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選擇合適的ESD保護元件有多重要？
為防止ESD（靜電放電）導致電子設備失靈或故障，需要采取適當的防靜電措施。對于線路應用，通常采用直接貼裝元件，如果未選擇合適的防靜電配件，正常運行期間的線路信號會受到干擾，其中包括各種具有高速和差分信號的通信線路，比如車載通信CAN（控制器局域網）、車載以太網等。靜電放電通常會對上...
2024-04-10
ESD保護元件
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電壓比較器的工作區(qū)域及工作原理
電壓比較器通常由集成運放構成，與普通運放電路不同的是，比較器中的集成運放大多處于開環(huán)或正反饋的狀態(tài)。只要在兩個輸入端加一個很小的信號，運放就會進入非線性區(qū)，屬于集成運放的非線性應用范圍。在分析比較器時，虛斷路原則仍成立，虛短及虛地等概念僅在判斷臨界情況時才適應。
2024-04-10
電壓比較器
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【做信號鏈，你需要了解的高速信號知識（三）】高速的挑戰(zhàn) – 傳輸鏈路的損耗和均衡
高速總線升級迭代的矛盾在于，消費者對性能的需求驅動著信號速率成倍的增長，消費者對便捷性的需求使得傳輸線無法縮短，消費者對低成本的追求要求PCB板材和傳輸線不能太貴，這就導致ISI抖動變得越來越嚴重。均衡(Equalization)就是為了應對ISI抖動，而被廣泛應用的黑科技。既然ISI抖動的根源，是傳...
2024-04-08
信號鏈 高速信號 傳輸鏈路
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軟件可配置模擬I／O的設計理念
在快速發(fā)展的工業(yè)電子領域，軟件可配置模擬 I/O 器件的開發(fā)為系統(tǒng)設計和運行帶來了前所未有的多功能性和效率。Analog Devices 的 MAX22000 就是一個很好的實例，它提供了一個多面的模擬信號處理方法，可按需重新配置，以適應各種應用。
2024-04-07
軟件 模擬I／O
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測試共源共柵氮化鎵 FET
Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進入市場，因為它可以提供常關操作并具有更寬的柵極驅動電壓范圍。然而，電路設計人員發(fā)現(xiàn)該器件在實際電路中使用起來并不那么容易，因為它很容易發(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設計人員在電路中使用大柵極電阻時必須減慢...
2024-04-07
測試共源 氮化鎵 FET
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P溝道功率MOSFETs及其應用
Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應用范圍得到拓展。高端側（HS）應用P溝道的簡易性使其對低壓變換器（<120V）和非隔離的負載點更具吸引力。
2024-04-07
功率MOSFETs
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關于高速電路中的AC耦合電容
在很多高速串行信號中，都會使用到AC耦合電容，既然在設計高速串行電路時，任何一個小小的不同都會引起信號完整性問題，為什么要在串行鏈路中加入一個AC耦合電容呢？這個電容不僅會導致信號邊沿變得緩慢，還有可能會引起阻抗不連續(xù)。
2024-04-04
高速電路 AC耦合電容
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汽車區(qū)域控制器架構趨勢下，這三類的典型電路設計正在改變
汽車市場正在轉向區(qū)域控制器架構的趨勢方向，而汽車區(qū)域控制器架構正朝著分布式、集成化、智能化的方向發(fā)展，以實現(xiàn)更高效的數據處理、功能整合與自動駕駛支持?；趨^(qū)域控制器架構帶來很多設計的機會與挑戰(zhàn)，例如SmartFET正越來越多替代傳統(tǒng)的MOSFET器件。
2024-04-04
汽車 控制器 電路設計
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意法半導體公布了新系列100V溝槽肖特基整流二極管以提高效率和功率密度
隨著低開關損耗的寬禁帶半導體等技術的廣泛應用，設計人員開始提高功率轉換器的工作頻率，不斷刷新功率密度。不過，當開關頻率變得更高時，用作整流器的傳統(tǒng)平面二極管(包括硅肖特基器件)的能量損耗也會隨之變大，嚴重限制了轉換能效的改進。意法半導體推出可提升高開關頻率功率轉換器能效的100V溝...
2024-04-03
意法半導體 肖特基整流二極管
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