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高速數(shù)據(jù)應(yīng)用中ESD抑制技術(shù)研究

發(fā)布時(shí)間:2011-01-04 來源:Kory Schroeder

ESD抑制技術(shù)的中心議題:
  • 信號(hào)速率不斷提高
  • 傳統(tǒng)的ESD技術(shù)不能提供準(zhǔn)確可靠的保護(hù)
ESD抑制技術(shù)的解決方案:
  • 間隙技術(shù)可實(shí)現(xiàn)可觀的性能提升

高清電視及顯示器的發(fā)展加速提高了信號(hào)傳輸速率,除此之外,USB 2.0以及USB 3.0等高速串行協(xié)議的應(yīng)用也使信號(hào)速率在不斷提高。隨著信號(hào)速率的提高,以前傳統(tǒng)的ESD保護(hù)技術(shù)已顯得過時(shí),多層壓敏電阻、硅二極管的高電容、漏電流以及鉗位電壓已經(jīng)不能提供準(zhǔn)確可靠的保護(hù),以保證高速信號(hào)不發(fā)生明顯的信號(hào)降級(jí)。

通過采用間隙技術(shù)(gap technology),特別是采用空氣作為間隙,已經(jīng)在低電容抑制器、更低漏電流、更低鉗位電壓等方面實(shí)現(xiàn)了可觀的性能提升??傊?,在重復(fù)多次或持續(xù)的 ESD事件后,聚合物間隙抑制器會(huì)降級(jí),而空氣間隙器件仍將保持非常低的電容、漏電流和觸發(fā)電壓,即使在1s事件間隔內(nèi)經(jīng)過1000次ESD事件,也能保持良好的性能。

靜電放電保護(hù)方案概覽
對于數(shù)據(jù)速率在350Mb/s或低于350Mb/s的應(yīng)用,瞬態(tài)抑制二極管和多層壓敏電阻是提供保護(hù)的極好選擇。這些應(yīng)用包括標(biāo)清LCD顯示器、TFT顯示器,以及大多數(shù)的計(jì)算機(jī)周邊接口及連接。這些信號(hào)天生就允許高的插入損耗、高鉗位電壓和觸發(fā)電壓。鑒于電源引腳上并沒有任何信號(hào),因此,高速抑制相應(yīng)并不是必需的。瞬態(tài)抑制二極管和多層壓敏電阻也可以有效地保護(hù)像USB 2.0以及其他更高速率的接口電源引腳。但是,對于像DVI、HDMI、USB 3.0以及最新的IEEE 1394 A和B標(biāo)準(zhǔn)下的數(shù)據(jù)通信線路,實(shí)現(xiàn)最小信號(hào)失真的高速抑制響應(yīng)對于系統(tǒng)性能和電路保護(hù)是至關(guān)重要的。這些應(yīng)用包括數(shù)字視頻設(shè)備、MP3播放器、手機(jī)、 PDA、網(wǎng)絡(luò)交換器、有線和衛(wèi)星電視機(jī)頂盒、打印機(jī)、掃描儀、復(fù)印機(jī)以及筆記本電腦和上網(wǎng)本等計(jì)算機(jī)設(shè)備。

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抑制器技術(shù)比較
表1給出了在靜電放電抑制器件中常用的幾種核心技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)對比。聚合物靜電放電抑制器件在各種技術(shù)中可提供最低的漏電流,可承受非常高的靜電放電電壓脈沖,但在多次靜電放電事件后器件會(huì)開始降級(jí)。除此之外,該類器件相對高的觸發(fā)電壓和鉗位電壓(比空氣間隙放電產(chǎn)品高出 50~100倍)則意味著更多的靜電放電脈沖能量可以通過被保護(hù)的電路。

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多年以來,在多種電器設(shè)備中廣泛應(yīng)用多層壓敏電阻來提供有效的靜電放電抑制。多層壓敏電阻相對較低的擊穿電壓和觸發(fā)電壓以及能經(jīng)受多次脈沖的能力是相當(dāng)令人滿意的??墒?,多層壓敏電阻具有較高的漏電流和電容,并且降低電容帶來的有害影響導(dǎo)致其無法勝任高速數(shù)據(jù)的應(yīng)用。

基于硅的瞬態(tài)電壓抑制器件工作在標(biāo)準(zhǔn)P/N結(jié)的擊穿狀態(tài),相比基于聚合物-間隙(polymer-gapbased)的器件可提供相對低的觸發(fā)電壓和鉗位電壓。該類器件的泄漏電流比空氣間隙器件(air-gap device)的高10~20倍,其相對較高的固有電容導(dǎo)致高信號(hào)失真和插入損耗?;诳諝忾g隙的器件在以上討論過的所有技術(shù)中可提供最低的電容和鉗位電壓,其工作在兩個(gè)電極間的惰性氣體擊穿狀態(tài)?;诳諝忾g隙的器件可以防止高達(dá)15kV的脈沖,它們在經(jīng)歷1000次脈沖沖擊后性能特點(diǎn)也相當(dāng)穩(wěn)定(如圖2 所示)?;诳諝忾g隙的器件泄漏電流略高于基于聚合物-間隙的器件,但是其電容和插入損耗與聚合物器件相當(dāng)或者稍好一些,并且其鉗位電壓和觸發(fā)電壓要低得多。

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應(yīng)用及終端產(chǎn)品
許多高速數(shù)據(jù)應(yīng)用和終端產(chǎn)品采用混合式保護(hù)方式,在數(shù)據(jù)和時(shí)鐘線上采用基于間隙的器件,在電源連接部分采用多層壓敏電阻或基于硅的瞬態(tài)電壓抑制二極管。例如,USB接口的D+和D–線要求高速保護(hù),這可以采用分立的芯片利用附加的多層壓敏電阻或瞬態(tài)電壓抑制器件用于VDD電源保護(hù)。PC、筆記本電腦、上網(wǎng)本等產(chǎn)品中常常需要多個(gè)USB接口連接。

對于這些設(shè)備,兩個(gè)分離的端口的數(shù)據(jù)線對(data line pairs)可以采用在USB控制器和端口之間的一個(gè)單芯片陣列來實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能(如圖3所示)。理想情況下,靜電放電抑制器件應(yīng)該盡可能地在物理上靠近USB端口,以保證提供合適的電路保護(hù)。

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現(xiàn)在,在高清電視和顯示器中,HDMI連接已經(jīng)非常普遍。這些連接器共擁有19個(gè)引腳,包括:3個(gè)數(shù)據(jù)通道對(data channel pairs)(每個(gè)帶一個(gè)地)、一個(gè)TMDS對(加上地)、DDC數(shù)據(jù)、時(shí)鐘、CE遠(yuǎn)程線,所有這些都需要高速保護(hù)。通過將2個(gè)數(shù)據(jù)通道對采用一個(gè)陣列,另一個(gè)數(shù)據(jù)通道對與TMDS時(shí)鐘對采用一個(gè)陣列,則只需要兩個(gè)靜電放電抑制陣列,即可對8個(gè)高速連接提供有效的保護(hù),剩下的3個(gè)(DDC數(shù)據(jù)、時(shí)鐘、CE 遠(yuǎn)程線)可以采用分立的靜電放電抑制芯片來實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能。

數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)、PDA中常用的小型存儲(chǔ)卡的保護(hù)相對來說就比較簡單了,唯一不同的一點(diǎn)要求是器件的尺寸要小,像0402尺寸的器件就可以很好地滿足要求。

雖然0201尺寸的器件還不能確定什么時(shí)候會(huì)面市,但可以預(yù)見將來會(huì)出現(xiàn)0201尺寸的器件。對這些SIM卡,常用分立的高速抑制芯片來保護(hù)I/O、時(shí)鐘、復(fù)位引腳,而VCC電源引腳則采用多層壓敏電阻或瞬態(tài)抑制器件來實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能。

由 USB、HDMI、DVI以及其他的高速接口帶來的更快的數(shù)據(jù)通信速率,使得過去傳統(tǒng)的ESD解決方案不再有效。多層壓敏電阻和基于硅的瞬態(tài)電壓抑制器件具有太高的電容,導(dǎo)致無法保證高速數(shù)據(jù)通信時(shí)的不失真和插入損耗。新型的基于間隙的器件將有效電容大大降低,達(dá)到0.05pF或者更低。此外,基于間隙的器件可提供非常低的漏電流和極高的穩(wěn)定性,甚至可以經(jīng)受上千次的ESD事件。近期的技術(shù)突破使得比聚合物器件具有更低電容和更低觸發(fā)電壓,以及鉗位電壓的基于空氣間隙的ESD抑制器件成為現(xiàn)實(shí)。低觸發(fā)電壓和低鉗位電壓意味著可實(shí)現(xiàn)更精確的保護(hù),以及更少的來自ESD的能量到達(dá)敏感器件,以得到更長久的可靠性。
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