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羅姆SiC MOSFET的新產(chǎn)品為何采用4引腳封裝
ROHM最近推出了SiC MOSFET的新系列產(chǎn)品“SCT3xxx xR系列”。SCT3xxx xR系列采用最新的溝槽柵極結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步降低了導(dǎo)通電阻；同時(shí)通過(guò)采用單獨(dú)設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器用源極引腳的4引腳封裝，改善了開(kāi)關(guān)特性，使開(kāi)關(guān)損耗可以降低35%左右。此次，針對(duì)SiC MOSFET采用4引腳封裝的原因及其效果等議題，我們采訪了RO...
2020-05-14
羅姆 SiC MOSFET 4引腳封裝
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智能家居中電池特性分析及設(shè)計(jì)方案
現(xiàn)在，智能樓宇自動(dòng)化中加入了越來(lái)越多的智能傳感器，比如智能貓眼，門鈴，便攜式攝像頭以及煙感等。這些產(chǎn)品通常采用電池供電，如常見(jiàn)的18650鋰電池，AA 干電池。那么在電池供電的產(chǎn)品中，如何設(shè)計(jì)合理的供電方案是延長(zhǎng)電池使用時(shí)間是重點(diǎn)問(wèn)題。
2020-05-13
智能家居 電池特性 設(shè)計(jì)方案
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如何應(yīng)對(duì)FPGA或SoC電源應(yīng)用面臨的小尺寸、低成本挑戰(zhàn)？
工業(yè)電子產(chǎn)品的發(fā)展趨勢(shì)是更小的電路板尺寸、更時(shí)尚的外形和更具成本效益。由于這些趨勢(shì)，電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須降低印刷電路板（PCB）的尺寸和成本。使用現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）和片上系統(tǒng)（SoC）的工業(yè)系統(tǒng)需要多個(gè)電源軌，同時(shí)面臨小尺寸和低成本的挑戰(zhàn)。
2020-05-12
FPGA SoC電源 柔性功率器件
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如何通俗易懂的理解電源中的開(kāi)關(guān)AC－DC轉(zhuǎn)換
首先，簡(jiǎn)單說(shuō)明一下開(kāi)關(guān)方式的AC/DC轉(zhuǎn)換。請(qǐng)參照右側(cè)的基本電路，以及位于下方的波形。在這里，以日本國(guó)內(nèi)為例，輸入電壓設(shè)定為100VAC。此100VAC最初用橋式二極管加以整流。此為全波整流。
2020-05-12
電源 開(kāi)關(guān) AC－DC轉(zhuǎn)換
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PCB布局技巧： 帶條紋的電容
這些都是無(wú)極性電容，所以這個(gè)條紋不是極性標(biāo)記。一位讀者得回答正確，它代表電容卷繞時(shí)，卷繞在外層的那一極。我發(fā)現(xiàn)現(xiàn)在很少有工程師知道電容一端的條紋代表什么，也不知道條紋端和不帶條紋端互換帶來(lái)的不同效果。即使你從來(lái)不使用這類電容，了解這些內(nèi)容也會(huì)讓你設(shè)計(jì)的PCB有所不同。這次讓我們討...
2020-05-12
PCB 布局技巧 電容
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可否利用DAC來(lái)改變交流信號(hào)的幅值？
使用電位器可以很方便在信號(hào)源的驅(qū)動(dòng)下形成一個(gè)幅值可以調(diào)節(jié)的交流信號(hào)源。這比起使用通常的可編程直流電源，或者DAC輸出電壓來(lái)說(shuō)，輸出的是幅度可以變的交流信號(hào)源，可以用于很多的自動(dòng)測(cè)量環(huán)節(jié)。
2020-05-12
DAC 交流信號(hào) 幅值 電位器
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使用POWERPRO降低動(dòng)態(tài)功耗簡(jiǎn)介
一直以來(lái)，設(shè)計(jì)人員都將最小化功耗的工作留給實(shí)現(xiàn)／物理工具來(lái)完成。但到了這個(gè)時(shí)候，有關(guān)設(shè)計(jì)的所有重要架構(gòu)和微架構(gòu)決策都已確定。物理工具對(duì)功耗的影響非常有限。這些工具無(wú)法對(duì)設(shè)計(jì)架構(gòu)進(jìn)行徹底的更改，從而實(shí)現(xiàn)節(jié)能。物理工具所用的方法，例如單元尺寸調(diào)整、管腳交換和 Vth 選擇，只能將稍稍降...
2020-05-12
POWERPRO 動(dòng)態(tài)功耗
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致工程師系列之三：高效GaN電源設(shè)計(jì)八部曲，泰克系列視頻課堂實(shí)操秘籍
由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低，寬禁帶半導(dǎo)體（SiC 和 GaN）現(xiàn)在配合傳統(tǒng)硅一同用于汽車和 RF 通信等嚴(yán)苛應(yīng)用中。隨著效率的提高，對(duì)Si、SiC和GaN器件進(jìn)行安全、精確的測(cè)試，讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場(chǎng)出現(xiàn)的故障。
2020-05-11
GaN電源設(shè)計(jì) 泰克
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開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器動(dòng)態(tài)分析采用快速分析技術(shù)（3）
對(duì)于二階系數(shù)，我們將設(shè)置電容C2處于其高頻狀態(tài)（以短路代替它），同時(shí)我們將確定驅(qū)動(dòng)電感L1的阻抗。圖17說(shuō)明了這種方法。因?yàn)檩敵鲆駽2短路，節(jié)點(diǎn)a和c都處于相同的0V電勢(shì)。電路簡(jiǎn)化為右側(cè)示意圖。
2020-05-11
開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器 動(dòng)態(tài)分析 技術(shù)
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