【導(dǎo)讀】TOSHIBA公司發(fā)布600V系統(tǒng)超級結(jié)MOSFET DTMOS IV系列，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，RON•A 降低達(dá) 30%。這種改進(jìn)使得芯片于各種封裝中實現(xiàn)了更低的導(dǎo)通電阻，這就提高了電源效率也顯著地減少了集成組件數(shù)量。
600V系統(tǒng)超級結(jié)MOSFET DTMOS IV系列: TK10A60W、TK12A60W、TK16A60W。東芝已經(jīng)開發(fā)出第四代600V系統(tǒng)超級結(jié)MOSFET DTMOS IV系列。該系列采用了最新的單層外延工藝， 所以顯著地提高了性能，其數(shù)字元元化的優(yōu)點是，與傳統(tǒng)產(chǎn)品 (DTMOSIII) 相比，RON•A 降低達(dá) 30%。這種對于RON•A的改進(jìn)使得芯片于各種封裝中實現(xiàn)了更低的導(dǎo)通電阻，這就提高了電源效率也顯著地減少了集成組件數(shù)量。
圖1: 600V系統(tǒng)超級結(jié)MOSFET DTMOS IV系列
特征
與傳統(tǒng)產(chǎn)品(DTMOS III)相比，RON•A下降了30%。
因為采用了單層外延工藝，所以高溫時的低導(dǎo)通電阻有略微上升。
由于COSS降低，EOSS比傳統(tǒng)產(chǎn)品(DTMOS III)下降了12%。
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)最大值)的陣容廣泛:0.9至0.018Ω。
封裝陣容廣泛
應(yīng)用
開關(guān)電源、微型逆變器、LED 照明、LCD 電視機、適配器、充電器。
圖2：電路實例
圖3：半橋式AC-DC電源的電路實例
