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變頻器過電壓的原因及其對策
所謂變頻器的過電壓,是指由于種種原因造成的變頻器電壓超過額定電壓,集中表現(xiàn)在變頻器直流母線的直流電壓上。電源過電壓是指因電源電壓過高而使直流母線電壓超過額定值。而現(xiàn)在大部分變頻器的輸入電壓最高可達460V,因此,電源引起的過電壓極為少見.本文主要討論的問題是再生過電壓。
2009-12-02
變頻器 再生制動 能量回饋
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防雷擊浪涌的開關(guān)電源電路設(shè)計
瞬間高電壓的雷擊浪涌以及信號系統(tǒng)浪涌是引起儀表穩(wěn)定性差的重要原因,信號系統(tǒng)浪涌電壓的主要來源是感應(yīng)雷擊、電磁干擾(EMI)、無線電干擾和靜電干擾。金屬物體(如電話線)受到這些干擾信號的影響,會使傳輸中的數(shù)據(jù)產(chǎn)生誤碼,影響傳輸?shù)臏蚀_性和傳輸速率。如何設(shè)計防雷電路成為儀表研發(fā)的關(guān)鍵問題。...
2009-12-02
雷擊 浪涌 開關(guān)電源 儀表研發(fā)
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中小型斷路器的正確選擇
常用斷路器可分為配電型斷路器、電機保護型斷路器、家用保護型斷路器、漏電斷路器等,本文根據(jù)它們的保護特性不同,介紹正確選擇常用斷路器依據(jù)原則與方法以及怎樣使用斷路器,希望能夠起到拋磚引玉作用,避免因誤選斷路器帶來的危害。
2009-11-27
斷路器 電路保護 漏電 過載 短路
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FDFMA2P859T:飛兆半導(dǎo)體推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現(xiàn)推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝版本,幫助設(shè)計人員提升其設(shè)計性能。飛兆半導(dǎo)體與設(shè)計工程師和采購經(jīng)理合作,開發(fā)了集成式P溝道PowerTrench? MOSFET與肖特基二極管器件FDFMA2P859T,利用單一封裝解決方案,滿足對電池充電和功率多工(power-multiple...
2009-11-25
飛兆半導(dǎo)體 MicroFET 薄型封裝 Farichild MOSFET
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PolySwitch元件動作保護特性分析
本文根據(jù)PolySwitch元件的動作特點,建立了PolySwitch元件動作保護特性的數(shù)學(xué)模型。比較表明,根據(jù)該數(shù)學(xué)模型繪制的仿真曲線與PolySwitch元件手冊中給出的動作保護特性曲線形態(tài)一致,且與實測數(shù)據(jù)基本吻合。
2009-11-20
PolySwitch 自恢復(fù)保險絲 線路保護
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ESD保護元件的對比分析及大電流性能鑒定
對于電子系統(tǒng)設(shè)計人員而言,如果沒有采取適當?shù)腅SD保護措施,所設(shè)計的電子產(chǎn)品就會有遭到損傷的可能。因此,電子系統(tǒng)設(shè)計中的一項重要課題便是確保使其能夠承受ESD的沖擊,并繼續(xù)正常工作。
2009-11-13
靜電放電 ESD CMOS 保護器件
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電路保護和電磁兼容技術(shù)研討會開幕
今天上午《電路保護和電磁兼容技術(shù)研討會》開幕。本屆研討會由電子元件技術(shù)網(wǎng)成立以來主辦的第三屆,前兩次會議分別在深圳和成都舉辦,受到工程師朋友的好評,這是該會第一次走近上海的工程師朋友,演講廠商挑選和題目的設(shè)置方面都切合了上海為首的華東市場的特點。 華東市場(江蘇、浙江、上海...
2009-11-12
電路保護 電磁兼容 高頻高速 SHCEF
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三大廠商論劍過壓保護解決之道
在做過電壓/ESD防護設(shè)計時,有很多種器件可以選擇,例如壓敏電阻、半導(dǎo)體過壓保護器件、TVS、氣體防雷管。壓敏電阻能夠吸引能量,并且有EMC功能;氣體放電管通流量可達上百千安培,但反應(yīng)較慢;半導(dǎo)體過壓保護器件開啟電壓的一致性好,可靠性很高,響應(yīng)速度很快;TVS體積小,反應(yīng)速度快,結(jié)電容超低...
2009-11-12
電路保護 電磁兼容 過壓保護 ESD防護 SHCEF
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探討保險絲的選型與誤區(qū)
整機系統(tǒng)設(shè)計工程師選用保險絲時,需要清楚的了解保險絲的性能,同時,系統(tǒng)設(shè)計工程師需要在眾多保險絲品牌中作出選擇,往往會陷入選擇的困惑。針對上述問題,我們采訪了AEM科技(蘇州)有限公司的資深應(yīng)用工程師陳峰,陳峰分享了保險絲選型時應(yīng)該特別注意的問題。
2009-11-07
片式保險絲 AEM 保險絲的選型
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