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IGBT單管數據手冊參數解析——下
IGBT是大家常用的開關功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數據手冊，對手冊中的一些關鍵參數和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-08-14
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IGBT如何選擇，你真的了解嗎？
最近，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導體的應用日益增多，受到廣泛關注。然而，在這些新技術出現之前，許多高功率應用都是使用高效、可靠的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)，事實上，許多此類應用仍然適合繼續(xù)使用 IGBT。在本文中，我們介紹 IGBT 器件的結構和運行，并列舉多種不同 IGBT 應用的電路拓撲結構，然后探討這種多用途可靠技術的新興拓撲結構。
2023-08-04
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使用SiC MOSFET和Si IGBT柵極驅動優(yōu)化電源系統(tǒng)
在電動汽車 (EV) 和光伏 (PV) 系統(tǒng)等綠色能源應用所需的 DC-DC 轉換器、電池充電器、電機驅動器和交流 (AC) 逆變器中，碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 (Si) IGBT 是關鍵元件。但是如要獲得最高的效率，SiC MOSFET 和 Si IGBT 的柵極在導通和關斷時需要精確的驅動電壓（具體取決于所使用的器件）。
2023-08-03
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基于模型設計提高車規(guī)級芯片功能安全設計效率
在汽車電氣化、智能化、網聯化快速發(fā)展的今天，汽車所用的芯片數量與種類也日益增多。電氣化引領了汽車電子電氣架構的革新，催生出域控制器等集中式大算力芯片和 IGBT 等功率芯片。智能化則引入了多種類的傳感器和 AI 應用，帶動了雷達、激光雷達、攝像頭、智能座艙、5G 車聯網等模組、處理器、存儲芯片、以及 AI 計算芯片的發(fā)展。
2023-07-28
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅動器使用指南
SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動器）的使用指南。本文為第三部分，將重點介紹NCP51705 SiC 柵極驅動器的使用指南。
2023-07-26
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深度剖析IGBT柵極驅動注意事項
IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結合了這兩種器件的特點，并且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅動而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。
2023-07-20
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具有更高效率與優(yōu)勢的碳化硅技術
碳化硅（SiC）技術具有比傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等技術具有更多優(yōu)勢，包括更高的開關頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進而可以實現更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發(fā)展趨勢與在儲能系統(tǒng)（ESS）上的應用，以及由Wolfspeed推出的SiC電源解決方案。
2023-07-19
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了解這些 就可以搞懂 IGBT
絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導體器件，主要用作電子開關，在較新的器件中以結合高效和快速開關而聞名。IGBT通過在單個器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡單柵極驅動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結合。IGBT用于中到大功率應用，如開關電源、牽引電機控制和感應加熱。
2023-07-18
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絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡史
盡管人們對寬帶隙(WBG)功率半導體器件感到興奮，但硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)在今天比以往任何時候都更加重要。在我們10月份發(fā)布的電動汽車電力電子報告[2]中，TechInsights預測，xEV輕型汽車動力總成的產量將從2020年的910萬增長到2026年的4310萬，這使得其復合年增長率(CAGR)達到25%。SiC MOSFET目前預計占市場的約26%，到2029年預計將占市場份額的50%。
2023-07-16
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安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 靜態(tài)特性分析
SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動器）的使用指南。本文為第一部分，將重點介紹安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的靜態(tài)特性。
2023-07-13
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針對電動馬達控制，在指定絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 時的考慮
針對所有的應用，人們越來越注意電動馬達的運作效率；因此，對高效率驅動器的需求變得日益重要。此外，使用馬達驅動的設計，例如電動馬達、泵和風扇，需要降低整體成本，且需要減低這些電動馬達應用中的能耗；因此，為電動馬達及其的驅動指定高效率的設計，以適合每項特定應用變得更加重要。
2023-06-28
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1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓撲中的應用
英飛凌TRENCHSTOP? IGBT7系列單管具有兩種電壓等級（650V&1200V）和三個系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列單管針對光儲、UPS、EV charger、焊機等應用進行了專門的優(yōu)化，并配備了全電流EC7 rapid二極管。憑借極低的開關損耗、導通損耗和豐富的產品系列，H7單管正在成為光伏和儲能應用的新星。
2023-06-26
- 協(xié)同創(chuàng)新，助汽車行業(yè)邁向電氣化、自動化和互聯化的未來
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