臨界電場(chǎng)擊穿電壓更高，因而在給定的額定電壓下工作時(shí)漂移層更薄，大幅減小導(dǎo)通電阻。

導(dǎo)熱率更高，因而在橫截面上可以實(shí)現(xiàn)更高的電流密度。

帶隙更寬，因而高溫下的漏電流較小。因此，SiC 二極管和 FET 常稱為寬帶隙 (WBG) 器件。

作為與硅器件的粗略“數(shù)量級(jí)”比較，基于 SiC 的 MOSFET 器件阻斷電壓是前者的 10 倍，開關(guān)速度約是其 10 倍，25℃ 時(shí)的導(dǎo)通電阻只有其一半或更小。同時(shí)，工作溫度最高可達(dá) 200℃（硅器件為 125℃），因而使熱設(shè)計(jì)和熱管理得以簡(jiǎn)化。

 

SiC 開關(guān)器件功率處理能力的一個(gè)實(shí)例是 ROHM Semiconductor 的 SCT3105KRC14，1200 V、24 A 的 N 溝道 SiC 功率 MOSFET，RDS(on) 典型值為 105 mΩ。該器件具有良好的熱阻特性，相對(duì)于施加的脈沖寬度能夠迅速達(dá)到最大值（圖 3）。

 

圖 3：ROHM 的 SCT3105KRC14 1200 V、24 A 的 N 溝道 SiC 功率 MOSFET，良好的熱特性即使在脈沖驅(qū)動(dòng)下也能迅速達(dá)到平衡。（圖片來源：ROHM Semiconductor）

 

分立式與集成式電源設(shè)計(jì)

功率水平較低時(shí)，一種做法是選擇整合了轉(zhuǎn)換器穩(wěn)壓器與相關(guān)功率開關(guān)器件的 IC。該做法的優(yōu)勢(shì)在于穩(wěn)壓器與功率器件的互連有助于優(yōu)化電路，而不可避免的寄生效應(yīng)特征也在規(guī)格書中有所描述。此外，如圖中 ROHM 的 BD9G341AEFJ-E2 所示，這款內(nèi)置 150 mΩ 功率 MOSFET 的降壓開關(guān)穩(wěn)壓器最大限度地減少了對(duì)外部元器件的需求（圖 4）。

 

圖 4：ROHM 的 BD9G341AEFJ-E2 降壓開關(guān)穩(wěn)壓器集成了 MOSFET 與控制器，實(shí)現(xiàn)了該解決方案幾乎所有特性，同時(shí)還將所需外部電路的數(shù)量和復(fù)雜性降至最低。（圖片來源：ROHM Semiconductor）

 

這款小型 HTSOP-J8 器件尺寸為 4.9 × 6.0 × 1.0 mm，非常適合工業(yè)分布式電源應(yīng)用。該器件的輸入電壓范圍為 12 V 至 76 V，輸出電流可達(dá) 3 A。電流模式架構(gòu)提供了快速瞬態(tài)響應(yīng)和簡(jiǎn)單的相位補(bǔ)償設(shè)置，開關(guān)頻率范圍為 50 kHz 至 750 kHz，支持用戶設(shè)置。

 

隨著功率水平（以及電壓和電流）提高，功率器件封裝的重要性隨之提升，單獨(dú)使用分立器件的難度也相應(yīng)增大。在這種情況下，兩個(gè)或多個(gè)功率器件的預(yù)封裝模塊是更受青睞的選擇。例如，ROHM 的 BSM300D12P2E001 是一款 1200 V、300 A 的半橋模塊，具有兩個(gè) SiC 雙擴(kuò)散 MOSFET (DMOSFET) 和 SiC 肖特基勢(shì)壘二極管（圖 5）。

 

圖 5：ROHM 的 BSM300D12P2E001 模塊包含兩個(gè)相連的 SiC DMOSFET 和 SiC 肖特基勢(shì)壘二極管，從而簡(jiǎn)化了常用半橋配置下 MOSFET 的匹配要求，并實(shí)現(xiàn)了相應(yīng)的性能。（圖片來源：ROHM Semiconductor）

 

在單個(gè)模塊中整合 MOSFET 及其二極管可優(yōu)化整個(gè)組件的性能，該模塊尺寸約為 152 mm 長(zhǎng) × 62 mm 寬 × 17 mm 高，看似一塊細(xì)長(zhǎng)的磚（圖 6）。此外，該模塊還包括獨(dú)立溫度傳感器（NTC 熱敏電阻），可監(jiān)控器件散熱情況，同時(shí)其結(jié)構(gòu)有助于熱管理——此電壓和電流組合下的重要考慮因素，因?yàn)樵撃K可輕松實(shí)現(xiàn)器件與電路板或散熱器的物理連接，具備機(jī)械完整性并確保與電源線的穩(wěn)固連接。

 

圖 6：ROHM 的 BSM300D12P2E001 半橋模塊封裝減輕了接線、物理安裝和散熱方面的顧慮。（圖片來源：ROHM Semiconductor）

 

驅(qū)動(dòng)器對(duì)轉(zhuǎn)換器的有效運(yùn)行至關(guān)重要

無論是基于硅還是 SiC 的 MOSFET 通斷，都必須慎重考慮諸多相關(guān)細(xì)節(jié)：柵極驅(qū)動(dòng)電壓、電流、壓擺率、瞬態(tài)特性、過沖、輸入電容、電感以及許多其他靜態(tài)和動(dòng)態(tài)因素。柵極驅(qū)動(dòng)器可用于連接控制處理器輸出的相對(duì)簡(jiǎn)單的低電平信號(hào)與開關(guān)器件的柵極輸入。這種特殊電源轉(zhuǎn)換器的輸出與功率器件的負(fù)載要求相對(duì)應(yīng)。

 

對(duì)于半橋或全橋等常用配置下的一對(duì)開關(guān)器件，驅(qū)動(dòng)器模塊還須確保高端和低端器件不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通，即使只是瞬間，因?yàn)檫@會(huì)導(dǎo)致電源軌接地。此外，在某些功率器件應(yīng)用中，功率器件路徑中單條或兩條都必須與系統(tǒng)地進(jìn)行電氣隔離，同時(shí)仍需為其提供相應(yīng)的性能。

 

為了滿足這些要求，一些功率器件供應(yīng)商推出了驅(qū)動(dòng)器 IC，專用于其提供的某個(gè)或多個(gè)開關(guān)器件。例如，Tamura/ROHM 的 2DU180506MR02 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 的特性和功能與上述 ROHM 半橋模塊互補(bǔ)，可降低驅(qū)動(dòng)該模塊的難度，并且添加了各種保護(hù)模式（圖 7）。

 

圖 7：Tamura/ROHM 的 2DU180506MR02 柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 旨在為控制處理器與 ROHM 的 BSM300D12P2E001 半橋模塊提供完整接口。（圖片來源：Tamura）

 

該柵極驅(qū)動(dòng)器模塊封裝高度僅為 24 mm，安裝于 65 mm × 100 mm 的電路板上。該電路板的連接器可用于直流電源、處理器接口和電源模塊驅(qū)動(dòng)器。此外，該柵極驅(qū)動(dòng)器還提供至關(guān)重要的監(jiān)控功能，幾乎所有功率器件都有這方面的需求，尤其是面向大功率工業(yè)應(yīng)用的器件。這些功能包括過載保護(hù)、過熱保護(hù)（連接功率模塊的熱敏電阻）、欠壓鎖定和柵極驅(qū)動(dòng)故障指示燈。

 

其他半橋柵極驅(qū)動(dòng)器則更為通用。ROHM 的 BM60212FV 是一款 1200 V 高端和低端柵極驅(qū)動(dòng)器 IC，適用于 N 溝道 MOSFET 和 IGBT（圖 8）。該器件使用無鐵芯變壓器來提供磁隔離，從而實(shí)現(xiàn)高端所需的電平轉(zhuǎn)換。但是，由于內(nèi)部其他功能并未隔離，因此仍歸類為非隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。

 

圖 8：ROHM 的 BM60212FV 高端和低端柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 在高端驅(qū)動(dòng)路徑的電平轉(zhuǎn)換電路中使用磁隔離；低端路徑未隔離。（圖片來源：ROHM Semiconductor）

 

這款小型器件采用 SSOP-20W 封裝，尺寸為 6.5 × 8.1 × 2.0 mm，兼容 3 V 和 5 V 驅(qū)動(dòng)信號(hào)，具有欠壓鎖定等功能。請(qǐng)注意，該 IC 通過了 AEC-Q100 認(rèn)證，即符合嚴(yán)苛的汽車可靠性標(biāo)準(zhǔn)。盡管“通過汽車級(jí)標(biāo)準(zhǔn)鑒定”而非“工業(yè)級(jí)”，但是一些設(shè)計(jì)人員更傾向于在 BOM 中指明通過了 AEC-Q100 認(rèn)證的器件，藉此強(qiáng)調(diào)其產(chǎn)品可靠性可滿足工業(yè)應(yīng)用的苛刻環(huán)境條件。這些環(huán)境條件包括電涌和 EMI/RFI、極端溫度的熱應(yīng)力以及熱循環(huán)和振動(dòng)導(dǎo)致的機(jī)械故障。

 

電流測(cè)量

在許多電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中，需要了解從輸出端流向負(fù)載的電流，而且這在幾乎所有工業(yè)應(yīng)用中都至關(guān)重要。在某些情況下，需要利用該電流值為轉(zhuǎn)換器提供反饋以實(shí)現(xiàn)閉環(huán)性能；在工業(yè)環(huán)境中，還需監(jiān)控負(fù)載以及電機(jī)失速或故障等情況。連續(xù)實(shí)時(shí)測(cè)量電流的一種方式是檢測(cè)負(fù)載串聯(lián)的電阻兩端的電壓。通常稱之為分流電阻器，但是在這種情況下該電阻器的作用并非如此。

 

從概念上說，這種電流測(cè)量方式只是單純應(yīng)用歐姆定律而已。然而，在大電流工業(yè)轉(zhuǎn)換器設(shè)備等實(shí)際應(yīng)用中，卻面臨著諸多挑戰(zhàn)。首先，設(shè)計(jì)人員必須確定適當(dāng)?shù)碾娮柚?。此時(shí)就需要進(jìn)行權(quán)衡：電阻器阻值較大則 IR 壓降更大，可藉此提高分辨率和抗噪性，但同時(shí)耗散功率也更大，以致降低負(fù)載的軌電壓，并且可能對(duì)控制器/負(fù)載回路的穩(wěn)定性產(chǎn)生不利影響。

 

一般而言，開始時(shí)最好選用在最大電流下使其兩端電壓降約為 100 mV 的電阻值。經(jīng)數(shù)學(xué)計(jì)算可知，檢測(cè)電阻值僅為毫歐級(jí)，與其他電路功能中常用的數(shù)千歐甚至更大的阻值形成鮮明對(duì)比。

 

確定電阻值后，設(shè)計(jì)人員就必須選擇特定的物理元器件。鑒于電流值的大小，相較于大多數(shù)其他電阻器，檢測(cè)電阻器的額定功率必須相對(duì)較大。此外，不只是室溫下可提供高精度，而必須采用相應(yīng)的材料和制造技術(shù)以確保較小的電阻溫度系數(shù) (TCR)。TCR 較小時(shí)，即使環(huán)境溫度升高或因自熱引起的溫度升高，阻值也不會(huì)明顯變化。

 

ROHM 的 PSR400ITQFF0L50 分流電阻器正是一個(gè)典型范例，充分展示了這類看似簡(jiǎn)單的無源元件之復(fù)雜性。這款 4 W 金屬元器件的阻值僅為 500 µΩ（1 mΩ 的一半）±1%（圖 9）。

 

圖 9：ROHM 的 PSR400ITQFF0L50 等電流檢測(cè)電阻器是精密無源元件，采用專用材料和技術(shù)制造，標(biāo)稱值僅為毫歐級(jí)且 TCR 非常小。（圖片來源：ROHM Semiconductor）

 

PSR400ITQFF0L50 看起來只是一塊彎曲的金屬板，然而物亦不可貌相。這款 5.2 × 10 mm 的元器件由銅和金屬氫化物精心混合制成，TCR 僅為 ±175 ppm/℃。該系列的其他電流檢測(cè)電阻器中，TCR 較之更大或更小者均有。相比之下，常用低成本標(biāo)準(zhǔn)電阻器的 TCR 約為 ±2000 至 ±4000 ppm/℃，是這些超小阻值金屬板型大功率分流電阻器的十至二十倍。

 

在大電流下使用分流電阻器時(shí)，必須認(rèn)真考慮物理安裝、散熱以及電氣連接。對(duì)于毫歐級(jí)電阻器，開爾文連接所需的四線都必須具有極小的電阻。此外，還須具有物理連接端子，以便產(chǎn)生有效讀數(shù)且不受連接電阻影響。

 

總結(jié)

鑒于應(yīng)用環(huán)境的壓力，工業(yè)電源和轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員在實(shí)現(xiàn)性能、成本、空間和可靠性要求方面均面臨著一系列獨(dú)特的挑戰(zhàn)。功率水平較高時(shí)，還需要考慮能效、散熱和封裝。此外，柵極驅(qū)動(dòng)器和電流檢測(cè)問題也需要解決。

 

在充分考慮應(yīng)用要求的情況下，上述工業(yè)電源核心構(gòu)件（包括分立器件、集成器件和模塊化功率器件）可輕松應(yīng)對(duì)工業(yè)級(jí)電源和轉(zhuǎn)換器的挑戰(zhàn)。