中心議題：

• OLED的功率效率
• OLED的發(fā)光率與衰減
• OLED發(fā)展動向

解決方案：

• 增加傳輸層的厚度影響光學的out-coupling效率
• 利用摻雜(doping)技術增加注入電荷
• 用較厚的載電荷子傳輸層，藉此增加OLED的穩(wěn)定性

雖然最近幾年有機發(fā)光二極管(OrganicLightEmissionDiode，OLED)顯示器已經商品化，不過OLED顯示器不論是發(fā)光效率、使用壽命，或是改用無晶硅基大型面板等問題仍有待改善。
　　
目前已商品化OLED顯示器，可分為小分子OLED(SM-OLED)搭配熒光體與被動式矩陣(PassiveMatrix)基板;高分子(polymer)+被動式矩陣基板：以及主動式小分子OLED構成的小型OLED顯示器等等。上述OLED顯示器主要是應用在移動電話與數字相機、PDA等領域。
　　
由于OLED顯示器的發(fā)光效率(亦即功率效率)，幾乎與LCD背光模塊相同甚至更低，這意味著OLED發(fā)光效率仍有很大的改善空間，一般認為提高OLED發(fā)光效率，并大幅降低OLED制作成本，未來OLED才有機會取代LCD，并且在市場上占有一席之地。尤其是試量產階段的主動式矩陣OLED顯示器，由于產量性與良品率偏低，因此制作成本是同等級LCD的兩倍。
　　
功率效率(Powerefficiency)
　　
有關功率效率可以根據下式求得：


所謂功率效率值主要是指量子效率(quantumefficiency)，除上操作電壓后獲得的百分比。根據上式可知即使有高的量子效率，功率效率值則會隨著高操作電壓而減少，亦即增大操作電壓，其結果只是補償注入與傳輸carrier時的損失(因各層有限的傳導率)，對功率效率并無實質助益。
　　
理論上電能轉換成光線的熱力極限，以綠光而言大約是2.5V。Novaled已經證實在carrier傳輸層內，必需整合穩(wěn)定擴散的氧化還原摻雜物(redox-dopants)。需注意是單純的摻雜(doping)，只會減少組件的量子效率，因此正確的device設計也非常重要。
　　
實驗證明發(fā)光層或是各堆棧層，保持電子和電洞的平衡，可使載荷子的平衡系數(chargecarrierbalancefactor)接近1，在此同時設計device時，必須確定上述變量不會受到改善其它動作而減少。
　　
長期激發(fā)加速衰減
　　
Triplet/Singlet系數主要是表示發(fā)光材料的發(fā)射狀態(tài)。若以Triplet狀態(tài)的發(fā)射效率而言，理論上幾乎可達到100%;如果采用熒光體(或Singlet)的話，Triplet/Singlet系數會受到限制，大約只有25%左右(Triplet狀態(tài)在此無法產生光)。
　　
由于Triplet發(fā)射方式，使得device長期處于激發(fā)狀態(tài)，因此會有無輻射性的衰減現象，最后造成device的設計變得更加困難。雖然采用Singlet發(fā)光材料的OLED，使用壽命比較長，不過使用Triplet發(fā)光材料的OLED正迎頭趕上中，一般認為不久的將來可望進入商品化階段。photoluminescencequantumyield主要是取決于材料，值得一提的是合成材料的純度、潔凈度、存放、處理與接口設備，都會使該值從接近100%遽降至50%。

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OLEDdevice產生的光線被局限在device內，并且被平行地引導至基板，或是有機的表面以及有電層。簡單的概算是假設ITO的折射指數在1.8左右時，可以獲得光學上的out-coupling系數是20%，這表示有80%的光被傳導到組件的側邊，無法被取出應用，雖然理論上該現象可以進行大幅改善，然而設計者必須考量一個復雜的out-coupling，如此一來，結構上的改變會使device成本大幅上升，同時可能會降低其它效率的系數。
　　
此外device內可使光線反射的電極，由于本身自重特性質會強烈影響光學的out-coupling效率，此時若適度增加傳輸層的厚度，對out-coupling效率具有相當程度的助益，不過它涉及到低導電層的動作特性，因此操作電壓和量子效率也會隨著變化。

根據實驗結果顯示，65cd/A與80lm/W(在100cd/m2,2.6V)的綠色磷光OLED，經過doping后的載電荷子傳輸層(如下圖所示)，它的內部量子效率(quantumefficiency)可以達到接近100%(相較之下Out-coupling系數只有20%)，而且可以獲得較佳的亮度，運作電壓更接近熱力極限。
                                       
                                   
OLED發(fā)展動向
　　
為改善上述三項缺點，同時使OLED主動顯示器作高發(fā)光效率，因此必需提高發(fā)光效率(大部分的光線被非透明的驅動硅電路遮蔽)，因為適合的接點材質受限于無機半導體，使得下層ITO和與上層金屬電觸的一般OLED結構無法正確運作，因此利用摻雜(doping)技術增加注入電荷，產生載電荷子傳輸層，可以使適用材料發(fā)揮最大功率效益。
　　
除此之外，提高OLED顯示器產量也是不可或缺的條件之一。目前OLEDdevice常用超薄載電荷子傳輸膜層，雖然這樣的結構可以降低高操作電壓帶來的負面效應，不過如此一來device卻有短路之虞，根本對策是改用較厚的載電荷子傳輸層，藉此增加OLED的穩(wěn)定性。
　　
次世代OLED的應用除了家用與工業(yè)用照明之外，更將目標鎖定在平均亮度1000cd/m2、80lm/W的白光市場。要達到這個目標，首先是所有其它的參數接近其100%極限時，out-coupling系數必需超過至20%以上。
　　
長久以來照明設備業(yè)者莫不殷切期盼，獲得輕巧可折迭的光源環(huán)境，事實上這也是OLED未來發(fā)展目標。