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從4個到256個通道，GaN技術如何創(chuàng)新5G基站系統(tǒng)的緊湊設計
電子系統(tǒng)工程師們正在適應5G基站設計領域的重大變革；包括發(fā)射/接收通道的數(shù)量從4個激增至高達256個。同時，這些基站的頻率范圍也有所提升，從原先的1GHz擴展到現(xiàn)在的3-4GHz，并有望達到7GHz。隨著更多通道的引入（如上述256個收發(fā)通道這樣的配置），對既高效又具備精確信號能力的功率放大器的需求...
2024-05-17
通道 GaN技術 5G基站系統(tǒng)
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RSC6218A LLC諧振電源案例分享
開關電源的開關特性會使電源的MOS與變壓器產(chǎn)生電磁兼容方面的干擾，優(yōu)秀的PCB Layout可以解決電磁兼容問題，同時也可有效避免干擾源的擴大；如圖結合實例說明RSC6218A系列LLC諧振電源方案PCB的設計要點，提升LLC諧振方案的穩(wěn)定性。
2024-05-16
RSC6218A LC諧振電源
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羅姆：先進的半導體功率元器件和模擬IC助力工業(yè)用能源設備節(jié)能
隨著向無碳社會的推進以及能源的短缺，全球對可再生能源寄予厚望，對不斷提高能源利用效率并改進逆變器技術（節(jié)能的關鍵）提出了更高要求。而功率元器件和模擬IC在很大程度上決定了逆變器的節(jié)能性能和效率。通過在適合的應用中使用功率元器件和模擬IC，可以進一步提高逆變器的功率轉換效率，降低工...
2024-05-16
羅姆 半導體功率元器件 模擬IC 工業(yè)用能源設備
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掌握幾個技巧 降低運放電路中的功耗！
為了了解運算放大器電路中的功耗問題，我們首先明白具有低靜態(tài)電流 (IQ)的放大器以及增加反饋網(wǎng)絡電阻值與功耗之間的關系。
2024-05-14
運放電路
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抓住JESD204B接口功能的關鍵問題
JESD204B是最近批準的JEDEC標準，用于轉換器與數(shù)字處理器件之間的串行數(shù)據(jù)接口。它是第三代標準，解決了先前版本的 一些缺陷。該接口的優(yōu)勢包括：數(shù)據(jù)接口路由所需電路板空間更少，建立與保持時序要求更低，以及轉換器和邏輯器件的封裝更小。多家供應商的新型模擬/數(shù)字轉換器采用此接口，例如ADI的 ...
2024-05-14
JESD204B 接口功能
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如何使用帶有I2C和SPI解碼的示波器排查系統(tǒng)問題
大多數(shù)基于微控制器的設計都使用I2C或SPI，或兩者兼用，來實現(xiàn)控制器之間以及控制器與外圍芯片之間的通信。當芯片發(fā)送特定的I2C或SPI數(shù)據(jù)包時，能夠看到嵌入式系統(tǒng)內部的操作對于排除故障至關重要。許多管理相對較慢參數(shù)的芯片，如溫度傳感器、電機控制器、人機界面或電源管理等，都將這些總線作為...
2024-05-14
I2C SPI解碼 示波器
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Boost電路的CCM模式與DCM模式
Boost升壓電路，可以工作在電流斷續(xù)工作模式(DCM)和電流連續(xù)工作模式(CCM)。CCM工作模式適合大功率輸出電路，電感電流需保持連續(xù)狀態(tài)，因此，按CCM工作模式來進行特性分析。不管哪種拓撲，其CCM和DCM的定義，是一樣的。
2024-05-14
Boost電路的CCM模式與DCM模式
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MOS管被擊穿的原因及解決方案
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
2024-05-14
MOS管
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雙管反激240W USB PD3.1 EPR設計要點
雙管反激QR變換器架構很好地解決了前面提到的難題，雙管反激QR變換器可以輸出很寬的電壓范圍，通過合理的選擇變壓器匝比，可以使初級的雙開關近似工作在ZVS開通，同時高匝比的應用也使得初級的電流減小，開關損耗和導通損耗得以減少，后級同步整流管可以使用常用的120V的MOSFET，降低了整體成本。
2024-05-14
雙管反激 EPR設計
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