-
MOSFET性能改進(jìn)：超級(jí)結(jié)MOSFET（SJ－MOS）
如果是D-MOS的情況，電場(chǎng)強(qiáng)度在P／N層接口處最強(qiáng)。當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度超過硅的極限時(shí)，會(huì)發(fā)生擊穿現(xiàn)象，這就是電壓極限。另一方面，如果是SJ-MOS的情況，電場(chǎng)強(qiáng)度在N層中是均勻的。
2021-12-08
MOSFET 超級(jí)結(jié)MOSFET
-
如何以經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的方式將 EtherNet/IP、EtherCAT 和 PROFINET 添加到自動(dòng)化工廠
自主工廠依賴于各個(gè)組件（如運(yùn)動(dòng)控制器和機(jī)器人）之間的實(shí)時(shí)通信，而且這種通信必須實(shí)時(shí)進(jìn)行。例如，100 英尺外的可編程邏輯控制器 (PLC) 向機(jī)器人發(fā)送的運(yùn)動(dòng)命令如果出現(xiàn)延遲，則可能會(huì)導(dǎo)致最終產(chǎn)品出現(xiàn)缺陷。
2021-12-08
EtherNet/IP EtherCAT PROFINET 自動(dòng)化工廠
-
SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時(shí)如何實(shí)現(xiàn)負(fù)壓？
現(xiàn)代工業(yè)對(duì)電力電子設(shè)備提出了很多要求：體積小、重量輕、功率大、發(fā)熱少。面對(duì)這些要求，Si MOSFET因Si材料自身的限制而一籌莫展。SiC MOSFET因SiC材料的先天優(yōu)勢(shì)開始大顯神通。SiC MOSFET大規(guī)模商用唯一的缺點(diǎn)就是價(jià)格。
2021-12-07
SiC MOSFET 單電源正電壓 Si MOSFET
-
一舉三得：直接用碳化硅器件，可節(jié)能、提高功率轉(zhuǎn)換效率、減少設(shè)計(jì)尺寸
更高的效率無(wú)疑是一個(gè)優(yōu)勢(shì)，但是有時(shí)候“更高”的陳述是不準(zhǔn)確的，比如：家庭電子器件散發(fā)“更高”的熱量可以減輕您的中央供暖工作在寒冷氣候中的工作量，也許會(huì)帶來(lái)能量使用和成本方面的整體好處，還可以采用效率相對(duì)低效的鍋爐。如果用“更高”來(lái)描述白熾燈，它可以在您需要溫暖時(shí)成為非常高效的加熱器。
2021-11-30
碳化硅器件
-
連接SPI接口器件 - 第一部分
LEC2 Workbench系列技術(shù)博文主要關(guān)注萊迪思產(chǎn)品的應(yīng)用開發(fā)問題。這些文章由萊迪思教育能力中心（LEC2）的FPGA設(shè)計(jì)專家撰寫。LEC2是專門針對(duì)萊迪思屢獲殊榮的低功耗FPGA和解決方案集合的全球官方培訓(xùn)服務(wù)供應(yīng)商。
2021-11-29
SPI接口器件
-
重負(fù)載時(shí)中開關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項(xiàng)
在重負(fù)載時(shí)，如果MOSFET的體二極管的反向恢復(fù)時(shí)間trr較長(zhǎng)，且有電流殘留，則在超前臂的MOSFET關(guān)斷時(shí)，寄生雙極晶體管可能會(huì)誤導(dǎo)通，從而損壞MOSFET。這種問題發(fā)生在由關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的對(duì)漏源電容CDS的充電電流而使寄生雙極晶體管自發(fā)地導(dǎo)通（誤導(dǎo)通）、瞬間流過大電流時(shí)。
2021-11-29
重負(fù)載 開關(guān)元件 注意事項(xiàng)
-
如何使用數(shù)字信號(hào)控制器構(gòu)建更好的汽車和電動(dòng)汽車系統(tǒng)
傳統(tǒng)的汽車和電動(dòng)汽車系統(tǒng)都依賴于無(wú)數(shù)電子設(shè)備的有效運(yùn)行，以實(shí)現(xiàn)便利功能以及關(guān)鍵任務(wù)功能安全功能。雖然提出了各種各樣的要求，但這些不同的應(yīng)用從根本上要求能夠在極端條件下運(yùn)行，同時(shí)提供可靠、高性能的實(shí)時(shí)響應(yīng)。
2021-11-26
數(shù)字信號(hào)控制器 汽車系統(tǒng) 電動(dòng)汽車系統(tǒng)
-
高壓放大器在交變電場(chǎng)空間電荷測(cè)量研究中的應(yīng)用
交變高壓源為試樣材料提供測(cè)試所需的高壓電場(chǎng)環(huán)境。高壓源有兩種實(shí)現(xiàn)方式，一是直接選用高壓發(fā)生設(shè)備，二是采用高壓放大器，需要信號(hào)發(fā)生器輸入一個(gè)幅值較低的控制信號(hào)，放大器將控制信號(hào)放大后輸出。在交變電場(chǎng)空間電荷的測(cè)量中，需要協(xié)調(diào)交變高壓和脈沖源輸出在時(shí)序上的先后關(guān)系，測(cè)量特定相位點(diǎn)...
2021-11-26
高壓放大器 交變電場(chǎng)空間 電荷測(cè)量
-
總線隔離方案之儲(chǔ)能行業(yè)篇
眾所周知，實(shí)現(xiàn)“碳中和”的關(guān)鍵在于轉(zhuǎn)換能源結(jié)構(gòu)，提升非化石能源的發(fā)電比例，因此新能源與儲(chǔ)能成為重要發(fā)展方向，ZLG致遠(yuǎn)電子基于二十年開關(guān)電源與總線隔離技術(shù)，推出成熟的儲(chǔ)能電池BMS系統(tǒng)解決方案。
2021-11-26
總線隔離 方案 儲(chǔ)能
- 車用開關(guān)電源的開關(guān)頻率定多高才不影響EMC？
- 大聯(lián)大世平集團(tuán)的駕駛員監(jiān)控系統(tǒng)（DMS）方案榮獲第六屆“金輯獎(jiǎng)之最佳技術(shù)實(shí)踐應(yīng)用”獎(jiǎng)
- 貿(mào)澤推出針對(duì)基礎(chǔ)設(shè)施和智慧城市的工程技術(shù)資源中心
- 貿(mào)澤電子開售用于IoT、智能和工業(yè)應(yīng)用的Siemens LOGO! 8.4云邏輯模塊
- 英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效
- 東芝推出面向多種車載應(yīng)用3相直流無(wú)刷電機(jī)的新款柵極驅(qū)動(dòng)IC
- 村田開發(fā)兼顧伸縮性和可靠性的“可伸縮電路板”
- 為惡劣工業(yè)環(huán)境中的以太網(wǎng)安裝保駕護(hù)航
- 第8講：SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)
- 二極管的單向?qū)щ娦院头蔡匦郧€說明
- 如何使用GaNFET設(shè)計(jì)四開關(guān)降壓－升壓DC－DC轉(zhuǎn)換器？
- 優(yōu)化SPI驅(qū)動(dòng)程序的幾種不同方法
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
