- 具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的標(biāo)準(zhǔn)
- 產(chǎn)品線組合的典型代表產(chǎn)品
- 電子設(shè)計(jì)
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品。這些系列器件具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的標(biāo)準(zhǔn)，如容值電壓、電流等級(jí)和導(dǎo)通電阻。這些創(chuàng)新產(chǎn)品將進(jìn)行展示，是很多關(guān)鍵應(yīng)用的理想選擇，也是Vishay廣泛的產(chǎn)品線組合的典型代表產(chǎn)品。
2010年將要發(fā)布的Super 12產(chǎn)品是：
597D和T97多模鉭電容：對(duì)于+28V應(yīng)用，工業(yè)級(jí)的597D和Hi-Rel COTS T97D系列是業(yè)內(nèi)首批75V額定電壓的鉭電容。這些器件具有業(yè)內(nèi)最高的容值-電壓，從4V電壓的1500μF到75V電壓的15μF，可節(jié)省PCB空間，同時(shí)低至15mΩ的超低ESR提高了設(shè)計(jì)效率。
MKP 1848聚丙烯薄膜電容：對(duì)于直流應(yīng)用，MKP 1848電容的額定容值為1μF～400μF，有2個(gè)或4個(gè)引腳用于PCB安裝(MKP 1848)，額定容值為60μF～400μF的器件采用總線條，用于直接IGBT安裝(MKP 1848 PCP)。
IHLP®-6767功率電感：IHLP-6767器件是目前額定電流最高的SMD功率電感。器件的尺寸為4.0mm x 7.0mm，電流可達(dá)100A，感值為100μH，還具有優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性。
WSMS和WSBS高功率分流電阻：WSMS功率計(jì)分流電阻和WSBS車(chē)用電池分流電阻具有50μΩ～500μΩ的極低阻值，2908、3124和5515外形尺寸電阻的功率為3W，8518尺寸的功率達(dá)36W。器件的全焊接結(jié)構(gòu)使器件可以在大于400A的連續(xù)電流下工作。
LPS平板厚膜電阻：LPS系列采用緊湊的57mm x 60mm的外形尺寸，功率耗散達(dá)800W，重量為83g。器件的絕緣強(qiáng)度達(dá)12kVRMS，阻值范圍為0.3Ω～900kΩ。
無(wú)磁MLCC：這些MLCC電容采用無(wú)磁材料制造，采用多種組裝方式，包括導(dǎo)電樹(shù)脂和紅外回流焊組裝。器件具有各種尺寸、電壓等級(jí)和容值，采用了貴金屬和濕法制造工藝，以達(dá)到高可靠性。
第三代TrenchFET® P溝道MOSFET：這種最新一代的P溝道硅技術(shù)使器件實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最佳的導(dǎo)通電阻標(biāo)準(zhǔn)，如采用PowerPAK® SO-8封裝的導(dǎo)通電阻為1.9mΩ。第三代TrenchFET P溝道MOSFET的rDS(on)只有市場(chǎng)上最接近器件的一半，用更低的傳導(dǎo)損耗實(shí)現(xiàn)了更高的效率，使采用電池的應(yīng)用在兩次充電之間的時(shí)間更長(zhǎng)。這種MOSFET還提供完整的封裝選項(xiàng)，包括1.6mm x 1.6mm的PowerPAK SC-75封裝。
20A的第5代肖特基二極管20WT04FN：20WT04FN是業(yè)界首款采用D-PAK封裝的20A、40V二極管。該器件的工作溫度可高達(dá)+175℃，在20A、+125℃下的最大正向電壓降為0.530V，在45V、+125℃下的最大反向漏電流為7mA。
MSS1P2U和MSS1P3U eSMPTM SMD肖特基勢(shì)壘整流器：MSS1P2U和MSS1P3U MicroSMP整流器具有高電流密度，在0.4V電壓下具有0.35V的超低正向電壓降，典型厚度為0.68mm。
VO3120和VO3150A IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)器：這些2.5A和0.5A的驅(qū)動(dòng)器的供電電壓范圍為15V～32V，工作溫度范圍為+40℃～+110℃。
SiC769 DrMOS 6x6：SiC769集成式MOSFET和驅(qū)動(dòng)IC方案具有業(yè)內(nèi)最佳的功率密度，可用于主流的多相Vcore應(yīng)用。新器件完全符合針對(duì)高功率CPU系統(tǒng)中電壓調(diào)整器(VR)的DrMOS標(biāo)準(zhǔn)，工作頻率可達(dá)1MHz。
第9代Super JunctionTM FET MOSFET：Vishay的22A、600V Super Junction FET MOSFET具有低至0.19Ω(最大)的導(dǎo)通電阻，改善了導(dǎo)通電阻與柵極電荷的乘積，即優(yōu)值(FOM)。
