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門極驅(qū)動(dòng)正壓對(duì)功率半導(dǎo)體性能的影響
無(wú)論是MOSFET還是IGBT，都是受門極控制的器件。在相同電流的條件下，一般門極電壓用得越高，導(dǎo)通損耗越小。因?yàn)殚T極電壓越高意味著溝道反型層強(qiáng)度越強(qiáng)，由門極電壓而產(chǎn)生的溝道阻抗越小，流過(guò)相同電流的壓降就越低。不過(guò)器件導(dǎo)通損耗除了受這個(gè)門極溝道影響外，還和芯片的厚度有很大的關(guān)系，一般越...
2024-01-29
門極驅(qū)動(dòng) 功率半導(dǎo)體
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對(duì)于采用雙向自動(dòng)檢測(cè)IC TXB0104在電平轉(zhuǎn)換端口傳輸中組態(tài)的分析
TXB0104是應(yīng)用在AM3352（Sitara MCU/MPU等）和EMMC (嵌入式多媒體存儲(chǔ)卡)芯片之間通信的雙向自動(dòng)檢測(cè)電平轉(zhuǎn)換芯片。當(dāng)系統(tǒng)的軟件資源配置不足，需要電平轉(zhuǎn)換芯片自己識(shí)別信號(hào)傳輸方向的時(shí)候，需要注意外部硬件設(shè)計(jì)，不然可能會(huì)出現(xiàn)掛載時(shí)好時(shí)壞的失效情況。
2024-01-18
雙向自動(dòng)檢測(cè)IC TXB0104 端口傳輸
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電池儲(chǔ)能系統(tǒng)需要克服的三大設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
太陽(yáng)能和風(fēng)能為電網(wǎng)帶來(lái)了可再生能源，但供需不平衡的問(wèn)題成為影響此類能源利用率的主要限制因素。雖然太陽(yáng)能在中午很充足，但此時(shí)的用電需求不夠高，所以消費(fèi)者的用電成本仍然居高不下。
2024-01-18
電池 儲(chǔ)能系統(tǒng)
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中國(guó)（南京）國(guó)際氫能及燃料電池產(chǎn)業(yè)大會(huì)
為貫徹落實(shí)《氫能產(chǎn)業(yè)發(fā)展中長(zhǎng)期規(guī)劃（2021-2035 年）》要求，加快推進(jìn)我國(guó)氫能源及燃料電池產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作、成果轉(zhuǎn)化和商業(yè)應(yīng)用，促進(jìn)氫能產(chǎn)業(yè)健康有序發(fā)展，我國(guó)燃料電池汽車產(chǎn)業(yè)進(jìn)入提速關(guān)鍵期，“氫能高速”號(hào)角正式吹響，
2024-01-15
氫能 燃料電池
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低功耗 GaN 在常見(jiàn)交流/直流電源拓?fù)渲械膬?yōu)勢(shì)
消費(fèi)者希望日常攜帶的各種電子設(shè)備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數(shù)電子產(chǎn)品轉(zhuǎn)向 USB Type-C? 充電器，越來(lái)越多的用戶希望可以使用緊湊型電源適配器為所有設(shè)備充電。
2024-01-12
GaN 交流電源 直流電源 拓?fù)?/p>
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了解嵌入式驅(qū)動(dòng)器中的電源模塊
將逆變器從控制柜轉(zhuǎn)移到電機(jī)導(dǎo)致了新的逆變器設(shè)計(jì)要求。其中要求的是熱管理。標(biāo)準(zhǔn)柜式逆變器在相當(dāng)友好的環(huán)境中運(yùn)行，沒(méi)有特殊的 IP 保護(hù)要求，與電機(jī)不同，電機(jī)安裝在生產(chǎn)線中靠近正在加工的貨物的位置。相比之下，嵌入式驅(qū)動(dòng)器使用內(nèi)部逆變器，這要求電機(jī)和逆變器都防水、防塵，從而影響系統(tǒng)的熱...
2024-01-09
嵌入式驅(qū)動(dòng)器 電源模塊
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超高壓MOS在變頻器上的應(yīng)用
典型的AC380V變頻器應(yīng)用框圖，主要包括輸入AC380V三相整流、三相逆變IGBT功率驅(qū)動(dòng)、輔助電源等部分；其中輔助電源主要經(jīng)過(guò)DC高壓降壓后為IGBT驅(qū)動(dòng)IC、主控mcu、通訊模塊芯片等供電。
2024-01-02
MOS 變頻器
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雙運(yùn)放電流源的基本操作
合適的設(shè)備概念應(yīng)允許一定的設(shè)計(jì)自由度，以便適應(yīng)各種任務(wù)概況的需求，而無(wú)需對(duì)處理和布局進(jìn)行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標(biāo)仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數(shù)相結(jié)合。圖 1 列出了一些被認(rèn)為必不可少的參數(shù)，還可以添加更多參數(shù)。
2023-12-29
雙運(yùn)放 電流源
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關(guān)于電阻溫度系數(shù)、測(cè)量和結(jié)構(gòu)影響 這篇文章說(shuō)透了
電阻溫度系數(shù)（TCR 或 RTC）是上述缺陷的熱能因素的特征。假設(shè)晶粒結(jié)構(gòu)沒(méi)有因極端脈沖/過(guò)載事件導(dǎo)致的高溫而改變，則當(dāng)溫度恢復(fù)到參考溫度時(shí)，這種電阻變化帶來(lái)的影響是可逆的。對(duì)于 Power Metal Strip? 和 Power Metal Plate? 產(chǎn)品，這將是一個(gè)導(dǎo)致電阻合金超過(guò) 350℃ 的溫度。
2023-12-28
電阻溫度 系數(shù) 測(cè)量 結(jié)構(gòu)
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