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高壓交流隔離開關和接地開關選用的若干問題
本文分析了高壓交流隔離開關和接地開關選用的若干問題，包括：隔離開關開合母線轉換電流、接地開關開合感應電流、單柱垂直斷口隔離開關的額定接觸區(qū)、接地開關的短路持續(xù)時間和隔離開關的過載能力、接地開關的長期通流問題、絕緣子爬電距離是否需要進行海拔修正的問題。
2008-10-23
隔離開關 接地開關 轉換電流 隔離電流 接觸區(qū)
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導通電阻以及導通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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是否所有的ESD保護二極管都有相同的保護效果？
本文針對目前所面臨的找到一種具有成本效益的ESD解決方案的挑戰(zhàn)，分析了ESD方面所需考慮的因素，提出了將電壓箝位到更低水平的最優(yōu)方案，接著并比較幾種保護器件得出安森美的保護器件更具競爭性和優(yōu)越性。
2008-10-23
ESD 保護二極管 箝位電壓
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過壓保護的備用電路: 技巧和竅門
過壓保護(OVP)器件用于保護后續(xù)電路免受甩負載或瞬間高壓的破壞，在某些特定的應用中，基本的過壓保護電路不足以勝任器件保護的要求，通常有以下兩種需求。第一，電路的最大輸入電壓可能增大；第二，適當修改電路，可以在發(fā)生過壓或欠壓時利用輸出電容儲能保持能量。本文討論如何針對這兩種需求修改...
2008-10-23
過壓保護 電路 MOSFET
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印制電路板上的電磁干擾及抑制
本文主要討論在印制電路板的布線設計中電源布線和信號布線的電磁干擾問題，并提出解決途徑：抑制電源布線產生的干擾的主要方法有電源平面法、共地平面法和電源母線法；抑制信號布線產生的干擾的主要方法有增大信號線之間的距離，減小信號線與地之間的距離；同時，設計印制電路板還應遵循一定的抗干...
2008-10-23
印制電路板 電磁干擾 抑制
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靜電在LED顯示屏生產過程中的危害及防護措施
如何規(guī)范化生產，如何生產出真正意義上的低衰減、長壽命的 LED顯示屏產品？本文僅從LED顯示屏生產過程的靜電防護角度，討論該過程靜電帶來的危害及其防護方法。
2008-10-23
靜電 LED 防護措施 危害
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抑制耳機放大器RF噪音的兩種方法
本文主要討論抑制耳機放大器RF噪音的方法，提出了兩種方法：通過屏蔽并縮短輸入信號引線降低輸入放大器的RF能量；選擇具有RF抑制功能的放大器，使耦合到輸出端的噪聲最小。并以GSM手機為例具體闡釋了這兩種方法的實現(xiàn)。
2008-10-23
抑制RF噪音 音頻放大器 屏蔽
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