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能源電力

雙電源自動轉(zhuǎn)換開關(guān)(ATSE)

隨著經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展和人民生活水平不斷提高，人們對電力可靠性的要求越來越高。電力可靠性是供電系統(tǒng)持續(xù)供電的能力，我局現(xiàn)在35KV變電站全部實(shí)現(xiàn)了雙電源，城區(qū)線路實(shí)現(xiàn)了“手拉手”，一些重要客戶也采用了雙電源，因此在電力系統(tǒng)中，雙電源自動轉(zhuǎn)換開關(guān)被廣泛應(yīng)用。本文介紹雙電源自動轉(zhuǎn)換開關(guān)(ATSE...

2010-06-24

開關(guān) ATSE 雙電源

LG電子斥資逾8億美元發(fā)展太陽能電池業(yè)務(wù)

近日，韓國LG電子表示計(jì)劃在2015年以前斥資1兆韓元(約8.28億美元)發(fā)展太陽能電池事業(yè)。LG電子預(yù)估在2015年前，太陽能電池事業(yè)將貢獻(xiàn)3兆韓元營收，產(chǎn)能由240百萬瓦提升至10億瓦。

2010-06-23

LG 太陽能光伏電池

歐洲研究項(xiàng)目瞄準(zhǔn)能效更高的綠色電子產(chǎn)品

一項(xiàng)全新政府投資研究項(xiàng)目的合作方公布多國/多領(lǐng)域研究計(jì)劃“END — 節(jié)能意識設(shè)計(jì)的模型、解決方案、方法和工具”的細(xì)節(jié)。這項(xiàng)為期三年的歐洲納電子計(jì)劃顧問委員會（ENIAC）計(jì)劃的目標(biāo)是提高歐洲半導(dǎo)體和電子設(shè)備廠商在開發(fā)能效領(lǐng)先于業(yè)界的新產(chǎn)品和新技術(shù)方面的市場競爭力。

2010-06-23

END 節(jié)能綠色歐洲半導(dǎo)體電子設(shè)備

差分信號線布線的優(yōu)點(diǎn)和布線策略

布線非常靠近的差分信號對相互之間也會互相緊密耦合，這種互相之間的耦合會減小EMI發(fā)射，差分信號線的主要缺點(diǎn)是增加了PCB的面積，本文介紹電路板設(shè)計(jì)過程中采用差分信號線布線的布線策略。

2010-06-23

差分信號線布線 PCB 高速設(shè)計(jì)

產(chǎn)業(yè)巨人的投資使得德國太陽能產(chǎn)業(yè)在全球居于領(lǐng)先地位

來自全球太陽能產(chǎn)業(yè)巨人的投資使得德國光伏產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步增長，在2009年其3.8 GW 的總裝機(jī)容量或者一半新的裝機(jī)容量，使其在這一領(lǐng)域居于世界領(lǐng)先地位。

2010-06-22

太陽能光伏薄膜電池

2010年歐洲無線基礎(chǔ)設(shè)施支出預(yù)計(jì)小幅增長

據(jù)iSuppli公司，2010年歐洲移動運(yùn)營商在無線基礎(chǔ)設(shè)施方面的投資將略有增長，符合當(dāng)前的謹(jǐn)慎心態(tài)。同時，運(yùn)營商尋找可行的創(chuàng)收模式，讓其網(wǎng)絡(luò)中急劇增長的數(shù)據(jù)流量發(fā)揮效益。

2010-06-22

歐洲無線基礎(chǔ)設(shè)施增長 iSuppli

LED驅(qū)動電路功率因數(shù)改善探討以及NCP1014解決方案

本參考設(shè)計(jì)將分析現(xiàn)有照明LED驅(qū)動電路設(shè)計(jì)功率因數(shù)低的原因，探討改善功率因數(shù)的技術(shù)及解決方案，介紹相關(guān)設(shè)計(jì)過程、元器件選擇依據(jù)、測試數(shù)據(jù)分享，顯示這參考設(shè)計(jì)如何輕松符合“能源之星”固態(tài)照明標(biāo)準(zhǔn)的功率因數(shù)要求，非常適合低功率LED照明應(yīng)用。

2010-06-21

功率因數(shù) PFC NCP1014LEDGTGEVB NCP1014

無塵室電纜集塵問題研究

對于潔凈室環(huán)境來說，電纜拖鏈中的電纜集塵是一個復(fù)雜的問題。為了盡量減少集塵，需要盡可能地避免電纜以及套管之間的摩擦。盡管通過減少運(yùn)動器件可以減少集塵，但是自動生產(chǎn)線上電纜的運(yùn)動不可避免。本文對無塵室電纜拖鏈中的電纜集塵問題進(jìn)行研究，幫組大家解決這個問題

2010-06-21

無塵室電纜集塵問題潔凈室

2010年半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)將勁揚(yáng)113.2%

Gartner副總裁Klaus Rinnen表示：技術(shù)升級，將帶動 2010年半導(dǎo)體資本設(shè)備市場的成長。對40奈米和45奈米設(shè)備的需求大幅增加，帶動晶圓代工的龐大資本支出。英特爾對3x奈米的投資，NAND 記憶體制造商支出增加，以及升級至下一世代 DDR3 DRAM 記憶體，皆為主要的投資成長動能。

2010-06-21

半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè) Gartner

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