shù)字信號(hào)“1”和“0”。觸發(fā)器是構(gòu)成時(shí)序邏輯電路以及各種復(fù)雜數(shù)字系統(tǒng)的基本邏輯單元。
2019-07-18
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四管同步升降壓變換器工作原理及設(shè)計(jì)相關(guān)問(wèn)題
四管同步BuckBoost升降壓變換器為單電感結(jié)構(gòu)，不需要耦合電容，盡管系統(tǒng)需要四個(gè)開(kāi)關(guān)管，控制相比較復(fù)雜，但由于采用同步的變換器，系統(tǒng)的效率比SEPIC高，而且體積比SEPIC小，非常適用于汽車(chē)及通訊這類(lèi)系統(tǒng)的效率和體積要求嚴(yán)格的應(yīng)用。下面本文將討論這種四管同步BuckBoost升降壓變換器的具體的工作原理及設(shè)計(jì)過(guò)程的相關(guān)問(wèn)題。
2019-07-12
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晶體管以類(lèi)似水龍頭控制水流的方式控制電流
晶體管全稱(chēng)雙極型三極管（Bipolar junction transistor，BJT）又稱(chēng)晶體三極管，簡(jiǎn)稱(chēng)三極管，是一種固體半導(dǎo)體器件，可用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等。
2019-07-08
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深度解析Portable Stimulus：UVM集成
PSS和UVM的集成在一起不同于將兩種語(yǔ)言進(jìn)行集成。本文將列出這種集成的基本策略，以盡可能通用的語(yǔ)言來(lái)描述集成的六個(gè)步驟以及本文會(huì)詳細(xì)介紹前三個(gè)步驟。
2019-07-06
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交流固態(tài)繼電器的特點(diǎn)
交流固態(tài)繼電器ssr（solid state releys）是一種無(wú)觸點(diǎn)通斷電子開(kāi)關(guān)，它利用電子元件（如開(kāi)關(guān)三極管、雙向可控硅等半導(dǎo)體器件）的開(kāi)關(guān)特性，可達(dá)到無(wú)觸點(diǎn)無(wú)火花地接通和斷開(kāi)電路的目的，為四端有源器件，其中兩個(gè)端子為輸入控制端，另外兩端為輸出受控端。
2019-06-27
- 克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來(lái)電力電子應(yīng)用
- 了解交流電壓的產(chǎn)生
- 單結(jié)晶體管符號(hào)和結(jié)構(gòu)
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