- 半導(dǎo)體分立器件年會對微波功率半導(dǎo)體器件的進(jìn)展和應(yīng)用進(jìn)行了介紹
- 微波功率半導(dǎo)體器件目前擁有每年20億美元的全球市場
- 這些新進(jìn)展和新應(yīng)用勢必會推動微波率半導(dǎo)體器件的進(jìn)一步發(fā)展
8月20日，深圳，由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會主辦，分立器件分會、華強(qiáng)電子網(wǎng)等聯(lián)合承辦的“2009中國半導(dǎo)體分立器件市場年會”上，中國電科集團(tuán)南京電子器件研究所，單片集成電路與模塊國家級重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室邵凱先生對于微波功率半導(dǎo)體器件的進(jìn)展和應(yīng)用進(jìn)行了介紹。微波功率半導(dǎo)體器件目前擁有每年20億美元的全球市場，在很多應(yīng)用中它是不可缺少的非常重要的一類半導(dǎo)體器件。它的應(yīng)用主要分為三大類：以手機(jī)射頻功放為代表的輸出功率小于5W，工作頻率為S波段以下的中功率射頻器件；以移動通信基站功放為代表的大功率射頻器件；以及主要用于通信、雷達(dá)等領(lǐng)域的X波段及更高頻率的微波毫米波功率器件。它涉及到的半導(dǎo)體材料包括第一代的硅，第二代的砷化鎵、磷化銦以及第三代的氮化鎵和碳化硅等。不同材料適合不同應(yīng)用。目前砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（GaAs HBT）是手機(jī)射頻功放的主流技術(shù)；移動通信基站功放則主要用硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)器件（Si LDMOS）；微波毫米波功放主要用砷化鎵贗配高電子遷移率晶體管（GaAspHEMT）。但其它材料和器件結(jié)構(gòu)也在參與激烈競爭，尤其是第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的出現(xiàn)帶來了新的希望。
在本次會議上，全國200多位行業(yè)主管部門領(lǐng)導(dǎo)、專家及業(yè)界代表匯聚深圳，緊緊圍繞金融危機(jī)下中國半導(dǎo)體分立器件市場機(jī)遇及趨勢，分立器件新技術(shù)新工藝的發(fā)展，新型分立器件在汽車電子、節(jié)能照明等領(lǐng)域的應(yīng)用前景進(jìn)行了深入探討。工業(yè)和信息化部電子信息司丁文武副司長、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會徐小田秘書長、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會分立器件分會趙小寧秘書長、中國科學(xué)院許居衍院士等領(lǐng)導(dǎo)、專家出席了本次會議并發(fā)言。
